縦型SiCエピタキシャル成長装置の開発

佐々木隆史

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縦型SiCエピタキシャル成長装置の開発

机译：垂直SiC外延生长系统的开发

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シリコンパワー半導体に代わる新材料としてSiC材料の実用化が期待されている．SiCパワー半導体作製過程のエピタキシャル成長プロセスでは1600℃近傍の高温環境下で二元系原料を用いるため精密な成膜制御技術を要する．既存装置は，平面的に基板を配置する方式であり，生産性の低いことがSiC普及の障壁となっている．この課題を解決するため，多数の基板を等間隔に積層配列し一括処理する縦型装置の開発に着手．

机译：预计SiC材料将作为替代硅功率半导体的新材料投入实际应用。在SiC功率半导体制造工艺的外延生长工艺中，需要精确的沉积控制技术，因为二元原料用于1600°C附近的高温环境中。现有的设备是在平面上布置衬底的方法，并且低生产率是阻碍SiC扩散的障碍。为了解决这个问题，我们开始开发一种垂直设备，该设备以相等的间隔堆叠多个基板并一次处理所有基板。

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来源
《日本機械学会誌》 |2012年第1122期|p.281|共1页
作者
佐々木隆史;
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作者单位

（株）日立国際電気（〒939-2393　富山市八尾町保内2-1）;

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