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【24h】

Organic light-emitting diodes with hydrogenated In-doped ZnO thin films as transparent conductive electrodes

机译：以氢化掺杂In的ZnO薄膜为透明导电电极的有机发光二极管

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Hydrogenated In-doped ZnO (ZIO:H) films grown at different ratios, R, of hydrogen to argon were deposited at a substrate temperature of 100 ℃ for the organic light-emitting diodes (OLEDs). The OLEDs with the ZIO:H (R = 0.08) anode achieved a maximum luminance efficiency of 3.4 cd/A and a power efficiency of 0.6 lm/W, which are as good as the values of the control device fabricated on a tin-doped indium oxide (ITO) anode. This indicates that the efficiency of the OLEDs is critically affected by the ratio of injected hydrogen gas during the deposition of the ZIO and that the ZIO:H developed herein is promising as an alternative to conventional ITO.
机译：对于有机发光二极管（OLED），在100℃的衬底温度下沉积了以氢与氩的比率R不同的氢化In-掺杂ZnO（ZIO：H）薄膜。具有ZIO：H（R = 0.08）阳极的OLED达到3.4 cd / A的最大亮度效率和0.6 lm / W的功率效率，这与在掺锡的情况下制造的控制装置的值一样好氧化铟（ITO）阳极。这表明OLED的效率在ZIO的沉积期间受注入氢气的比例严重影响，并且本文开发的ZIO：H有望替代常规ITO。

著录项

  • 来源
    《Journal of Materials Research》 |2008年第6期|p.1674-1681|共8页
  • 作者

    Young Ran Park; Young Sung Kim;

  • 作者单位

    Department of Physics, Institute of Basic Science and Center for Nanotubes and Nanocomposites, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Korea;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 工程材料学;
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