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Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11
Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11
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1.
Using a Novel Solvent-Based Technology to Preserve Low-k Material when Removing Gap Fill Material
机译:
使用新颖的基于溶剂的技术在去除间隙填充材料时保留低k材料
作者:
Cole Franklin
;
Allison Rector
;
Don Pfettscher
;
Kimberly D. Pollard
;
Diane Scheele
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
2.
Effect of Radical Scavenger and UV Irradiation on Removal of Photoresist and BARC using Water/Ozone in Cu/Low-k Interconnect
机译:
Cu / Low-k互连中自由基清除剂和紫外线辐射对水/臭氧去除光致抗蚀剂和BARC的影响
作者:
Q. T. Le
;
M. Lux
;
E. Kesters
;
L. Prager
;
G. Vereecke
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
3.
New Wet Process Strategies for Reduced La_2O_3 and MgO_2 High-k Cap-dielectric Loss
机译:
减少La_2O_3和MgO_2高k介电损耗的新湿法工艺策略
作者:
M. Wada
;
R. Vos
;
M. Claes
;
T. Schram
;
J. Snow
;
P. W. Mertens
;
A. Eitoku
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
4.
Interplay between Dry Etch and Wet Clean in Patterning La_2O_3/HfO_2-Containing High-κ/Metal Gate Stacks
机译:
图案化La_2O_3 / HfO_2的高κ/金属门叠层中干法腐蚀与湿法腐蚀之间的相互作用
作者:
I. Vos
;
D. Hellin
;
C. Vrancken
;
J. Geypen
;
H. Bender
;
G. Vecchio
;
V. Paraschiv
;
J. Vertommen
;
W. Boullart
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
5.
Comparison of Jet Spray and Megasonic Module for a Cleaning of Aluminum Layer Surface
机译:
喷射喷雾和Megasonic组件清洁铝层表面的比较
作者:
J. Min
;
N. Kim
;
J. Yang
;
Y. Park
;
T. Kim
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
6.
Damage Cluster Analysis of Patterned Wafers during Solvent Spray Cleaning
机译:
溶剂喷涂清洗过程中图案化晶圆的损伤簇分析
作者:
Sandip Haider
;
Kurt Wostyn
;
Michael Andreas
;
Masayuki Wada
;
Steven Brems
;
Twan Bearda
;
Antoine Pacco
;
Karine Kenis
;
Rita Vos
;
Paul W. Mertens
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
7.
Damage-Free Design of Megasonic Waveguide for Single Wafer Process
机译:
单晶片工艺的超音波波导的无损设计
作者:
Y. K. Ahn
;
D. H. Yoo
;
J. C. Yang
;
A. Kulkarni
;
J. I. Kim
;
H.M. Lee
;
T. Kim
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
8.
Impact of Acoustical Reflections on Megasonic Cleaning Performance
机译:
声反射对超音速清洁性能的影响
作者:
S. Brems
;
M. Hauptmann
;
E. Camerotto
;
A. Pacco
;
S. Haider
;
A. Zijlstra
;
G. Doumen
;
T. Bearda
;
P.W. Mertens
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
9.
Megasonic Metrology for Enhanced Process Development
机译:
Megasonic计量学,用于增强工艺开发
作者:
S. Kumari
;
M. Keswani
;
M. Beck
;
E. Liebscher
;
T. Liang
;
P. Deymier
;
S. Raghavan
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
10.
Reevaluation of Hydrogen Gas Dissolved Cleaning Solutions in Single Wafer Megasonic Cleaning
机译:
单晶片兆声波清洗中氢气溶解清洗液的重新评估
作者:
Bong-Kyun Kang
;
Seung-Ho Lee
;
In-Jxmg Kim
;
Eun-Suck Choi
;
Bong-Woo Kim
;
Ahmed A. Busnaina
;
Takeshi Hattori
;
Jin-Goo Park
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
11.
Collapse Mechanisms for High Aspect Ratio Structures with Application to Clean Processing
机译:
高纵横比结构的塌陷机理及其在清洁加工中的应用
作者:
Daniel Peter
;
Frank Holsteyns
;
Michael Dalmer
;
Hans Kruwinus
;
Alfred Lechner
;
Wolfgang Bensch
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
12.
