...
机译:再谈C_(60)外延膜生长的建模
Institut für Physik Johannes Gutenberg-Universität Mainz Staudingerweg 7-9 55128 Mainz Germany;
机译:C-60的外延膜生长建模重新审视
机译:Bi(0001)/ Si(111)表面上C_(60)薄膜的外延生长
机译:以C_(60)为碳前驱体的碳化钨薄膜的外延生长
机译:掺杂镁对外延生长Mg掺杂C_(60)薄膜结构,光学和电性能的影响
机译:用于碳化硅外延膜生长的卤化物化学气相沉积的建模和设计
机译:固态衬底上高度稳定的整体式UiO-66-NH2 MOF薄膜的液相准外延生长
机译:SiC外延石墨烯上C_(60)的结构和电子解耦
机译:外延YBa2Cu3O(7-x)薄膜:扫描隧道显微镜研究外延生长的初始阶段,生长机制和衬底温度的影响。