掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
召开年:
2013
召开地:
Glasgow(GB)
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
共
1405
条结果
1.
Toward more realistic NEGF simulations of vertically stacked multiple SiNW FETs
机译:
朝着垂直堆叠多个SINW FET的更现实的NEGF模拟
作者:
Hong-Hyun Park
;
Woosung Choi
;
Mohammad Ali Pourghaderi
;
Jongchol Kim
;
Uihui Kwon
;
Dae Sin Kim
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Numerical models;
Semiconductor process modeling;
Field effect transistors;
Scattering;
Electric potential;
Logic gates;
Silicon;
2.
Design Guidelines and Limitations of Multilayer Two-dimensional Vertical Tunneling FETs for UltraLow Power Logic Applications
机译:
超级电力逻辑应用的多层二维垂直隧穿FET的设计指导和限制
作者:
Shang-Chun Lu
;
Yuanchen Chu
;
Youngseok Kim
;
Mohamed Y. Mohamed
;
Gerhard Klimeck
;
Tomás Palacios
;
Umberto Ravaioli
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
TFETs;
Doping;
Discrete Fourier transforms;
Photonic band gap;
Tunneling;
Phosphorus;
3.
NESS: new flexible Nano-Electronic Simulation Software
机译:
ness:新的灵活纳米电子仿真软件
作者:
Salim Berrada
;
Tapas Dutta
;
Hamilton Carrillo-Nunez
;
Meng Duan
;
Fikru Adamu-Lema
;
Jehyun Lee
;
Vihar Georgiev
;
Cristina Medina-Bailon
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
CMOS integrated circuits;
integrated circuit interconnections;
integrated circuit modelling;
nanoelectronics;
4.
Impact of the Effective Mass on the Mobility in Si Nanowire Transistors
机译:
有效质量对Si纳米线晶体管流动性的影响
作者:
Cristina Medina-Bailon
;
Toufik Sadi
;
Mihail Nedjalkov
;
Jaehyun Lee
;
Salim Berrada
;
Hamilton Carrillo-Nunez
;
Vihar P. Georgiev
;
Siegfried Selberherr
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Scattering;
Effective mass;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Silicon;
Phonons;
Impurities;
5.
Optical Properties of Organic Perovskite Materials for Finite Nanostructures
机译:
有机钙钛矿用于有限纳米结构的光学性质
作者:
Hoon Ryu
;
Ki-Ha Hong
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Photonic band gap;
Atom optics;
Nanostructures;
Crystals;
Quantum dots;
Optical materials;
Lead;
6.
Analysis of the Effect of Field Enhancement at Fin Corners on Program Characteristics of FinFET Split-Gate MONOS
机译:
翅片翅片对FinFET分裂门Monos计划特征的田间增强效果分析
作者:
Kenichiro Sonoda
;
Eiji Tsukuda
;
Shibun Tsuda
;
Tomohiro Hayashi
;
Yutaka Akiyama
;
Yasuo Yamaguchi
;
Tomohiro Yamashita
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
FinFETs;
MONOS devices;
Electron traps;
Split gate flash memory cells;
Tunneling;
Logic gates;
Shape;
7.
Advanced Algorithms for Ab-initio Device Simulations
机译:
ab-initio设备模拟的高级算法
作者:
Mathieu Luisier
;
Fabian Ducry
;
Mohammad Hossein
;
Bani-Hashemian
;
Sascha Brück
;
Mauro Calderara
;
Olaf Schenk
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Mathematical model;
Scattering;
Computational modeling;
Green's function methods;
Eigenvalues and eigenfunctions;
Graphics processing units;
Approximation algorithms;
8.
Dynamical space partitioning for acceleration of parallelized lattice kinetic Monte Carlo simulations
机译:
平行化晶格动力学蒙特卡罗模拟加速的动态空间分区
作者:
Takeshi Nishimatsu
;
Anthony Payet
;
Byounghak Lee
;
Yasuyuki Kayama
;
Kiyoshi Ishikawa
;
Alexander Schmidt
;
Inkook Jang
;
Dae Sin Kim
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Semiconductor process modeling;
Lattices;
Load modeling;
Computational modeling;
Instruction sets;
Epitaxial growth;
Silicon;
9.
