歩留まりの低下もたらす欠陥“暗視野＋明視野”検査で特定

Chung Geun Koh; Dae Jong Kim; Byeong Sam Moon; Seung Ho Pyi; Kerem Kapkin; KeunSu Kim; Jason Saito; Hyosik Suh

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歩留まりの低下もたらす欠陥“暗視野＋明視野”検査で特定

机译：导致产量降低的缺陷通过“暗场+亮场”检查确定

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Siウエーハ上の欠陥は，LSIの歩留まりを低下させる要因となる。特に問題となるのが，LLPD（large light point defect）と呼ぶ大型の輝点欠陥である。従来の暗視野検査では，LLPDを正確に特定した上で分類し，歩留まり向上につなげるのが難しかった。今回，米KLA-Tencor Corp．と韓国Hynix Semiconductor Inc．が，暗視野検査と明視野検査を融合する手法で，この問題に対処できることを実証した。連載の第2回は，その手法の詳細を紹介する。

机译：Si晶片上的缺陷导致LSI的产量下降。一个特殊的问题是称为LLPD的大规模亮点缺陷（大亮点缺陷）。在常规的暗场测试中，很难准确地识别和分类LLPD并提高产量。这次，KLA-Tencor Corp.和韩国海力士半导体公司但是，事实证明，可以通过将暗视场检查与明视场检查相结合的方法来解决该问题。该系列的第二部分将介绍该方法的详细信息。

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来源
《日経マイクロデバイス》 |2007年第264期|67-72|共6页
作者
Chung Geun Koh; Dae Jong Kim; Byeong Sam Moon; Seung Ho Pyi; Kerem Kapkin; KeunSu Kim; Jason Saito; Hyosik Suh;
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作者单位

韓国Hynix Semiconductor Inc., R & D Department, Wafer Engineering Group;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类无线电电子学、电信技术;
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