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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >An 800-MHz monolithic GaAs HBT serrodyne modulator
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An 800-MHz monolithic GaAs HBT serrodyne modulator

机译：800 MHz单片GaAs HBT Serrodyne调制器

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An 800-MHz monolithic mixed-signal serrodyne modulator IC has been developed in a GaAs/AlGaAs HBT HI/sub 2/L process optimized for digital applications. This 3/spl times/2.8 mm, 2000+ transistor chip consists of a 7-b phase accumulator driving a vector modulator, implemented as a pair of balanced mixers, 5-b switched attenuators, buffer amplifiers, and central circuits. The balanced mixer's LO leakage and 3-1 products are typically 25 dB below the carrier at the nominal operating point, with all other products better than -50 dBc. Over a 32-dB control range, the 5-b switched attenuator typically achieves worst-case amplitude and phase errors of 1.5 dB and 1.5/spl deg/, respectively, from 50-250 MHz. DC-level variations versus attenuator-state limit the spurious response of an 800-MHz Composite DDS based on this serrodyne modulator to -20 dBc. Post-fabrication modeling indicates that a 5/spl deg/C thermal gradient across the IC may be responsible for this undesired dc-level variation. This first generation chip consumes 2.5 W of dc power and clocks to speeds in excess of 925 MHz.
机译：在针对数字应用进行了优化的GaAs / AlGaAs HBT HI / sub 2 / L工艺中，开发了800 MHz单片混合信号Serrodyne调制器IC。该3 / spl times / 2.8 mm，2000 +的晶体管芯片由驱动矢量调制器的7位相位累加器组成，实现为一对平衡混频器，5位开关衰减器，缓冲放大器和中央电路。平衡混频器的LO泄漏和3-1乘积在标称工作点通常比载波低25 dB，所有其他乘积均优于-50 dBc。在32 dB的控制范围内，5-b开关衰减器通常在50-250 MHz范围内分别达到1.5 dB和1.5 / spl deg /的最差幅度和相位误差。 DC电平变化与衰减器状态的关系将基于该Serrodyne调制器的800 MHz复合DDS的寄生响应限制为-20 dBc。制造后建模表明，IC上5 / spl deg / C的热梯度可能是造成这种不良直流电平变化的原因。该第一代芯片消耗2.5 W的直流电源，并且时钟速度超过925 MHz。

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