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机译:用于模拟电路仿真的部分耗尽SOI MOSFET的基于物理的紧凑模型
CMOS analogue integrated circuits; MOS analogue integrated circuits; MOSFET; capacitance; circuit simulation; convergence; equivalent circuits; high field effects; semiconductor device models; silicon-on-insulator; thermal analysis; DIBL; SPICE3f5; STAG compact model;
机译:Psp-soi:用于电路仿真的部分耗尽的Soi Mosfets基于高级表面势的紧凑模型
机译:0.25μm全耗尽SOI MOSFET,用于RF混合模拟数字电路,包括与部分耗尽器件的高频噪声参数相关的比较
机译:使用兼容SPICE的物理子电路模型仿真部分和接近完全耗尽的SOI MOSFET器件和电路
机译:利用HiSIM-HV紧凑模型对带有子电路的部分耗尽SOI DEMOSFET进行建模
机译:部分耗尽的SOI CMOS中的辐射硬化模拟电路。
机译:具有超导电路的广义Dicke模型的数模量子模拟
机译:用于模拟电路仿真的基于物理的部分耗尽sOI mOsFET的紧凑模型
机译:非均质土壤中溶质运移的模拟。第1卷。基于物理和系统建模方法的联合应用