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自组织生长InGaAS/GaAs量子点超晶格的研究

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研究人员利用分子束外延技术自组织生长了40周期低组份InGaAs/GaAs量子点超晶格结构。透射电镜表明，量子点沿生长方向的分布存在着两种不同的区域：完美的垂直对准区域和不严格的垂直对准区域，这种沿生长方向分布的有序性与初始层量子点的分布密切相关。量子点纵向序列的合并、消失与增生是量子点分布有序，均匀一致的主要机制，随着超晶格层数的增加，量子点趋向于沿生长方向的垂直对准，量子点的尺寸与分布也趋向均匀一致，样品不同厚度的PL谱进一步认证了这一点。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|26-29|共4页
会议地点宜昌
作者
庄乾东; 李晋闽;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体技术;
关键词
自组织生长; InGaAS/GaAs量子点超晶格;

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