Enhancement of Resonance by the Use of Multiple Tunnel Barriers in Bilayer Graphene-Based Interlayer Tunnel Field Effect Transistors
机译:
基于双层石墨烯的层间隧道场效应晶体管的多隧道屏障来增强共振
作者:
Nitin Prasad
;
Sanjay K. Banerjee
;
Leonard F. Register
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Wires;
Tunneling;
Electric potential;
Two dimensional displays;
Electrostatics;
Logic gates;
Couplings;
10.
Modeling Channel Length Scaling Impact on NBTI in RMG Si p-FinFETs
机译:
RMG SI P-FINFET中NBTI的建模信道长度缩放影响
作者:
Narendra Parihar
;
Ravi Tiwari
;
Souvik Mahapatra
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Predictive models;
Stress;
Stress measurement;
Time measurement;
Kinetic theory;
Time-frequency analysis;
Strain;
11.
Design guidelines for thermopower generators with multi-layered black phosphorus
机译:
具有多层黑色磷的热电驱发生器设计指南
作者:
Parijat Sengupta
;
Giftsondass Irudayadass
;
Junxia Shi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Photonic band gap;
Dispersion;
Phosphorus;
Charge carrier processes;
Effective mass;
Electrical engineering;
Potassium;
12.
Interplay of RDF and Gate LER Induced Statistical Variability in Negative Capacitance FETs
机译:
RDF和门LER诱导负电容FET中统计变异性的相互作用
作者:
Tapas Dutta
;
Vihar Georgiev
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Resource description framework;
Logic gates;
MOSFET;
Capacitance;
Ions;
Standards;
13.
A Compact Model of Drift and Diffusion Memristor Applied in Neuron Circuits Design
机译:
神经元电路设计中应用漂移和扩散膜的紧凑模型
作者:
Ying Zhao
;
Cong Fang
;
Qiang Li
;
Nianduan Lu
;
Feng Zhang
;
Ling Li
;
Ming Liu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Memristors;
Integrated circuit modeling;
Neuromorphics;
Semiconductor process modeling;
Data models;
Switches;
Resistance;
14.
Modeling of Process (Ge, N) Dependence and Mechanical Strain Impact on NBTI in HKMG SiGe GF FDSOI p-MOSFETs and RMG p-FinFETs
机译:
流程(GE,N)依赖性和机械应变对NBTI的依赖性和机械应变撞击效应和RMG P-FINFET在NBTI上的影响
作者:
N. Parihar
;
R. Tiwari
;
C. Ndiaye
;
M. Arabi
;
S. Mhira
;
H. Wong
;
S. Motzny
;
V. Moroz
;
V. Huard
;
S. Mahapatra
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Stress;
Predictive models;
Silicon germanium;
Stress measurement;
Time measurement;
Kinetic theory;
Silicon;
15.
Well-Posed Verilog-A Compact Model for Phase Change Memory
机译:
良好的Verilog - 相变内存的紧凑型号
作者:
Shruti R. Kulkarni
;
Deepak Vinayak Kadetotad
;
Jae-sun Seo
;
Bipin Rajendran
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Phase change materials;
Resistance;
Computational modeling;
Mathematical model;
Programming;
Integrated circuit modeling;
Hardware design languages;
16.
Efficient Modeling of Electron Transport with Plane Waves
机译:
平面波的电子传输高效建模
作者:
Maarten L. Van de Put
;
Akash A. Laturia
;
Massimo V. Fischetti
;
William G. Vandenberghe
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Field effect transistors;
Sparse matrices;
Nanoribbons;
Scattering;
Crystals;
Shape;
17.
Efficient Two-Band based Non-Equilibrium Green's Function Scheme for Modeling Tunneling Nano-Devices
机译:
基于高效的隧道纳米器件的非平衡绿色功能方案
作者:
Hamilton Carrillo-Nu?ez
;
Jaehyun Lee
;
Salim Berrada
;
Cristina Medina-Bailón
;
Mathieu Luisier
;
Asen Asenov
;
Vihar P. Georgiev
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
TFETs;
Computational modeling;
Semiconductor process modeling;
Tunneling;
Silicon;
Doping;
Effective mass;
18.
First-principles method for the phonon-limited resistivity of metals
机译:
首先原理的金属电阻率的方法
作者:
Tue Gunst
;
Anders Blom
;
Kurt Stokbro
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Scattering;
Conductivity;
Gold;
Phonons;
Couplings;
FCC;
19.
