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High-temperature investigation of intradimer diffusion of hydrogen on Si(00l)

机译:氢在Si(00l)上的二聚物内扩散的高温研究

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摘要

The hopping rate for hydrogen diffusion from one to the other Si atom of a dimer on the Si(001) surface was investigated at high temperatures by means of laser-induced thermal heating in combination with scanning tunneling microscopy. A lower limit for the diffusion rate of 1 × 10~9 s~(-1) was determined at 1400 K. This value is more than two orders of magnitude larger than expected from extrapolation of data measured between 470 and 570 K.
机译:在高温下,通过激光诱导的热加热结合扫描隧道显微镜,研究了Si(001)表面上二聚体中一个原子向另一个Si原子的氢扩散跳跃速率。在1400 K下确定了扩散速率的下限1×10〜9 s〜(-1)。此值比在470和570 K之间测得的数据外推所期望的数值大两个数量级。

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