Grown PPLN with small period: Selective chemical etching and AFM study

Naumova II; Evlanova NF; Dyakov VA; Chernevich TG; Shustin OA

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Grown PPLN with small period: Selective chemical etching and AFM study

机译：小周期生长的PPLN：选择性化学蚀刻和AFM研究

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In Czochralski-grown PPLN crystals, grown along X-axis and along the normal to the {01 (1) over bar2} face we obtain such small period as 2.5-2.8 mu m. AFM Study shows that the different etching regimes are needed for X-, Y- and Z-cuts of PPLN crystals. The etching conditions depend also oil the type of crystal compound.

机译：在切克劳斯基（Czochralski）生长的PPLN晶体中，沿X轴和沿bar2}面的{01（1）的法线生长。 AFM研究表明，PPLN晶体的X，Y和Z切割需要不同的蚀刻方式。蚀刻条件还取决于晶体化合物的类型。

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来源
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》 |2006年第4期|p. 267-271|共5页
作者
Naumova II; Evlanova NF; Dyakov VA; Chernevich TG; Shustin OA;
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作者单位

Moscow MV Lomonosov State Univ, Dept Phys, Moscow 119899, Russia;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工程材料学;
关键词
IMPURITY DISTRIBUTION; SINGLE-CRYSTAL; LOCATION;

机译：杂质分布;单晶;位置;

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