Transistor Optimization with Novel Cavity for Advanced FinFET Technology
机译:
具有高级FinFET技术的新型腔晶体管优化
作者:
Hsien-Ching Lo
;
Jianwei Peng
;
Pei Zhao
;
El Mehdi Bazizi
;
Yue Hu
;
Yong Jun Shi
;
Yi Qi
;
Alina Vinslava
;
Yan Ping Shen
;
Wei Hong
;
Hui Zang
;
Xing Zhang
;
Ashish Kumar Jha
;
X. Dou
;
Seong Yeol Mun
;
Yanzhen Wang
;
Jae Gon Lee
;
Dongil Choi
;
Owen Hu
;
Srikanth Samavedam
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Cavity resonators;
Performance evaluation;
FinFETs;
Logic gates;
Ions;
Shape;
20.
Integrated Framework of DFT, Empirical potentials and Full Lattice Atomistic Kinetic Monte-Carlo to Determine Vacancy Diffusion in SiGe
机译:
DFT,经验潜力和全格原子动力学蒙特卡洛的综合框架,以确定SiGe中的空位扩散
作者:
Yong-Seog Oh
;
Yumi Park
;
Christoph Zechner
;
Ignacio Martin-Bragado
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Discrete Fourier transforms;
Silicon germanium;
Mathematical model;
Phonons;
Silicon;
Software;
Tools;
21.
Modeling the Influence of Grains and Material Interfaces on Electromigration
机译:
建模谷物和材料界面对电迁移的影响
作者:
Lado Filipovic
;
Roberto Lacerda de Orio
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Copper;
Conductivity;
Microstructure;
Electromigration;
Grain boundaries;
Stress;
Computational modeling;
22.
Modeling and Finite Element Simulation of Gate Leakage in Cylindrical GAA Nanowire FETs
机译:
圆柱形GAA纳米线FET中闸门泄漏的建模与有限元模拟
作者:
Ashutosh Mahajan
;
Ravi Solanki
;
Rosalina Sahoo
;
Rajendra Patrikar
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Optical receivers;
Optical mixing;
Optical transmitters;
Optical fibers;
High-speed optical techniques;
Quantum cascade lasers;
23.
A Highly Scalable and Energy-Efficient 1T DRAM Embedding a SiGe Quantum Well Structure for Significant Retention Enhancement
机译:
一种高度可扩展和节能的1T DRAM嵌入SiGe量子阱结构以进行显着保留增强
作者:
Eunseon Yu
;
Seongjae Cho
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Random access memory;
Silicon germanium;
Semiconductor process modeling;
Tunneling;
Capacitors;
Silicon;
24.
New physical insight for analog application in PSP bulk compact model
机译:
PSP批量紧凑型模型中模拟应用的新实物洞察
作者:
Sébastien Martinie
;
Olivier Rozeau
;
Thierry Poiroux
;
Jean-Charles Barbé
;
Fabien Gilibert
;
Xavier Montagner
;
Salim El Ghouli
;
André Juge
;
D. J. Geert Smit
;
Andries J. Scholten
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Semiconductor device modeling;
Interface states;
Semiconductor process modeling;
Electric potential;
Logic gates;
Doping;
25.
Electron-only explicit screening quantum transport model for semiconductor nanodevices
机译:
用于半导体纳米型纳米模型的电子式显式筛选量子传输模型
作者:
Yuanchen Chu
;
Prasad Sarangapani
;
James Charles
;
Gerhard Klimeck
;
Tillmann Kubis
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Semiconductor device modeling;
Interpolation;
Tunneling;
Mathematical model;
MOSFET;
Dielectric constant;
26.
A Stochastic Modeling Framework for NBTI and TDDS in Small Area p-MOSFETs
机译:
小区P-MOSFET中的NBTI和TDDS随机建模框架
作者:
R Anandkrishnan
;
S. Bhagdikar
;
N. Choudhury
;
R. Rao
;
B. Fernandez
;
A. Chaudhury
;
N. Parihar
;
S. Mahapatra
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Kinetic theory;
Stress;
Electron traps;
Area measurement;
Field effect transistors;
Stress measurement;
Time measurement;
27.
Boundary Concepts for an Improvement of the Numerical Solution with regard to the Wigner Transport Equation
机译:
关于改善Wigner传输方程的数值解决方案的边界概念
作者:
Lukas Schulz
;
Dirk Schulz
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Boundary conditions;
Resonant tunneling devices;
Mathematical model;
Estimation;
Perfectly matched layers;
Electric potential;
Correlation;
28.
