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2010 IEEE International Electron Devices Meeting
2010 IEEE International Electron Devices Meeting
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1.
Thruchip interface (TCI) for 3D integration of low-power system
机译:
Thruchip接口(TCI),用于低功耗系统的3D集成
作者:
Kuroda Tadahiro
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
2.
Thermal-aware design of 3D ICs with inter-tier liquid cooling
机译:
具有层间液体冷却的3D IC的热感知设计
作者:
Atienza David
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
3.
Device and circuit interactive design and optimization beyond the conventional scaling era
机译:
超越传统缩放时代的设备和电路交互设计与优化
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
4.
May the fourth (terminal) be with you - circuit design beyond FinFET
机译:
愿第四个(端子)与您同在-FinFET以外的电路设计
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
5.
Intrinsic variability in nano-CMOS design and beyond
机译:
纳米CMOS设计及其他方面的内在变化
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
6.
Low-power circuit challenges in cellular/molecular interfaces
机译:
蜂窝/分子接口中的低功率电路挑战
作者:
Yoon Euisik
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
7.
Copyright page
机译:
版权页
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
8.
Welcome from the general chair
机译:
董事长致辞
作者:
Meikei Ieong
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
9.
Award presentations plenary session award
机译:
颁奖典礼全体会议奖
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
10.
High performance transparent photosensor array utilizing triple oxide semiconductor (HIZO-IZO-HIZO) thin film transistor
机译:
利用三氧化物半导体(HIZO-IZO-HIZO)薄膜晶体管的高性能透明光电传感器阵列
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
11.
Realizing super-steep subthreshold slope with conventional FDSOI CMOS at low-bias voltages
机译:
在低偏置电压下使用常规FDSOI CMOS实现超陡峭的亚阈值斜率
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
12.
RF performance of short channel graphene field-effect transistor
机译:
短沟道石墨烯场效应晶体管的射频性能
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
13.
Enabling 3X nm DRAM: Record low leakage 0.4 nm EOT MIM capacitors with novel stack engineering
机译:
启用3X nm DRAM:采用新颖的堆叠工程技术来记录低泄漏0.4 nm EOT MIM电容器
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
14.
Energy efficiency enabled by power electronics
机译:
电力电子技术提高能源效率
作者:
Mittal Arunjai
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
15.
From the future Si technology perspective: Challenges and opportunities
机译:
从未来硅技术的角度来看:挑战与机遇
作者:
Kinam Kim
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
16.
A leading-edge 0.9µm pixel CMOS image sensor technology with backside illumination: Future challenges for pixel scaling
机译:
带有背面照明的领先的0.9µm像素CMOS图像传感器技术:像素缩放的未来挑战
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
17.
A 3×3, 5µm pitch, 3-transistor single photon avalanche diode array with integrated 11V bias generation in 90nm CMOS technology
机译:
一个3×3、5μm间距,3晶体管的单光子雪崩二极管阵列,采用90nm CMOS技术集成了11V偏置电压
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
18.
A miniature actively recharged single-photon detector free of afterpulsing effects with 6ns dead time in a 0.18µm CMOS technology
机译:
微型有源充电单光子检测器,采用0.18µm CMOS技术,具有6ns的死区时间,无后脉冲效应
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
19.
A low dark current and high quantum efficiency monolithic germanium-on-silicon CMOS imager technology for day and night imaging applications
机译:
一种低暗电流和高量子效率的单片硅锗锗CMOS成像器技术,适用于日夜成像应用
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
20.
A predictive contact reliability model for MEM logic switches
机译:
MEM逻辑开关的预测接触可靠性模型
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
21.
A 0.039um2 high performance eDRAM cell based on 32nm High-K/Metal SOI technology
机译:
基于32nm High-K / Metal SOI技术的0.039um 2 sup>高性能eDRAM单元
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
22.
High-performance monolithically-integrated E/D mode InAlN/AlN/GaN HEMTs for mixed-signal applications
机译:
用于混合信号应用的高性能单片集成E / D模式InAlN / AlN / GaN HEMT
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
23.
