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【24h】

Heteroepitaxy of GaAs on a modified CaF_2 surface by an extremely low energy electron beam

机译：极低能电子束在修饰的CaF_2表面上GaAs的异质外延

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The effects of the acceleration energy and dose of electrons on the surface modification of CaF_2 for growing heteroepitaxial GaAs on CaF_2(111) were investigated, focusing especially on the use of a lower energy beam. Electron Hall mobility measurements of GaAs films revealed that the acceleration energy and the dose are not independent parameters and that there is a specific value of the product of these two parameters (V_E X D_E) with which good electrical properties of GaAs films are obtained. Transmission electron microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy observations showed that excess exposure of the CaF_2 surface to the electron beam caused an increase in the dislocation density and Ca contamination in the overgrown GaAs films. The low acceleration energy (around 40 eV) is more desirable, because a wide range of electron doses leads to good GaAs films.
机译：研究了加速能量和电子剂量对在CaF_2（111）上生长异质外延GaAs的CaF_2表面改性的影响，尤其着眼于使用较低能束。 GaAs薄膜的电子霍尔迁移率测量表明，加速能量和剂量不是独立的参数，并且这两个参数的乘积（V_E X D_E）有一个特定值，利用该参数可获得GaAs薄膜的良好电性能。透射电子显微镜和能量色散X射线光谱学观察表明，CaF_2表面过度暴露于电子束会导致生长过度的GaAs薄膜中的位错密度和Ca污染增加。低加速能量（约40 eV）是更理想的，因为宽范围的电子剂量可产生良好的GaAs膜。

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