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High growth rate deposition of oriented InN pillar crystals

机译：定向InN柱状晶体的高生长速率沉积

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High growth rate deposition of highly oriented indium nitride (InN) pillar crystals were successfully grown on Si(100) substrate prepared under atmospheric pressure using a halide CVD method (AP-HCVD). The growth rate of InN pillar crystal can be enhanced threefold by AP-HCVD system with metal halide dual sources zone, and the maximum growth rate of 8.33 nm/s was achieved. X-ray diffraction and X-ray pole-figure analyses showed that the each InN pillar crystal grows with a different rotation angle around the < 001 > axis. Selected area transmission electron diffraction showed that that they are of high crystal quality. (c) 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.
机译：使用卤化物CVD方法（AP-HCVD）在大气压下制备的Si（100）衬底上成功生长了高取向氮化铟（InN）柱状晶体的高生长速率沉积物。采用金属卤化物双源区的AP-HCVD系统可以将InN柱状晶体的生长速率提高三倍，最大生长速率为8.33 nm / s。 X射线衍射和X射线极图分析表明，每个InN柱状晶体都围绕<001>轴以不同的旋转角度生长。选定的区域透射电子衍射表明它们具有高质量的晶体。 （c）2005 Elsevier Ltd.保留所有权利。

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