Impact of Strain on S/D tunneling in FinFETs: a MS-EMC study
机译:
FINFET中S / D隧道应变的影响:MS-EMC研究
作者:
Cristina Medina-Bailon
;
Carlos Sampedro
;
José Luis Padilla
;
Andrés Godoy
;
Luca Donetti
;
Vihar P. Georgiev
;
Francisco Gamiz
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Tunneling;
Strain;
FinFETs;
Effective mass;
Monte Carlo methods;
Logic gates;
Performance evaluation;
29.
Investigation of adsorbed small-molecule on boron nitride nanotube (BNNT) based on first-principles calculations
机译:
基于第一原理计算的硼氮化物纳米管(BNNT)对吸附小分子的研究
作者:
Nianduan Lu
;
Wei Wei
;
Xichen Chuai
;
Yuhan Mei
;
Ling Li
;
Ming Liu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Adsorption;
Microelectronics;
Boron;
Gas detectors;
Charge transfer;
Nanoscale devices;
Carbon nanotubes;
30.
MSDRAM, A2RAM and Z2-FET performance benchmark for 1T-DRAM applications
机译:
MSDRAM,A2RAM和Z
2 SUP> -FET性能基准用于1T-DRAM应用程序
作者:
Joris Lacord
;
Mukta Singh Parihar
;
Carlos Navarro
;
Fran?ois Tcheme Wakam
;
Maryline Bawedin
;
Sorin Cristoloveanu
;
Fransisco Gamiz
;
Jean-Charles Barbé
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Bridge circuits;
Programming;
Benchmark testing;
Silicon;
Writing;
Random access memory;
31.
FANTASI: A novel devices-to-circuits simulation framework for fast estimation of write error rates in spintronics
机译:
Fantasi:一种新颖的设备 - 电路模拟框架,用于快速估计闪光灯中的写入错误率
作者:
Venkata Pavan Kumar Miriyala
;
Xuanyao Fong
;
Gengchiau Liang
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Spintronics;
Error analysis;
Magnetic anisotropy;
Electric potential;
Torque;
Switches;
Estimation;
Integrated circuit modeling;
32.
Emerging Memory Modeling Challenges (Invited Paper)
机译:
新兴内存建模挑战(邀请纸)
作者:
Andrea Ghetti
;
Augusto Benvenuti
;
Aurelio Mauri
;
Haitao Liu
;
Chandra Mouli
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Phase change materials;
Mathematical model;
Crystallization;
Resistance;
Switches;
Magnetic tunneling;
Random access memory;
33.
A Deterministic Multi-Subband Boltzmann Transport Equation Solver for GaN Based HEMTs
机译:
基于GaN的血管螺栓的确定性多子带Boltzmann传输等式求解器
作者:
Suhyeong Cha
;
Sung-Min Hong
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Mathematical model;
Boltzmann equation;
Gallium nitride;
Phonons;
HEMTs;
MODFETs;
Optical scattering;
34.
Topography Simulation of 4H-SiC-Chemical-Vapor-Deposition Trench Filling Including an OrientationDependent Surface Free Energy
机译:
4H-SIC-化学 - 气相沉积沟槽填充的地形模拟,包括方向依赖性表面自由能
作者:
Kazuhiro Mochizuki
;
Ji Shiyang
;
Ryoji Kosugi
;
Yoshiyuki Yonezawa
;
Hajime Okumura
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Surface topography;
Filling;
Silicon carbide;
Silicon;
Surface treatment;
Power electronics;
35.
Simulation of Quantum Current in Double Gate MOSFETs: Vortices in Electron Transport
机译:
双栅极MOSFET中量子电流模拟:电子传输中的涡流
作者:
Pratik B. Vyas
;
Maarten L. Van de Put
;
Massimo V. Fischetti
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Mathematical model;
Logic gates;
Silicon;
MOS devices;
Interference;
Semiconductor process modeling;
Lead;
36.
A versatile harmonic balance method in a parallel framework
机译:
并行框架中的多功能谐波平衡方法
作者:
Andy Huang
;
Xujiao Gao
;
Roger Pawlowski
;
Jason Gates
;
Lawrence Musson
;
Gary Hennigan
;
Mihai Negoita
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Mathematical model;
Frequency-domain analysis;
Harmonic analysis;
Laboratories;
Time-domain analysis;
Anodes;
Analytical models;
37.
