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Aplication of plasma immersion ion implantation on seeding copper electroplating for multilevel interconnection

机译：等离子体浸没离子注入在多级互连种子铜电镀中的应用

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In this study, an effective seeding technology, plasma immersion ion implantation of palladium (PIII Pd), was proposed to achieve defect-free gap filling for copper electroplating (Cu-ECP). It was found that a threshold dosage (similar to 5.2 x 10(18) m(-2)) of PIII I'd was required to drive Cu-ECP and the dependence of Pd dosage on the implantation time was quasi-linear. The thickness of electroplated copper films increased as the Pd dosage increased. Too high a Pd dosage caused a rough copper film with high resistivity (> 10 mu Omega cm) while too low a I'd dosage resulted in an insufficient nucleation site for Cu-ECP, leading to poor film adhesion. In addition, a higher substrate bias of PIII was suggested to enhance the gap-filling capability of Cu-ECP and the Cu(111) formation of electroplated copper films. (c) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：在这项研究中，提出了一种有效的播种技术，即等离子浸入离子注入钯（PIII Pd），以实现用于铜电镀（Cu-ECP）的无缺陷间隙填充。已发现驱动Cu-ECP需要PIII I'的阈值剂量（类似于5.2 x 10（18）m（-2）），并且Pd剂量对注入时间的依赖性是准线性的。电镀铜膜的厚度随着Pd剂量的增加而增加。 Pd剂量过高会导致铜膜粗糙，且电阻率高（> 10μOΩcm），而Id剂量过低会导致Cu-ECP的成核部位不足，从而导致薄膜附着力差。此外，建议使用更高的PIII衬底偏压来增强Cu-ECP的间隙填充能力和电镀铜膜的Cu（111）形成。 （c）2004 Elsevier B.V.保留所有权利。

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