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一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构

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本发明提供了一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构，属于半导体自旋电子学技术领域。该方法通过制备AlN/GaN异质结构，控制AlN厚度在1‑3nm左右，使AlN同时作为势垒层和隧穿层注入自旋。本发明可以极大的提高向GaN基异质结构中二维电子气中注入自旋的效率，推进GaN基异质结构中二维电子气的自旋性质的研究，得到性质优良的自旋电子学器件。

著录项

公开/公告号CN110429135A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-08

原文格式PDF
申请/专利权人北京大学;
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申请/专利号CN201910628709.9
发明设计人唐宁;沈波;张晓玥;杨流云;管鸿明;刘星辰;王新强;杨学林;许福军;
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申请日2019-07-12
分类号
代理机构北京万象新悦知识产权代理有限公司;
代理人李稚婷
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2024-02-19 15:16:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20190712

实质审查的生效
2019-11-08

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