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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >A 1-Mb 2-Tr/b nonvolatile CAM based on flash memory technologies
【24h】

A 1-Mb 2-Tr/b nonvolatile CAM based on flash memory technologies

机译：基于闪存技术的1-Mb 2-Tr / b非易失性CAM

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This paper describes the circuit technologies and the experimental results for a 1 Mb flash CAM, a content addressable memory LSI based on flash memory technologies. Each memory cell in the flash CAM consists of a pair of flash memory cell transistors. Additionally, four new circuit technologies have been developed: a small-size search sense amplifier; a highly parallel search management circuit; a high-speed priority encoder; and word line/bit line redundancy circuits for higher production yields. A cell size of 10.34 /spl mu/m/sup 2/ and a die size of 42.9 mm/sup 2/ have been achieved with 0.8 /spl mu/m design rules. Read access time and search access time are 115 ns and 135 ns, respectively, with a 5 V supply voltage. Power dissipation in 3.3 MHz operations is 210 mW in read and 140 mW in search access.
机译：本文介绍了1 Mb闪存CAM的电路技术和实验结果，这是一种基于闪存技术的内容可寻址存储器LSI。闪存CAM中的每个存储单元均由一对闪存单元晶体管组成。此外，还开发了四种新的电路技术：小型搜索感测放大器；高度并行的搜索管理电路；高速优先编码器；字线/位线冗余电路可提高产量。使用0.8 / spl mu / m的设计规则已实现了10.34 / spl mu / m / sup 2 /的单元尺寸和42.9 mm / sup 2 /的芯片尺寸。电源电压为5 V时，读取访问时间和搜索访问时间分别为115 ns和135 ns。 3.3 MHz操作中的功耗在读取时为210 mW，在搜索访问中为140 mW。

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