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首页> 外文期刊>Journal of Materials Research >Changes in preferred orientation of Pt thin films deposited by dc magnetron sputtering using Ar/O_2 gas mixtures
【24h】

Changes in preferred orientation of Pt thin films deposited by dc magnetron sputtering using Ar/O_2 gas mixtures

机译：使用Ar / O_2气体混合物通过直流磁控溅射沉积的Pt薄膜的优选取向的变化

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(200)-oriented Pt thin films were deposited on SiO_2/Si substrates by dc magnetron sputtering using Ar/O_2 gas mixtures. Oxygen incorporation into Pt films changed deposition rate, resistivity, stress, and preferred orientation of the films. Increase in film resistivity and decrease in tensile stress were presumed to be the results of the incorporated oxygen into grain boundaries, while the change of preferred orientation resulted from the oxygen incorporation into the Pt lattice. The preferential growth of (200) planes with less total strain energy from the incorporated oxygen resulted in strong (200) preferred orientation in Pt films.
机译：通过直流磁控溅射使用Ar / O_2气体混合物将（200）取向的Pt薄膜沉积在SiO_2 / Si衬底上。氧掺入Pt薄膜中会改变沉积速率，电阻率，应力和薄膜的优选取向。推测膜电阻率的增加和拉伸应力的降低是由于氧混入晶界的结果，而优选取向的变化则是由于氧混入了Pt晶格。 （200）平面的优先生长具有较低的总应变能，这是由于引入的氧气导致Pt膜具有较强的（200）优先取向。

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