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机译:用局部真空封装制造硅场致发射器阵列
Venture Business Laboratory, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibargaoka, Tempaku-cho, Toyohashi 441-8580, Japan;
机译:结合硅场致发射体阵列和钛吸气剂的局部微真空封装的制作
机译:含CuO纳米线发射体的真空微二极管阵列的制备和场发射性能,无需催化剂即可直接在玻璃上生长
机译:利用硅局部氧化的亚微米栅孔场发射器阵列的新制造工艺
机译:结合了硅场发射器阵列和钛吸气剂的局部微真空封装的制造
机译:三极管型碳纳米管发射极阵列的制备,场发射特性和理论模拟。
机译:钼场发射极阵列(Mo-FEA)的设计制造和表征
机译:含CuO纳米线发射极的真空微二极管阵列的制备和场发射性能,无需催化剂即可直接在玻璃上生长
机译:用于空间电子应用的场发射器阵列真空微棒的研究