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【24h】

Copper indium disulfide solar cell absorbers prepared in a one-step process by reactive magnetron sputtering from copper and indium targets

机译：通过反应磁控溅射从铜和铟靶材一步制备的铜铟二硫化物太阳能电池吸收剂

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Reactive magnetron sputtering from copper and indium targets in argon-hydrogen sulfide mixtures has been used to prepare CuInS_2 absorbers for thin film solar cells. Compared with the sequential process, where sputtered metal films are sulfurized, this Technique offers the advantage of a one-step process. The influence of substrate temperature, total sputtering pressure and the Copper-to-indium ratio on structure and morphology was investigated. The argon-to-hydrogen sulfide ratio was fixed at 1:1. Lower Sputtering pressure and higher substrate temperature lead to larger crystal grains.
机译：从氩和硫化氢混合物中的铜和铟靶反应磁控溅射已用于制备薄膜太阳能电池的CuInS_2吸收剂。与溅射金属膜被硫化的顺序工艺相比，该技术具有一步式工艺的优势。研究了衬底温度，总溅射压力和铜铟比对结构和形貌的影响。氩气与硫化氢之比固定为1：1。较低的溅射压力和较高的基板温度会导致较大的晶粒。

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