Removal of Post-Dry Etch Residue Using Ultra Low Environmental Load Technique
机译:
使用超低环境负荷技术去除干燥后的蚀刻残留物
作者:
A. Hayashida
;
A. Seki
;
T. Mashiko
;
T. Sanada
;
M. Watanabe
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
13.
Cleaning-Free Deposition of Highly Crystallized Si Films on Plastic Film Substrates Using Pulsed-Plasma CVD under Near-Atmospheric Pressure
机译:
在近大气压下使用脉冲等离子体CVD在塑料薄膜基材上免清洗沉积高度结晶的Si薄膜
作者:
M. Matsumoto
;
S. Ito
;
Y. Inayoshi
;
S. Murashige
;
H. Fukidome
;
M. Suemitsu
;
S. Nakajima
;
T. Uehara
;
Y. Toyoshima
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
14.
Etching of Sacrificial CVD Silicon Dioxides with Anhydrous HF Vapor
机译:
用无水HF蒸气蚀刻牺牲CVD二氧化硅
作者:
H. Ritala
;
J. Kiihamaeki
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
15.
Investigation of Physical Cleaning Process Window by Atomic Force Microscope
机译:
原子力显微镜研究物理清洗工艺窗口
作者:
T.-G. Kim
;
K. Wostyn
;
T. Beard
;
J.-G. Park
;
P. W. Mertens
;
M. Heyns
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
16.
Characterization of 248nm Deep Ultraviolet (DUV) Photoresist after Ion Implantation
机译:
离子注入后248nm深紫外(DUV)光致抗蚀剂的表征
作者:
D. Tsvetanova
;
R. Vos
;
G. Vereecke
;
F. Clemente
;
K. Vanstreels
;
T. Conard
;
A. Franquet
;
T. N. Parac-Vogt
;
P. Mertens
;
M. M. Heyns
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
17.
Yield Qualification of All Wet Photoresist Stripping for CMOS Well Loop Implant Masks in 300mm High Volume Manufacturing
机译:
300毫米大批量生产中CMOS阱环植入掩模的所有湿法光刻胶剥离的合格率
作者:
Ron Nan
;
Freda Lee
;
Jey Hung
;
James.M.M Chu
;
Jack Yuan
;
David Yang
;
Jeffery W. Butterbaugh
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
18.
Removal of photoresist and BARC in Cu BEOL using an all-wet process
机译:
使用全湿法去除Cu BEOL中的光刻胶和BARC
作者:
Q. T. Le
;
A. Klipp
;
M. Lux
;
Y. Li
;
L. Zhao
;
G. Vereecke
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
19.
Cleaning Process in Single Wafer Tool: Impact of Dispersion Phenomena on Rinsing Time
机译:
单晶片工具的清洗过程:分散现象对冲洗时间的影响
作者:
A. Mallet
;
M. Prat
;
L. Broussous
;
P. Schmitz
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
20.
Effect of Laser Shock Wave Cleaning Direction on Particle Removal Behavior at Trenchs
机译:
激光冲击波清洁方向对沟槽处颗粒去除行为的影响
作者:
J. S. Kim
;
A. Busnaina
;
J. G. Park
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
21.
Metrology for Implanted Si Substrate and Dopant Loss Studies
机译:
硅衬底注入的计量学和掺杂损失研究
作者:
D. Radisic
;
D. Shamiryan
;
G. Mannaert
;
W. Boullart
;
E. Rosseel
;
J. Bogdanowicz
;
J. Goossens
;
K. Marrant
;
H. Bender
;
R. Sonnemans
;
I. Berry
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
22.
Quantitative Analysis of Transition Metals Penetrating the Silicon Substrate by Dopant Ion Implantation
机译:
掺杂离子注入过渡金属穿透硅衬底的定量分析
作者:
K. Saga
;
K. Ueno
;
R. Ohno
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
23.
Monitoring of Semiconductor Surfaces using Photoconductance Decay (PCD) Method
机译:
使用光电导衰减(PCD)方法监控半导体表面
作者:
P. Drummond
;
S. Ramani
;
J. Ruzyllo
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
24.