50-nm E-mode In
0.7
Ga
0.3
As PHEMTs on 100-mm InP substrate with f
max
> 1 THz
机译:
在100mm InP衬底上以f
max inf 1 THz的50nm E型In
0.7 inf> Ga
0.3 inf> As PHEMT
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
24.
Above-CMOS a-Si and CIGS solar cells for powering autonomous microsystems
机译:
上方CMOS a-Si和CIGS太阳能电池,用于为自主微系统供电
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
25.
A CMOS-compatible piezoelectric vibration energy scavenger based on the integration of bulk PZT films on silicon
机译:
基于硅上块状PZT薄膜集成的CMOS兼容压电振动能量清除剂
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
26.
A novel cylinder-type MIM capacitor in porous low-k film (CAPL) for embedded DRAM with advanced CMOS logics
机译:
一种新颖的圆柱型MIM电容器,用于多孔低k膜(CAPL),用于具有先进CMOS逻辑的嵌入式DRAM
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
27.
A low operating power FinFET transistor module featuring scaled gate stack and strain engineering for 32/28nm SoC technology
机译:
低功耗FinFET晶体管模块,具有用于32 / 28nm SoC技术的按比例缩放的栅叠和应变设计
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
28.
A comprehensive breakdown model describing temperature dependent activation energy of low-к/extreme low-к dielectric TDDB
机译:
描述低κ/极限低κ电介质TDDB的温度相关活化能的综合击穿模型
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
29.
A quantitative inquisition into ESD sensitivity to strain in nanoscale CMOS protection devices
机译:
纳米级CMOS保护器件中ESD应变敏感性的定量调查
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
30.
A novel smart nanowire biosensor with hybrid sensor/memory/CMOS technology
机译:
一种具有混合传感器/内存/ CMOS技术的新型智能纳米线生物传感器
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
31.
Design and fabrication of a biomedical Lab-on-Chip system for SNP detection in DNA
机译:
用于DNA中SNP检测的生物医学芯片实验室系统的设计和制造
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
32.
A fast and low actuation voltage MEMS switch for mm-wave and its integration
机译:
用于毫米波的快速,低驱动电压MEMS开关及其集成
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
33.
A new charge-trap-engineered memory device with Silicon-Oxide-Nitride-Vacuum-Silicon (SONVAS) structure for LTPS-TFT-based applications
机译:
一种新的电荷陷阱工程存储设备,具有基于LTPS-TFT的应用的氮化硅-氮化硅-真空硅(SONVAS)结构
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
34.
Reliability and structural design of a wafer-level 3D integration scheme with W TSVs based on Cu-oxide hybrid wafer bonding
机译:
基于铜氧化物混合晶圆键合的W TSV晶圆级3D集成方案的可靠性和结构设计
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
35.
Planar Fully depleted SOI technology: A powerful architecture for the 20nm node and beyond
机译:
平面完全耗尽的SOI技术:适用于20nm节点及以后的强大架构
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
36.
A highly manufacturable integration technology for 27nm 2 and 3bit/cell NAND flash memory
机译:
用于27nm 2和3bit /单元NAND闪存的高度可制造的集成技术
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
37.
A novel BE-SONOS NAND Flash using non-cut trapping layer with superb reliability
机译:
采用非切割陷印层的新型BE-SONOS NAND闪存具有出色的可靠性
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
38.
Self-aligned III-V MOSFETs heterointegrated on a 200 mm Si substrate using an industry standard process flow
机译:
使用行业标准工艺流程将自对准III-V MOSFET异质集成在200 mm Si衬底上
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
39.
Development of high-k dielectric for antimonides and a sub 350°C III–V pMOSFET outperforming Germanium
机译:
开发用于锑化物的高k电介质和优于锗的低于350°C的III–V pMOSFET
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
40.
A surface-potential based model for GaN HEMTs in RF power amplifier applications
机译:
射频功率放大器应用中GaN HEMT的基于表面电势的模型
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
41.
CxFET: A novel steep subthreshold swing CMOS featuring a tunnel-injection bipolar transistor and MOSFET device complex
机译:
CxFET:一种新颖的陡峭亚阈值摆幅CMOS,具有隧道注入双极晶体管和MOSFET器件组合
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
42.
A phase-change via-reconfigurable on-chip inductor
机译:
相变过孔可重配置片上电感器
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
43.
