Enhanced optical and structural properties of strain-compensated 1.3-μm GaInNAs/GaNAs/GaAs quantum-well structures by insertion of strain-mediating layers

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• 来源
  《Solid-State Electronics》 |2003年第3期|p.507-512|共6页
• 作者

  E.-M. Pavelescu; C.S. Peng; T. Jouhti; J. Konttinen; M. Dumitrescu; W. Li; M. Pessa;

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• 作者单位

  Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, P. O. Box 692, FIN-33101 Tampere, Finland;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;
• 关键词

  A1. photoluminescence; A3. molecular beam epitaxy; B2. semiconducting quaternary alloys;

  机译：A1。光致发光;A3。分子束外延;B2。半导体四元合金;