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【24h】

Graphene Field-Effect Transistors Based on Boron–Nitride Dielectrics

机译：基于氮化硼介电体的石墨烯场效应晶体管

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Two-dimensional atomic sheets of graphene represent a new class of nanoscale materials with potential applications in electronics. However, exploiting the intrinsic characteristics of graphene devices has been problematic due to impurities and disorder in the surrounding dielectric and graphene/dielectric interfaces. Recent advancements in fabricating graphene heterostructures by alternately layering graphene with crystalline hexagonal boron nitride (hBN), its insulating isomorph, have led to an order of magnitude improvement in graphene device quality. Here, recent developments in graphene devices utilizing boron–nitride dielectrics are reviewed. Field-effect transistor (FET) characteristics of these systems at high bias are examined. Additionally, existing challenges in material synthesis and fabrication and the potential of graphene/BN heterostructures for novel electronic applications are discussed.
机译：二维石墨烯原子片代表了一类新的纳米级材料，在电子领域具有潜在的应用。然而，由于周围电介质和石墨烯/电介质界面中的杂质和无序，利用石墨烯器件的固有特性一直存在问题。通过将石墨烯与结晶的六方氮化硼（hBN）（其绝缘同晶晶）交替层叠来制造石墨烯异质结构的最新进展已导致石墨烯器件质量提高了一个数量级。在此，对利用氮化硼电介质的石墨烯器件的最新进展进行了综述。研究了这些系统在高偏置下的场效应晶体管（FET）特性。此外，还讨论了材料合成和制造中的现有挑战以及石墨烯/ BN异质结构在新型电子应用中的潜力。

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