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Performance characterization of gallium nitride HEMT cascode switch for power conditioning applications

机译：用于功率调节应用的氮化镓HEMT共源共栅开关的性能表征

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A hybrid cascoded GaN switch configuration is demonstrated in power conversion applications. A novel metal package is proposed for the packaging of a D-mode GaN MIS-HEMT cascoded with an integrated power MOSFET and a SBD. The normally-off cascode circuit provides a maximum drain current of 14.6 A and a blocking capability of 600 V. Analysis of 200 V/1 A power conversion characteristics are discussed and show the excellent switching performance in load circuits. Switching characteristics of the integral SiC SBD are also demonstrated. Finally, a 48-to-96V boost converter is used to evaluate the benefit of GaN cascode switches. These results show that high-voltage GaN-HEMTs can be switching devices for an ultralow-loss converter circuit.
机译：在功率转换应用中演示了混合级联GaN开关配置。提出了一种新颖的金属封装，用于封装与集成功率MOSFET和SBD级联的D型GaN MIS-HEMT。常关共源共栅电路提供14.6 A的最大漏极电流和600 V的阻断能力。讨论了200 V / 1 A的功率转换特性分析，并显示了负载电路中出色的开关性能。还说明了整体SiC SBD的开关特性。最后，使用48V至96V的升压转换器来评估GaN共源共栅开关的优势。这些结果表明，高压GaN-HEMT可以用作超低损耗转换器电路的开关器件。

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