Photo-etching of Silicon by N-Fluoropyridinium Salt
机译:
N-氟吡啶鎓盐对硅的光蚀刻
作者:
Shigeharu Goto
;
Kentaro Tsukamoto
;
Tatsuya Kawase
;
Noritaka Ajari
;
Takabumi Nagai
;
Kenji Adachi
;
Junichi Uchikoshi
;
Mizuho Morita
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
25.
Lossless Solvent-based Extension Implant Strip
机译:
基于无损溶剂的延伸植入带
作者:
R. Vos
;
G. Mannaert
;
S. Haider
;
M. Wada
;
R. Sonnemans
;
D. Tsvetanova
;
N. Valckx
;
K. Vanstreels
;
T. Conard
;
P.W. Mertens
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
26.
Characterization of the HCl Absorption Outgassing Mechanisms by FOUPs' Polymers
机译:
FOUPs聚合物对HCl吸收和除气机理的表征
作者:
H. Fontaine
;
Y. Borde
;
C. Brych
;
A. Danel
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
27.
Solar Cell Texturing: A Simplified Recipe
机译:
太阳能电池纹理化:简化配方
作者:
T. Vukosav
;
P. Herrera
;
K. A. Reinhardt
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
28.
Cleaning of Silicon Wafer Surfaces with Reactive Gases
机译:
用活性气体清洁硅晶片表面
作者:
Joerg Vierhaus
;
Cornelia Haase
;
Jens Briesemeister
;
Edmund P. Burte
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
29.
Drying Impact on Semiconductor Surfaces after Innovative Solvent Exposure
机译:
创新性溶剂暴露后对半导体表面的干燥影响
作者:
Y. Le Tiec
;
F. Fournel
;
N. Rochat
;
J-P. Barnes
;
M. Veillerot
;
C. Morales
;
H. Moriceau
;
L. Clavelier
;
F. Rieutord
;
C. Morote
;
M. Vandenbossche
;
J. Butterbaugh
;
I. Radu
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
30.
Dilute HF Solutions for Copper Cleaning During BEOL Processes: Effect of Aeration on Selectivity and Copper Corrosion
机译:
在BEOL过程中用于铜清洗的稀HF解决方案:曝气对选择性和铜腐蚀的影响
作者:
D.P.R. Thanu
;
N. Venkataraman
;
S. Raghavan
;
O. Mahdavi
会议名称:
《》
|
2009年
31.
SAM Modification of CMP Conditioner for the Prevention of Particle Adhesion
机译:
CMP调节剂的SAM改性以防止颗粒粘附
作者:
Tae-Young Kwon
;
Young-Jae Rang
;
In-Kwon Kim
;
Dong-Chan Kim
;
Jeong Kim
;
Jong-Sun Chun
;
Mun-Seak Park
;
Jin-Goo Park
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
32.
Screening and Evaluation of Different Wet Cleaning Solutions for Post Etch Residue Removal in BEOL Applications
机译:
BEOL应用中用于去除蚀刻后残留物的各种湿法清洁溶液的筛选和评估
作者:
S. Suhard
;
M. Claes
;
J. Loh
;
G. Vereecke
;
M. Pantouvaki
;
S. Demuynck
;
B. Vereecke
;
G. Beyer
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
33.
Impact of the Volatile Acid Contaminants on Copper Interconnects Electrical Performances
机译:
挥发性酸污染物对铜互连线电性能的影响
作者:
H. Fontaine
;
H. Feldis
;
A. Danel
;
S. Cetre
;
C. Ailhas
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
34.
Surfactants as an Additive to Wet Cleaning Solutions for Plasma Etch Residue Removal: Compatibility to a Porous CVD-SiCOH Ultra Low-k Dielectric Material
机译:
表面活性剂作为等离子去除残留湿法清洁解决方案的添加剂:与多孔CVD-SiCOH超低k介电材料的兼容性
作者:
N. Ahner
;
S.E. Schulz
;
M. Zacher
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
35.
Study of CMOS-compatible Copper Etching for Organic Coating
机译:
用于有机涂层的CMOS兼容铜蚀刻的研究
作者:
M. Lambert
;
P. Rostam-Khani
;
J. ten Veen
;
L. van Nimwegen
;
F. Frederix
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
|
2009年
36.
