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【24h】

Integration of copper with an organic low-k dielectric in 0.12-μm node interconnect

机译：在0.12-μm节点互连中将铜与有机低k电介质集成

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Today, copper and low-k dielectric are required to reduce interconnect delay and decrease parasitic capacitance. This paper presents the integration of copper with an organic low-k dielectric (k = 2.7) and is focused on the adaptation of the processes required when switching from SiO_2 to this pure organic dielectric. After integration in a dual metal level interconnect for 0.12-μm generation, it is shown that good electrical results are obtained (100% yield for 0.4-μm pitch, via resistance < 1 Ω, capacitance reduction of 40% compared to Cu/SiO_2 structures), but care must be taken when integrating this low-k material due to its low thermo-mechanical property and sensibility to moisture absorption.
机译：如今，需要铜和低k电介质来减少互连延迟并减小寄生电容。本文介绍了铜与有机低k电介质（k = 2.7）的集成，并着重于从SiO_2切换到这种纯有机电介质时所需的工艺适应性。集成到双金属级互连中以生成0.12-μm的材料后，显示出良好的电学效果（0.4μm间距时100％的成品率，通过电阻<1Ω，与Cu / SiO_2结构相比，电容降低40％ ），但由于其低的热机械性能和吸湿敏感性，因此在集成该低k材料时必须小心。

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