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Study of preparation parameters for indium sulfide thin films obtained by modulated flux deposition

机译：调制通量沉积法制备铟锡薄膜的制备参数研究

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Indium sulfide (In_2S_3) polycrystalline thin films have been deposited on amorphous glass substrates by modulated flux deposition (MFD). The influence of different deposition parameters (elemental sources temperatures, substrate temperature, substrate angular velocity) has been studied. Structural and optical characterization has been carried out by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), field emission scanning electron microscopy (FESEM) and optical and profilometric measurements. All the samples had a tetragonal structure (β-In_2S_3) with high (103) preferential orientation. Optimized samples showed good coverage and a small-grain homogeneous microstructure. A direct optical transition was observed, with a bandgap energy (E_g) of 2.75 eV for 100-nm-thick films.
机译：硫化铟（In_2S_3）多晶薄膜已通过调制通量沉积（MFD）沉积在非晶玻璃基板上。研究了不同沉积参数（元素源温度，衬底温度，衬底角速度）的影响。结构和光学特性已通过X射线衍射（XRD），X射线光电子能谱（XPS），场发射扫描电子显微镜（FESEM）以及光学和轮廓测量法进行了表征。所有样品均具有高（103）优先取向的四方结构（β-In_2S_3）。优化的样品显示出良好的覆盖率和小晶粒均匀的微观结构。观察到直接的光学跃迁，对于100 nm厚的薄膜，其带隙能量（E_g）为2.75 eV。

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