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首页> 外文期刊>Journal of Vacuum Science & Technology >Molecular beam epitaxy approach to the graphitization of GaAs(100) surfaces
【24h】

Molecular beam epitaxy approach to the graphitization of GaAs(100) surfaces

机译：GaAs（100）表面石墨化的分子束外延方法

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摘要

The authors present a method for obtaining graphitized carbon on GaAs(100) surfaces. Carbon-doped GaAs is grown by molecular beam epitaxy before controlled thermal etching within the growth chamber. An AlAs layer beneath the carbon-doped GaAs acts as a thermal etch stop. As the GaAs is etched away, the carbon dopant atoms remain on the surface due to their low vapor pressure. The total number of carbon atoms available is precisely controllable by the doping density and thickness of the carbon-doped GaAs layer. Characteristic phonon modes in Raman spectra from the thermally etched surfaces show that the residual surface carbon atoms form sp~2-bonded graphitic crystallites.
机译：作者提出了一种在GaAs（100）表面上获得石墨化碳的方法。在生长室中进行受控的热蚀刻之前，通过分子束外延生长碳掺杂的GaAs。碳掺杂GaAs下方的AlAs层充当热蚀刻停止层。随着GaAs被蚀刻掉，碳掺杂剂原子由于其低蒸气压而保留在表面上。可用的碳原子总数可由掺杂碳的GaAs层的掺杂密度和厚度精确控制。来自热蚀刻表面的拉曼光谱中的特征声子模式表明，残留的表面碳原子形成了sp〜2键合的石墨微晶。

著录项

  • 来源
    《Journal of Vacuum Science & Technology》 |2011年第3期|p.03C103.1-03C103.5|共5页
  • 作者

    Paul J. Simmonds; John Simon; Jerry M. Woodall; Minjoo Larry Lee;

  • 作者单位

    Department of Electrical Engineering, Yale University, P.O. Box 208284, New Haven,Connecticut 06520-8284;

    Department of Electrical Engineering, Yale University, P.O. Box 208284, New Haven,Connecticut 06520-8284;

    School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, 465 Northwestern Ave., West Lafayette,Indiana 47907-2035;

    Department of Electrical Engineering, Yale University, P.O. Box 208284, New Haven,Connecticut 06520-8284;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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  • 正文语种 eng
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