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【24h】

Low temperature amorphous and nanocrystalline silicon thin film transistors deposited by Hot-Wire CVD on glass substrate

机译：热线CVD在玻璃基板上沉积的低温非晶和纳米晶硅薄膜晶体管

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Amorphous and nanocrystalline silicon films obtained by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition have been incorporated as active layers in n-type coplanar top gate thin film transistors deposited oil glass substrates covered with SiO2. Amorphous silicon devices exhibited mobility values of 1.3 cm(2) V-1 s(-1),which are very high taking into account the amorphous nature of the material. Nanocrystalline transistors presented mobility values as high as 11.5 cm(2) V-1 s(-1) and resulted in low threshold voltage shift (similar to 0.5 V). (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：通过热线化学气相沉积获得的非晶和纳米晶硅膜已作为活性层并入n型共面顶栅薄膜晶体管沉积的SiO2覆盖的油玻璃基板中。非晶硅器件的迁移率值为1.3 cm（2）V-1 s（-1），考虑到材料的非晶性，该迁移率值非常高。纳米晶体晶体管呈现出高达11.5 cm（2）V-1 s（-1）的迁移率值，并导致低阈值电压漂移（类似于0.5 V）。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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