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A GaAs CLASS AB POWER AMPLIFIER FOR DECT APPLICATIONS

机译：用于直接应用的GaAs CLASS AB功率放大器

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Power amplifier design represents an important issue in modem wireless communications systems: the design objective is to achieve maximum transducer gain. For DECT cordless system with operating frequency 850 - 950 MHz and a center frequency of 900 MHz we design a power amplifier. For the construction part we choose FET transistors: the operating points for each transistor are evaluated to get the desirable gain and output power. After checking the stability of the selected devices, we design the input, output and interstage matching networks. Finally, we produce the PCB circuit and our simulation results show an overall gain higher than 26 dB and losses less than 15 dB. The GaAs MESFET power amplifier achieves 30 dBm output power with 30 dB gain and 70% PAE with 15 dB losses. The designed power amplifier exhibits efficiency significantly higher than conventional power devices.
机译：功率放大器的设计代表了现代无线通信系统中的一个重要问题：设计目标是实现最大的换能器增益。对于工作频率为850-950 MHz，中心频率为900 MHz的DECT无绳系统，我们设计了功率放大器。在结构部分，我们选择FET晶体管：评估每个晶体管的工作点以获得所需的增益和输出功率。在检查了所选设备的稳定性之后，我们设计了输入，输出和级间匹配网络。最后，我们生产了PCB电路，仿真结果表明总增益高于26 dB，损耗低于15 dB。 GaAs MESFET功率放大器以30 dB的增益实现​​30 dBm的输出功率，并以15 dB的损耗实现70％的PAE。设计的功率放大器显示出的效率明显高于传统功率器件。

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