Cosmic-ray soft error rate characterization of a standard 0.6-ΜmCMOS process

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• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |2000年第10期|p.1422-1429|共8页
• 作者

  Hazucha P.; Svensson C.; Wender S.A.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  CMOS digital integrated circuits; avionics; cosmic ray interactions; integrated circuit noise; integrated circuit reliability; neutron effects; 0.6 micron; CMOS process; SER dependence; aircraft flight altitudes; cosmic-ray soft error rate; critical charge; device s;

  机译：CMOS数字集成电路;航空电子;宇宙射线相互作用;集成电路噪声;集成电路可靠性;中子效应;0.6微米;CMOS工艺;SER依赖性;飞机飞行高度;宇宙射线软错误率;临界电荷;器件;