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机译:SiC毗连衬底上石墨烯薄膜的表面形态和表征
Centre de Recherche sur la Matiere Divisee, UMR 6619, Universite d'Orleans-CNRS, 1 bis, rue de la Ferollerie, 45071 Orleans Cedex, France;
Laboratoire de Photonique et Nanostructure-CNRS, Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France;
Laboratoire de Photonique et Nanostructure-CNRS, Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France;
Laboratoire de Photonique et Nanostructure-CNRS, Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France;
Laboratoire de Photonique et Nanostructure-CNRS, Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France;
Centre de Recherche sur la Matiere Divisee, UMR 6619, Universite d'Orleans-CNRS, 1 bis, rue de la Ferollerie, 45071 Orleans Cedex, France;
Centre de Recherche sur la Matiere Divisee, UMR 6619, Universite d'Orleans-CNRS, 1 bis, rue de la Ferollerie, 45071 Orleans Cedex, France;
atomic force microscopy (AFM); photoemission and photoelectron spectra;
机译:生长应力对在相邻C面SiC衬底上生长的N极GaN膜表面形貌的影响
机译:AlN缓冲层对在邻近C面SiC衬底上生长的N极GaN膜的表面形态和结构性能的影响
机译:生长应力对在相邻C面SiC衬底上生长的N极GaN膜表面形貌的影响
机译:倾斜角度对邻近(0001)SiC基板生长的SiC外延膜形态的影响
机译:波动电子基板上石墨烯的薄膜粘附性和形貌
机译:固碳源的石墨烯-石墨碳纳米薄片模板在硅基底上生长六方柱状纳米晶结构的SiC薄膜
机译:P1.8.4使用在3C-SiC薄膜上形成的氢传感器的制造与表征氢传感器
机译:倾角对钴(0001)siC衬底上生长siC外延薄膜形貌的影响