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机译:二维WS_2和GaN异质结构的结构稳定性,可调谐电子和光学性能:第一原理计算
College of Science Jiangsu University of Science and Technology Zhenjiang 212001 China;
First-principles calculations; WS_2/GaN heterostructure; Strain; Quasi-particle band structure; Optical properties;
机译:新型斯坦烯/ ZnO异质结构的可调电子性能和光学性质:第一原理计算
机译:从第一性原理计算得出GaN-MoS2异质结构的电子和光学性质
机译:新二维GaN / Bas van der Waals异质结构的可调电子和光学性能,具有光伏应用的潜力
机译:从第一原理的二维MOS_2,WS_2和MO_(0.5)S_2的电子和光学特性
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:GaTe / C2N异质结构中的应变可调电子性质和能带排列:第一性原理计算
机译:调整气体/ C2N范德瓦尔斯的电子,光学和结构性,用于光伏应用的异质结构:第一原理计算
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应