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Thin nickel silicide layer formation on silicon on insulator material

机译：在绝缘体材料上的硅上形成硅化镍薄层

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In this work we study the phase transition of 14 and 7 nm thin Ni layers grown on standard silicon and silicon on insulator (SOI) wafers implanted with As, We investigate the thermal stability of the NiSi phase using spike thermal processes which are widely used to preserve shallow junction from dopant diffusion during electrical activation. Nickel reaction has been performed in nitrogen ambient in the temperature range from 450 to 1125℃ and has been characterised by electrical and structural analyses. In spite of the thin layers used, spike annealing processes extend the stability window up to 900℃ preserving the NiSi layer from structural degradation. Moreover, the use of SOI substrates has a favourable impact on the silicide structure that prevents agglomeration and hole formation.
机译：在这项工作中，我们研究了在标准硅和注入有As的绝缘体上硅（SOI）晶片上生长的14 nm和7 nm薄Ni层的相变，我们使用了尖峰热工艺研究了NiSi相的热稳定性，该工艺广泛用于在电激活过程中，可保持浅结不受掺杂剂扩散的影响。镍反应已在氮气环境中于450至1125℃的温度范围内进行，并通过电学和结构分析进行了表征。尽管使用了薄层，但尖峰退火工艺将稳定性窗口扩展到了900℃，从而防止了NiSi层的结构退化。而且，SOI衬底的使用对防止结块和孔形成的硅化物结构具有有利的影响。

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