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Reply to 'Comment on 'Paramagnetic and ferromagnetic resonance studies on dilute magnetic semiconductors based on GaN'' [Phys. Status Solidi A 205, 1872 (2008)]

机译:答复“对基于GaN的稀磁半导体的顺磁共振和铁磁共振研究的评论” [Phys。状态Solidi A 205,1872(2008)

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摘要

In a comment by Gehlhoff et al. on our work on "Paramagnetic and ferromagnetic resonance studies on dilute magnetic semiconductors based on GaN" [Phys. Status Solidi A 205, 1872 (2008)] the authors claim a contradictory explanation ofrnangular dependent magnetic resonance measurements. Here we discuss their - solely based on computer simulations - claims. We show that an interpretation limited on magnetic impurities can hardly be used to explain the complex magnetic behavior.
机译:在Gehlhoff等人的评论中。我们在“基于GaN的稀磁半导体的顺磁共振和强磁共振研究”上的工作。 [Statistics Solidi A 205,1872(2008)]作者提出了与角度相关的磁共振测量的矛盾解释。在这里,我们仅基于计算机模拟来讨论其主张。我们表明,对磁性杂质的限制很难解释复杂的磁性行为。

著录项

  • 来源
    《Physica status solidi》 |2011年第8期|p.1957-1959|共3页
  • 作者单位

    Institut fuer Energie und Umwelttechnik e.V. (IUTA), Luftreinhaltung & Nachhaltige Nanotechnologie Unit, Bliersheimer Strasse 60, 47229 Duisburg, Germany Fakultaet fuer Physik und CeNIDE, Universitaet Duisburg-Essen, 47057 Duisburg, Germany;

    rnFakultaet fuer Physik und CeNIDE, Universitaet Duisburg-Essen, 47057 Duisburg, Germany;

    Angewandte Festkoerperphysik, Ruhr-Universitaet Bochum, Universitaetsstr. 150, NB Building, 44780 Bochum, Germany;

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  • 正文语种 eng
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