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【24h】

Enhancement of tunneling density of states at a Y junction of spin-1/2 Tomonaga-Luttinger liquid wires

机译：自旋1/2 Tomonaga-Luttinger液体线的Y结处的态隧穿密度的增强

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We calculate the tunneling density of states (TDOS) in a dissipationless three-wire junction of interacting spin-1/2 electrons, and find an anomalous enhancement of the TDOS in the zero-bias limit, even for repulsive interactions for several bosonic fixed points. This enhancement is physically related to the reflection of holes from the junction for incident electrons, and it occurs only in the vicinity of the junction (x ＜ v_(min)/2ω), where v_(min) is the minimum of the velocity of charge or spin excitations and ω is the bias frequency), crossing over to the bulk value, which is always suppressed at larger distances. The TDOS exponent can be directly probed in an STM experiment by measuring the differential tunneling conductance as a function of either the bias voltage or temperature as done in C. Blumenstein et al., Nat. Phys. 7, 776 (2011).
机译：我们计算了相互作用的自旋1/2电子的无耗散三线结中的态隧穿密度（TDOS），发现即使在几个玻色子固定点的排斥性相互作用下，TDOS在零偏置极限内也有异常增强。 。这种增强与入射电子的结点处的空穴反射在物理上相关，并且仅在结点附近（x ＜v_（min）/2ω）发生，其中v_（min）是速度的最小值。电荷或自旋激发，ω是偏置频率），越过体积值，在较大距离处始终被抑制。 TDOS指数可以在STM实验中直接测量，方法是测量差分隧穿电导随偏置电压或温度变化的函数，如C. Blumenstein等人（美国国家科学院，2003年）。物理7，776（2011）。

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