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机译:答复“对基于GaN的稀磁半导体的顺磁共振和铁磁共振研究的评论” [Phys。状态Solidi A 205,1872(2008)
Institut fuer Energie und Umwelttechnik e.V. (IUTA), Luftreinhaltung & Nachhaltige Nanotechnologie Unit, Bliersheimer Strasse 60, 47229 Duisburg, Germany Fakultaet fuer Physik und CeNIDE, Universitaet Duisburg-Essen, 47057 Duisburg, Germany;
rnFakultaet fuer Physik und CeNIDE, Universitaet Duisburg-Essen, 47057 Duisburg, Germany;
Angewandte Festkoerperphysik, Ruhr-Universitaet Bochum, Universitaetsstr. 150, NB Building, 44780 Bochum, Germany;
机译:评论“基于GaN的稀磁半导体的顺磁共振和铁磁共振研究”。状态Solidi A 205,1872(2008)
机译:基于GaN的稀磁半导体的顺磁和铁磁共振研究
机译:ZnMnO稀铁磁半导体中的铁磁共振研究
机译:ZnMNO稀铁磁体半导体的铁磁共振研究
机译:固体中的微波磁共振:第一部分。稀释磁性半导体(DMS)中的电子顺磁共振。第二部分磁铁矿球体中的磁维共振。
机译:Li(CdMn)P:具有独立自旋和电荷掺杂的新型基于镉的稀释铁磁半导体
机译:ZnmnO稀铁磁半导体的铁磁共振研究
机译:稀磁合金缺陷的电子顺磁共振研究