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Secondary Ion Mass Spectrometry and Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry Study of Impurity Measurements in HgCdTe

机译:HgCdTe中杂质测量的二次离子质谱和飞行时间二次离子质谱研究

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摘要

In this study, time-of-flight (TOF) secondary ion mass spectrometry (SIMS) was compared against dynamic SIMS to determine detection limits and background levels for nine impurities: Li, Na, K, Al, Ni, As, In, Fe, and Cu. Statistics were gathered by measuring six material test structure samples from six different liquid phase epitaxy (LPE) HgCdTe double layer heterojunction (DLHJ) wafers. Also included is a comparison between dynamic SIMS and TOF-SIMS capabilities.
机译:在这项研究中,将飞行时间(TOF)二次离子质谱(SIMS)与动态SIMS进行了比较,以确定9种杂质:Li,Na,K,Al,Ni,As,In,Fe的检测限和背景水平和Cu。通过测量来自六个不同液相外延(LPE)HgCdTe双层异质结(DLHJ)晶片的六个材料测试结构样本来收集统计数据。还包括动态SIMS和TOF-SIMS功能之间的比较。

著录项

  • 来源
    《Journal of Electronic Materials》 |2007年第8期|1106-1109|共4页
  • 作者单位

    Raytheon Vision Systems 75 Coromar Drive Goleta CA 93117 USA;

    Evans Analytical Group 810 Kifer Road Sunnyvale CA USA;

    Evans Analytical Group 810 Kifer Road Sunnyvale CA USA;

    Evans Analytical Group 810 Kifer Road Sunnyvale CA USA;

    Evans Analytical Group 810 Kifer Road Sunnyvale CA USA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    SIMS; TOF-SIMS; HgCdTe; impurities; Na; Cu;

    机译:SIMS;TOF-SIMS;HgCdTe;杂质;Na;Cu;

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