Implant-Free SiGe Quantum Well pFET: A novel, highly scalable and low thermal budget device, featuring raised source/drain and high-mobility channel
机译:
无植入SiGe量子阱pFET:一种新颖的,高度可扩展的,低热预算的器件,具有提高的源/漏和高迁移率通道
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
44.
A solution for an ideal planar multi-gates process for ultimate CMOS?
机译:
一个针对最终CMOS的理想平面多栅极工艺的解决方案?
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
45.
A novel multi deposition multi room-temperature annealing technique via Ultraviolet-Ozone to improve high-K/metal (HfZrO/TiN) gate stack integrity for a gate-last process
机译:
通过紫外臭氧的新型多层沉积多室温退火技术,可改善后栅极工艺的高K /金属(HfZrO / TiN)栅堆叠的完整性
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
46.
A novel low-voltage biasing scheme for double gate FBC achieving 5s retention and 1016 endurance at 85°C
机译:
一种新颖的双栅极FBC低压偏置方案,在85°C时保持5s保持力和10 16 sup>耐久性
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
47.
9nm half-pitch functional resistive memory cell with <1µA programming current using thermally oxidized sub-stoichiometric WO
x
film
机译:
采用热氧化的亚化学计量WO
x inf>膜,具有<1µA编程电流的9nm半螺距功能电阻存储单元
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
48.
A forming-free WO
x
resistive memory using a novel self-aligned field enhancement feature with excellent reliability and scalability
机译:
采用新颖的自对准场增强功能的免成型WO
x inf>电阻存储器,具有出色的可靠性和可扩展性
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
49.
A comprehensive reliability investigation of the voltage-, temperature- and device geometry-dependence of the gate degradation on state-of-the-art GaN-on-Si HEMTs
机译:
全面研究了栅极退化对电压,温度和器件几何形状的依赖关系,以及最新的GaN-on-Si HEMT
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
50.
Modeling the switching dynamics of programmable-metallization-cell (PMC) memory and its application as synapse device for a neuromorphic computation system
机译:
可编程金属化单元(PMC)存储器的开关动力学建模及其在神经形态计算系统中作为突触设备的应用
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
51.
A model for the RESET operation of electrochemical conducting bridge resistive memory (CB-ReRAM)
机译:
电化学导电桥电阻存储器(CB-ReRAM)RESET操作的模型
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
52.
A novel floating body cell memory with a laterally engineered bandgap using a Si-Si:C heterostructure
机译:
一种新型的浮体细胞存储器,具有利用Si-Si:C异质结构进行横向工程化的带隙
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
53.
Bionano science and technology for innovative medicine
机译:
百纳诺创新医学科技
作者:
Lee Luke P.
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
关键词:
NASBA;
Nanoprobes;
ONCOS;
biophotonics;
cell culture chip;
microfluidics;
molecular diagnostics;
molecular optogenetics;
nanoplasmonics;
nanoscope;
personalized medicine;
quantitative biology;
spectroscopic imaging;
54.
Advanced power devices for many-core processor power supplies
机译:
用于多核处理器电源的高级电源设备
作者:
Briere Michael A.
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
55.
Efficiency enhancement and polarization detection capability of photodiode by accumulating local electric field on the metal electrodes
机译:
通过在金属电极上累积局部电场来提高光电二极管的效率和极化检测能力
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
56.
TCAD: Present state and future challenges
机译:
TCAD:现状和未来挑战
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
57.
Electrical modulation of ion concentration in dual-gated nanochannels
机译:
双门控纳米通道中离子浓度的电调制
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
58.
3D device simulation of work function and interface trap fluctuations on high-κ / metal gate devices
机译:
高κ/金属栅器件上功函数和界面陷阱波动的3D设备模拟
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
59.
Analysis of pocket profile deactivation and its impact on Vth variation for Laser annealed device using an atomistic kinetic Monte Carlo approach
机译:
原子动力学蒙特卡洛方法分析激光退火设备的腔轮廓失活及其对Vth变化的影响
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
60.
Prospect of tunneling green transistor for 0.1V CMOS
机译:
0.1V CMOS隧道绿色晶体管的前景
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
61.