Influence of UV Irradiation on the Removal of Post-etch Photoresist in Porous Low-k Dielectric Patterning
机译:
紫外线对多孔低k介电图形中蚀刻后光刻胶去除的影响
作者:
E. Kesters
;
Q.T. Le
;
M. Lux
;
C. Baerts
;
L. Onandia
;
G. Vereecke
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
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2009年
37.
Structural Changes of La_2O_3-Doped Hf-Based High-k Dielectrics during Aqueous HF Treatment
机译:
La_2O_3掺杂的Hf基高k电介质在高频HF处理过程中的结构变化
作者:
Yoshihiro Sugita
;
Manabu Hayashi
;
Takayuki Aoyama
;
Kazuto Ikeda
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
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2009年
38.
Cleaning and Strip Requirements for Metal Gate Based CMOS Integration
机译:
基于金属门的CMOS集成的清洁和剥离要求
作者:
T. Schram
;
F. Sebai
;
M. Claes
;
R. Vos
;
W. Masayuki
;
J. Albert
;
E. Rohr
;
S. Kubicek
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
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2009年
39.
Non-Aqueous/Dry Cleaning Technology without Causing Damage to Fragile Nano-Structures
机译:
非水/干洗技术,不会损坏易碎的纳米结构
作者:
Takeshi Hattori
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
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2009年
40.
Particle Removal and Damage Thresholds from Particle Removal and Damage Formation Frequency for High-Velocity-Aerosol Cleaning
机译:
高速气溶胶清洁过程中颗粒去除和损伤形成频率的颗粒去除和损伤阈值
作者:
K. Wostyn
;
M. Wada
;
M. Andreas
;
K. Kenis
;
P. Roussel
;
T. Bearda
;
L. Leunissen
;
P.W. Mertens
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
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2009年
41.
Cleaning and Damage Performance of Single Wafer Cleaning Tools using Physcial Removal Forces
机译:
使用物理去除力的单晶片清洁工具的清洁和损坏性能
作者:
Antoine Pacco
;
S. Haider
;
K. Kenis
;
T. Bearda
;
P. Mertens
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
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2009年
42.
Influence of Subharmonics on Megasonic Cleaning
机译:
次谐波对超音速清洁的影响
作者:
Ayumi Higuchi
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
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2009年
43.
Ruthenium Wet Etch on 200mm MEMS Wafers with Sodium Hypochlorite
机译:
用次氯酸钠在200mm MEMS晶圆上进行钌湿蚀刻
作者:
R. Segaud
;
L. Gabette
;
O. Louveau
;
P. Besson
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
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2009年
44.
Gold Wet Etch Optimization on 200mm Substrates for MEMS Applications
机译:
MEMS应用在200mm基板上的金湿蚀刻优化
作者:
L. Gabette
;
R. Segaud
;
S. Fadloun
;
X. Avale
;
P. Besson
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
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2009年
45.
Development of a Single-Beam Megasonic System for Nano-Particle Cleaning
机译:
用于纳米粒子清洁的单束兆声系统的开发
作者:
Hyunse Kim
;
Yanglae Lee
;
Euisu Lim
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
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2009年
46.
Impact of Steam-Water Mixed Spray on Silicon and Metal Surfaces
机译:
蒸汽-水混合喷雾对硅和金属表面的影响
作者:
T. Mashiko
;
A. Hayashida
;
Y. Yamada
;
T. Sanada
;
M. Watanabe
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
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2009年
47.
Water and Bubble Motions under Megasonic Wave in a Silicon Wafer Wet Cleaning Bath
机译:
硅晶片湿法清洗浴中超声波作用下的水和气泡运动
作者:
Hitoshi Habuka
;
Yuta Okada
;
Ryohei Fukumoto
;
Hirofumi Yoshii
;
Masayuki Kato
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
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2009年
48.
Electrochemical and Analytical Study of the Si Etching Mechanism in HF
机译:
HF中硅腐蚀机理的电化学和分析研究
作者:
N. Valckx
;
R. Vos
;
J. Rip
;
G. Doumen
;
P.W. Mertens
;
T. Bearda
;
M.M. Heyns
;
S. De Gendt
会议名称:
《Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing 11》
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2009年
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