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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >A Variation-Tolerant Sub-200 mV 6-T Subthreshold SRAM
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A Variation-Tolerant Sub-200 mV 6-T Subthreshold SRAM

机译：耐变化的Sub-200 mV 6-T亚阈值SRAM

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In this paper, we present a deep subthreshold 6-T SRAM, which was fabricated in an industrial 0.13 mum CMOS technology. We first use detailed simulations to explore the challenges of ultra-low-voltage memory design with a specific emphasis on the implications of variability. We then propose a single-ended 6-T SRAM design with a gated-feedback write-assist that remains robust deep in the subthreshold regime. Measurements of a test chip show that the proposed memory architecture functions from 1.2 V down to 193 mV and provides a 36% improvement in energy consumption over the previously proposed multiplexer-based subthreshold SRAM designs while using only half the area. Adjustable footers and headers are introduced, as well as body bias techniques to extend voltage scaling limits.
机译：在本文中，我们介绍了采用工业0.13微米CMOS技术制造的深亚阈值6-T SRAM。我们首先使用详细的仿真来探索超低压存储器设计的挑战，并特别强调可变性的含义。然后，我们提出一种具有门控反馈写辅助功能的单端6-T SRAM设计，该设计在亚阈值范围内仍保持强大的性能。测试芯片的测量结果表明，与先前提出的基于多路复用器的亚阈值SRAM设计相比，所提议的存储器架构可在1.2 V至193 mV的范围内运行，并在能耗方面提高了36％，而仅使用了一半的面积。引入了可调节的页脚和页眉，以及本体偏置技术以扩展电压缩放限制。

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