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首页> 外文期刊>Physical review >Spin- and valley-polarized transport across line defects in monolayer MoS_2
【24h】

Spin- and valley-polarized transport across line defects in monolayer MoS_2

机译：单层MoS2中跨越线缺陷的自旋和谷极化传输

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摘要

We address the ballistic transmission of charge carriers across ordered line defects in monolayer transition metal dichalcogenides. Our study reveals the presence of a transport gap driven by spin-orbit interactions, spin and valley filtering, both stemming from a simple picture of spin and momentum conservation, as well as the electron-hole asymmetry of charge-carrier transmission. Electronic transport properties of experimentally observed ordered line defects in monolayer MoS_2, in particular, the vacancy lines and inversion domain boundaries, are further investigated using first-principles Green's function methodology. Our calculations demonstrate the possibility of achieving nearly complete spin polarization of charge carriers in nanoelectronic devices based on engineered periodic line defects in monolayer transition metal dichalcogenides, thus suggesting a practical scheme for all-electric control of spin transport.
机译：我们解决了跨单层过渡金属二卤化金属有序线缺陷中载流子的弹道传输。我们的研究揭示了自旋轨道相互作用，自旋和谷值滤波驱动的传输间隙的存在，这两者均源于自旋和动量守恒的简单图片，以及电荷载流子传输的电子-空穴不对称性。使用第一原理格林函数方法进一步研究了单层MoS_2中实验观察到的有序线缺陷（尤其是空位线和反转域边界）的电子传输性质。我们的计算结果表明，基于单层过渡金属二卤化金属化物中的工程化周期线缺陷，纳米电子器件中的载流子几乎可以实现完全自旋极化的可能性，从而提出了一种用于自旋输运的全电控制的实用方案。

著录项

  • 来源
    《Physical review》 |2016年第4期|041419.1-041419.5|共5页
  • 作者

    Artem Pulkin; Oleg V. Yazyev;

  • 作者单位

    Institute of Theoretical Physics, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland;

    Institute of Theoretical Physics, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland;

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