Ge MOSFETs performance: Impact of Ge interface passivation
机译:
Ge MOSFET的性能:Ge界面钝化的影响
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
62.
Higher κ metal-gate/high-κ/Ge n-MOSFETs with <1 nm EOT using laser annealing
机译:
EOT <1 nm的高κ金属栅/高κ/ Ge n-MOSFET通过激光退火
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
63.
Prospects for MEM logic switch technology
机译:
MEM逻辑开关技术的前景
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
64.
Context dependent effects on LF (1/f) noise in advanced CMOS devices
机译:
上下文依赖的高级CMOS器件中的LF(1 / f)噪声影响
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
65.
Random telegraph noise in 45-nm CMOS: Analysis using an on-chip test and measurement system
机译:
45纳米CMOS中的随机电报噪声:使用片上测试和测量系统进行分析
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
66.
Statistical characterization of trap position, energy, amplitude and time constants by RTN measurement of multiple individual traps
机译:
通过多个单个阱的RTN测量对阱位置,能量,幅度和时间常数进行统计表征
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
67.
Electron trapping effect on the switching behavior of contact RRAM devices through random telegraph noise analysis
机译:
通过随机电报噪声分析,电子俘获对接触式RRAM器件开关行为的影响
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
68.
Voltage polarity effects in GST-based phase change memory: Physical origins and implications
机译:
基于GST的相变存储器中的电压极性影响:物理起源和含意
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2010年
69.
GaAs: Gap state passivation at interfaces and surfaces
机译:
GaAs:界面和表面的间隙状态钝化
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
70.
Experimental demonstration of aperiodic patterns of directed self-assembly by block copolymer lithography for random logic circuit layout
机译:
嵌段共聚物光刻用于定向逻辑电路布局的定向自组装非周期性图案的实验演示
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
71.
Ultra-high density carbon nanotubes on Al-Cu for advanced vias
机译:
Al-Cu上的超高密度碳纳米管,用于先进的通孔
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
72.
Advanced flip-chip package production solution for 40nm/28nm technology nodes
机译:
适用于40nm / 28nm技术节点的先进倒装芯片封装生产解决方案
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
73.
Understanding of short-channel mobility in tri-gate nanowire MOSFETs and enhanced stress memorization technique for performance improvement
机译:
了解三栅极纳米线MOSFET中的短沟道迁移率以及增强的应力记忆技术以提高性能
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
74.
High density 3D integration using CMOS foundry technologies for 28 nm node and beyond
机译:
使用CMOS铸造技术的28纳米及更高节点的高密度3D集成
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
75.
Anomalous electron mobility in extremely-thin SOI (ETSOI) diffusion layers with SOI thickness of less than 10 nm and high doping concentration of greater than 1×1018cm−3
机译:
SOI厚度小于10 nm且高掺杂浓度大于1×10 18 sup> cm -3 sup>的极薄SOI(ETSOI)扩散层中的异常电子迁移率
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
76.
PBTI mechanisms in La containing Hf-based oxides assessed by very Fast IV measurements
机译:
通过快速IV测量评估含La的基于Hf的氧化物中的PBTI机制
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
77.
Ultimate scalability of TaN metal floating gate with incorporation of high-K blocking dielectrics for Flash memory applications
机译:
TaN金属浮栅的最终可扩展性,并结合了用于闪存应用的高K阻挡电介质
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
78.
Non-planar, multi-gate InGaAs quantum well field effect transistors with high-K gate dielectric and ultra-scaled gate-to-drain/gate-to-source separation for low power logic applications
机译:
非平面,多栅极InGaAs量子阱场效应晶体管,具有高K栅极电介质和超规模的栅-漏/栅-源隔离,适用于低功耗逻辑应用
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
79.
Band-engineered Ge-on-Si lasers
机译:
波段设计的Ge-on-Si激光器
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
80.
Beating the Nernst limit of 59mV/pH with double-gated nano-scale field-effect transistors and its applications to ultra-sensitive DNA biosensors
机译:
双重门控纳米级场效应晶体管突破了Nernst的极限59mV / pH及其在超灵敏DNA生物传感器中的应用
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
81.
