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【24h】

Yield and matching implications for static RAM memory array sense-amplifier design

机译:静态RAM存储器阵列读出放大器设计的良率和匹配含义

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摘要

The effects of MOS transistor mismatch upon sense-amplifier yield in synchronous static RAM memories is investigated. The matching characteristics of the two transistor layout styles are compared, a general formula is derived for calculating the statistical likelihood of the sense amplifier failing to read correct data given transistor size and input differential voltage, recommendations are made for optimizing size/speed/reliability trade-offs.
机译:研究了同步静态RAM存储器中MOS晶体管失配对读出放大器良率的影响。比较了两种晶体管布局样式的匹配特性,推导了一个通用公式来计算感测放大器在给定的晶体管尺寸和输入差分电压的情况下未能读取正确数据的统计可能性,并提出了优化尺寸/速度/可靠性的建议。客。

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