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Electron Paramagnetic Resonance Studies Of Silicon-related Defects In Diamond

机译：金刚石中硅相关缺陷的电子顺磁共振研究

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We report the results of multifrequency electron paramagnetic resonance studies at temperatures between 8 and 300 K on diamonds synthesized by chemical vapor deposition and intentionally silicon doped with isotopes in natural abundance or isotopically enriched. The ~(29)Si hyperfine structure has provided definitive evidence for the involvement of silicon in two electron paramagnetic resonance centers in diamond that were previously suspected to involve silicon: KUL1 and KUL3. We present data that unambiguously identify KUL1 as an 5= 1 neutral silicon split-vacancy (D_(3d) symmetry) defect (V-Si-V)~0, while KUL3 is shown to be (V-Si-V)~0 decorated with a hydrogen atom, (V-Si-V:H)~0.
机译：我们报告了在8到300 K之间的温度下对化学气相沉积合成的金刚石进行的多频电子顺磁共振研究的结果，这些金刚石有意地掺杂有自然丰度或同位素富集的同位素。 〜（29）Si超细结构为硅参与了钻石的两个电子顺磁共振中心提供了确凿的证据，这些中心先前被怀疑与硅有关：KUL1和KUL3。我们提供的数据明确地将KUL1识​​别为5 = 1的中性硅裂隙（D_（3d）对称性）缺陷（V-Si-V）〜0，而KUL3被证明是（V-Si-V）〜0装饰有氢原子（V-Si-V：H）〜0。

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