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首页> 外文期刊>Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. B, Beam Interactions with Materials and Atoms >Displacement damage degradation of ion-induced charge in Si pin photodiode
【24h】

Displacement damage degradation of ion-induced charge in Si pin photodiode

机译：Si引脚光电二极管中离子感应电荷的位移损伤降解

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Photonic devices operating in space must exhibit high-radiation hardness due to prolonged exposure to high-energy radiation fields. The device performance can be influenced by both the transient effect of electron-hole plasma generation due to stopping of high-energy particles, and the accumulated effect of damage introduced by a flux of particles. The complex relationship between the two is an increasingly important area of research. Here we investigate charge collection characteristics of in situ ion beam induced damaged samples by measuring single event transient currents induced by heavy ions. Results from this study suggest that the ion-induced charge degradation can be predicted for any ion species and energy using the concept of non-ionizing energy loss and displacement damage dose.
机译：由于长时间暴露在高能辐射场中，因此在太空中工作的光子器件必须具有高辐射硬度。器件性能会受到由于高能粒子停止而产生的电子空穴等离子体的瞬态效应以及粒子通量引入的累积损伤效应的影响。两者之间的复杂关系是一个日益重要的研究领域。在这里，我们通过测量重离子诱导的单事件瞬态电流来研究原位离子束诱导的受损样品的电荷收集特性。这项研究的结果表明，使用非电离能量损失和位移破坏剂量的概念，可以预测任何离子种类和能量的离子诱导的电荷降解。

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