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GaAs metamorphic high electron mobility transistors for future deep space-biomedical-millitary and communication system applications: A review

机译：用于未来深空-生物医学-军事和通信系统应用的GaAs变形高电子迁移率晶体管：综述

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Following the introduction of metamorphic high electron mobility transistors (MHEMTs) 30 years back, there has been a rapid growth in their use in advanced MMIC (monolithic microwave integrated circuit) and TMIC (Terahertz monolithic integrated circuit) applications in sub-millimetre wave (S-MMW) and terahertz (THz) frequency regime. Undoubtedly, they are capable of making a great impact in applications such as deep space, cryogenic, biomedical instrumentation, military, high speed communication networks etc, in the years to come. This review article not only studies the progress of depletion mode (D-Mode), enhancement mode (E-Mode) type MHEMTs in the last 30 years, extensively but also critically and systematically analyzes the fabrication challenges, reliability issues and their use in cryogenic fields. Yet another highlight is that the work also carefully examines the utility of MHEMTs in deep space, biomedical, scientific, military, communication areas and so forth.
机译：自30年前推出变质高电子迁移率晶体管（MHEMT）以来，其在亚毫米波（S）的高级MMIC（单片微波集成电路）和TMIC（太赫兹单片集成电路）应用中的使用迅速增长。 -MMW）和太赫兹（THz）频率范围。毫无疑问，它们将在未来几年对诸如深空，低温，生物医学仪器，军事，高速通信网络等应用产生巨大影响。这篇综述文章不仅研究了过去30年中耗尽型（D-Mode），增强型（E-Mode）型MHEMT的进展，而且还批判性地和系统地分析了制造挑战，可靠性问题及其在低温中的应用领域。另一个亮点是，这项工作还仔细研究了MHEMT在深空，生物医学，科学，军事，通讯领域等方面的用途。

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