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Growth of heavily doped monocrystalline and polycrystalline SiGe-based quantum dot superlattices

机译：重掺杂单晶和多晶SiGe基量子点超晶格的生长

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摘要

Various SiGe-based Quantum Dot Superlattices (QDSLs) were grown using an industrial Chemical Vapor Deposition tool with the intent to develop efficient thermoelectric thin films at a large scale. We report first on the growth of monocrystalline SiGe-based QDSLs. We were able to control the SiGe spacer width and the sizes and densities of Ge dots. A vertical ordering behavior was observed for large dot structures, but not for those with the smallest dots (30-70 nm wide, 3 nm high). In situ B doping operated during growth led to hole densities of 5 × 10~(19) to 1 × 10~(20) cm~(-3). We also report on the growth of polycrystalline SiGe-based QDSLs with the same equipment. We show in particular that vertically aligned Ge dots were formed in a similar way as in monocrystalline structures despite the presence of stacking faults and grain boundaries. A heavy p doping was also obtained on some of these structures.
机译：使用工业化学气相沉积工具生长了各种基于SiGe的量子点超晶格（QDSL），目的是大规模开发有效的热电薄膜。我们首先报告基于单晶SiGe的QDSL的增长。我们能够控制SiGe间隔物的宽度以及Ge点的大小和密度。对于大的点结构，观察到垂直有序行为，但对于最小的点（宽度为30-70 nm，高度为3 nm）则没有观察到。在生长过程中进行原位B掺杂导致空穴密度从5×10〜（19）到1×10〜（20）cm〜（-3）。我们还报告了使用相同设备的基于SiGe的多晶QDSL的增长情况。我们特别表明，尽管存在堆垛层错和晶界，但仍以与单晶结构相似的方式形成了垂直排列的Ge点。在其中一些结构上也获得了重度p掺杂。

著录项

  • 来源
    《Thin Solid Films》 |2012年第13期|p.4259-4263|共5页
  • 作者

    David Hauser; Guillaume Savelli; Marc Plissonnier; Laurent Montes; Julia Simon;

  • 作者单位

    CEA-Liten, Departement des Technologies des NanoMateriaux, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 9, France IMEP-IAHC, Minatec, 3 parvis Louis Neel, BP 257, 38016 Grenoble cedex 1, France;

    CEA-Liten, Departement des Technologies des NanoMateriaux, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 9, France;

    CEA-Liten, Departement des Technologies des NanoMateriaux, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 9, France;

    IMEP-IAHC, Minatec, 3 parvis Louis Neel, BP 257, 38016 Grenoble cedex 1, France;

    CEA-Liten, Departement des Technologies des NanoMateriaux, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 9, France;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    silicon-germanium; chemical vapor-deposition; nanostructures; quantum dot superlattices; thermoelectric materials;

    机译：硅锗化学气相沉积;纳米结构量子点超晶格热电材料;

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