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Influence of Interface Traps on the Electrical Properties of Oxide Thin-Film Transistors with Different Channel Thicknesses

机译：界面陷阱对不同沟道厚度的氧化物薄膜晶体管电性能的影响

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The electrical properties of bottom-gate amorphous InSnZnO (a-ITZO) thin-film transistors (TFTs) with different channel thicknesses (T-ITZO) were investigated. The difference between front-and back-channel interface traps influence on subthreshold swing (S) and turn on voltage (V-on) of a-ITZO TFTs was further analyzed using device simulation. Variations of frontchannel interface traps (N-af) on S and V-on were hardly dependent on T-ITZO. However, variations of S and V-on became larger for thinner T-ITZO TFT when back-channel interface traps (N-abk) varied; which can be explained by considering screening length. Not only N-af but also N-abk are important factors of S and V-on to achieve high performance thinner oxide TFT.
机译：研究了具有不同沟道厚度（T-ITZO）的底栅非晶InSnZnO（a-ITZO）薄膜晶体管（TFT）的电性能。使用器件仿真进一步分析了前通道界面陷阱和后通道界面陷阱之间的差异对亚阈值摆幅（S）和a-ITZO TFT的导通电压（V-on）的影响。 S和V-on上前通道接口陷阱（N-af）的变化几乎不依赖于T-ITZO。但是，当反向通道接口陷阱（N-abk）变化时，对于更薄的T-ITZO TFT，S和V-on的变化会变大。这可以通过考虑筛选长度来解释。 N-af和N-abk都是S和V-on的重要因素，以实现高性能，更薄的氧化物TFT。

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