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Application of Monte Carlo Modelling in the Measurement of Photomask Linewidths at the National Physical Laboratory

机译：蒙特卡洛模型在国家物理实验室光掩模线宽测量中的应用

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摘要

A scanning electron microscope (SEM) fitted with a helium-neon laser interferometer is used to measure the widths of features on photomasks. In this way the magnification of the SEM can be known very precisely. Algorithms which use the backscattered electron (BSE) signal, yielding good measurement repeatability, have been developed, but in order to be able to relate measurements made on the image to the physical dimensions of the artefact, it has been necessary to model the image formation process. The modelled predicted offsets to be applied to the experimental measurements are governed largely by the angle of the sloping sides of the chromium edges of photomask lines; knowing this angle, it is possible to use a simple geometric relation to calculate what offset should be applied.
机译：装有氦氖激光干涉仪的扫描电子显微镜（SEM）用于测量光掩模上的特征宽度。这样，可以非常精确地知道SEM的放大倍数。已经开发出使用背散射电子（BSE）信号产生良好测量重复性的算法，但是为了能够将图像上的测量值与伪像的物理尺寸相关联，必须对图像形成进行建模处理。应用于实验测量的模型化预测偏移量在很大程度上取决于光掩模线的铬边缘的倾斜侧面的角度。知道该角度后，可以使用简单的几何关系来计算应应用的偏移量。

著录项

  • 来源
    《Scanning》 |1995年第5期|p.296-301|共6页
  • 作者

    JOHN W. NUNN;

  • 作者单位

    Micrometrology Section Mechanical and Optical Metrology National Physical Laboratory Teddington, Middlesex England, UK;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《化学文摘》(CA);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 光学仪器;
  • 关键词

    linewidth; measurement; monte carlo; photomask;

    机译：线宽;测量;蒙特卡洛;光掩模;

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