Novel stress-memorization-technology (SMT) for high electron mobility enhancement of gate last high-k/metal gate devices
机译:
新型应力记忆技术(SMT),用于提高后栅极高k /金属栅极器件的高电子迁移率
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
82.
High performance germanium n-MOSFET with antimony dopant activation beyond 1×1020 cm−3
机译:
高性能锗n-MOSFET,锑掺杂激活超过1×10 20 sup> cm -3 sup>
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
83.
Diamond-like carbon (DLC) liner with highly compressive stress formed on AlGaN/GaN MOS-HEMTs with in situ silane surface passivation for performance enhancement
机译:
具有高压缩应力的类金刚石碳(DLC)衬里形成在具有原位硅烷表面钝化作用的AlGaN / GaN MOS-HEMT上以增强性能
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
84.
Memory technology trend and future challenges
机译:
内存技术趋势和未来挑战
作者:
Hong Sungjoo
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
85.
AlGaN/GaN transistors for power electronics
机译:
电力电子用AlGaN / GaN晶体管
作者:
Mishra Umesh K.
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
关键词:
AlGaN/GaN;
CAVET;
HEMT;
power electronics;
86.
Metal oxide RRAM switching mechanism based on conductive filament microscopic properties
机译:
基于导电丝微观特性的金属氧化物RRAM切换机制
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
87.
State-of-the-art device in high voltage power ICs with lowest on-state resistance
机译:
具有最低导通电阻的高压功率IC中的最新设备
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
88.
High performance single-grain Ge TFTs without seed substrate
机译:
高性能无籽晶锗单晶TFT
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
89.
Graphene-based fast electronics and optoelectronics
机译:
基于石墨烯的快速电子学和光电子学
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
90.
Understanding the contact characteristics in single or multi-layer graphene devices: The impact of defects (carbon vacancies) and the asymmetric transportation behavior
机译:
了解单层或多层石墨烯设备中的接触特性:缺陷(碳空位)的影响和不对称的传输行为
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
91.
RF performance of pre-patterned locally-embedded-back-gate graphene device
机译:
预图案化的局部嵌入背栅石墨烯器件的射频性能
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
92.
Reliable single atom doping and discrete dopant effects on transistor performance
机译:
可靠的单原子掺杂和离散掺杂对晶体管性能的影响
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
93.
RF CMOS technology scaling in High-k/metal gate era for RF SoC (system-on-chip) applications
机译:
高k /金属门时代的RF CMOS技术可扩展用于RF SoC(片上系统)应用
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
94.
Theory of workfunction control of silicides by doping for future Si-nano-devices based on fundamental physics of why silicides exist in nature
机译:
基于自然界中为何存在硅化物的基本物理原理,通过掺杂未来的硅纳米器件来控制硅化物的功函数的理论
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
95.
Performance benchmarks for Si, III–V, TFET, and carbon nanotube FET - re-thinking the technology assessment methodology for complementary logic applications
机译:
Si,III–V,TFET和碳纳米管FET的性能基准-重新考虑互补逻辑应用的技术评估方法
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
96.
Hysteretic drain-current behavior due to random telegraph noise in Scaled-down FETs with high-κ/metal-gate stacks
机译:
在具有高κ/金属栅堆叠的按比例缩小的FET中,由于随机电报噪声导致的磁滞漏电流行为
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
97.
Three-dimensional 4F2 ReRAM cell with CMOS logic compatible process
机译:
具有CMOS逻辑兼容工艺的三维4F 2 sup> ReRAM单元
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
98.
220GHz f
T
and 400GHz f
max
in 40-nm GaN DH-HEMTs with re-grown ohmic
机译:
在重新生长欧姆的40-nm GaN DH-HEMT中,220GHz f
T inf>和400GHz f
max inf>
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
99.
Advanced gate technologies for state-of-the-art f
T
in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
用于AlGaN / GaN HEMT中最先进的f
T inf>的先进栅极技术
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
100.
60 nm self-aligned-gate InGaAs HEMTs with record high-frequency characteristics
机译:
具有记录的高频特性的60 nm自对准栅InGaAs HEMT
会议名称:
《2010 IEEE International Electron Devices Meeting》
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2010年
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