机译:波长为210纳米的氮化铝发光二极管
NTT Corp, NTT Basic Res Labs, Atsugi, Kanagawa 2430198, Japan;
SI-DOPED ALN; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTORS; CONDUCTION; EMISSION; GROWTH; GAN;
机译:提高210nm深紫外氮化铝发光二极管的发射效率
机译:用于绿色波长发光二极管的立方Zincblende氮化镓
机译:电子溢出对单量子阱Ⅲ-氮化物发光二极管的发射波长和晶体取向的依赖性
机译:使用铝铟氮化物纳米线结构的紫外线发光二极管
机译:高性能长波长C面III-氮化物发光二极管的生长,制造和表征
机译:纳米级V凹坑对GaN基绿色发光二极管的电子和光学特性以及效率下降的影响
机译:高质量的Semipolar GaN / Sapphire模板中生长高效的半极性IngaN长波长发光二极管和蓝色激光二极管的研制