Effect of Electron-Electron Scattering on the Carrier Distribution in Semiconductor Devices
机译:
电子 - 电子散射对半导体器件载体分布的影响
作者:
Hans Kosina
;
Markus Kampl
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Scattering;
Hot carriers;
Dispersion;
Semiconductor process modeling;
Monte Carlo methods;
Numerical models;
MOSFET;
38.
Consistent Modeling of Snapback Phenomenon Based on Conventional I-V Measurements
机译:
基于常规I-V测量的回弹现象的一致建模
作者:
Takahiro Iizuka
;
Mitiko Miura-Mattausch
;
Hiroyuki Hashigami
;
Hans Jürgen Mattausch
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Substrates;
Logic gates;
Semiconductor device modeling;
Junctions;
Electric potential;
MOSFET;
39.
A Simulation Perspective: The Potential and Limitation of Ge GAA CMOS Devices
机译:
模拟视角:GE GAA CMOS器件的潜在和限制
作者:
Sheng-Kai Su
;
Edward Chen
;
Jeff Wu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Tunneling;
Logic gates;
Ions;
Germanium;
Effective mass;
Scattering;
40.
Methodology to Generate Approximate Circuits to Reduce Process Induced Degradation in CNFET Based Circuits
机译:
生成近似电路的方法,以减少基于CNFET电路的过程诱导的劣化
作者:
Kaship Sheikh
;
Lan Wei
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Adders;
Delays;
Degradation;
CNTFETs;
Silicon;
Systematics;
41.
Field-free Fast Reliable Deterministic Switching in Perpendicular Spin-Orbit Torque MRAM Cells
机译:
免现场快速可靠的确定性切换在垂直的旋转轨道扭矩MRAM细胞中
作者:
Alexander Makarov
;
Viktor Sverdlov
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Switches;
Magnetization;
Magnetic tunneling;
Torque;
Wires;
Perpendicular magnetic anisotropy;
Magnetic switching;
42.
Analytic Band-to-Trap Tunneling Model Including Electric Field and Band Offset Enhancement
机译:
分析带对陷阱隧道模型,包括电场和带偏移增强
作者:
Xujiao Gao
;
Bert Kerr
;
Andy Huang
;
Gary Hennigan
;
Lawrence Musson
;
Mihai Negoita
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Tunneling;
Analytical models;
Mathematical model;
Computational modeling;
Integrated circuit modeling;
Heterojunction bipolar transistors;
Three-dimensional displays;
43.
First Principles Investigation of Al
2
O
3
γ-Ga
2
O
3
Interface Structures
机译:
Al
2 INC> 3 INF>γ-GA INF> 2 INF> 3 INF> 8 INF>接口指示的第一次加密研究
作者:
Junsung Park
;
Sung-Min Hong
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Photonic band gap;
Discrete Fourier transforms;
Couplings;
Electric potential;
Physics;
Dielectrics;
Atomic layer deposition;
44.
Quasi 1D multi-physics modeling of silicon heterojunction solar cells
机译:
硅异质结太阳能电池的准1D多物理建模
作者:
Pradyumna Muralidharan
;
Stephen M. Goodnick
;
Dragica Vasileska
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Photovoltaic cells;
Electromagnetic compatibility;
Silicon;
Heterojunctions;
Monte Carlo methods;
Buffer layers;
Mathematical model;
45.
Simulations of Self-Heating Effects in SiGe pFinFETs Based on Self-Consistent Solution of Carrier/Phonon BTE Coupled System
机译:
基于载波/声子BTE耦合系统的自洽解决方案的SiGe PfinFET中自加热效果模拟
作者:
Anh-Tuan Pham
;
Seonghoon Jin
;
Yang Lu
;
Hong-Hyun Park
;
Woosung Choi
;
Mohammad Ali Pourghaderi
;
Jongchol Kim
;
Uihui Kwon
;
Daesin Kim
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Phonons;
Silicon germanium;
Silicon;
Scattering;
Thermal conductivity;
Conductivity;
Metals;
46.
Inter-band coupling in Empirical Pseudopotential Method based bandstructure calculations of group IV and III-V nanostructures
机译:
基于经验性伪软障方法的间带耦合基于IV和III-V纳米结构的基于经验性假软障方法
作者:
Denis Rideau
;
Gabriel Mugny
;
Marco Pala
;
David Esseni
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
conduction bands;
energy gap;
III-V semiconductors;
nanostructured materials;
pseudopotential methods;
valence bands;
47.
Surface and Grain-boundary Effects in Copper interconnects Thin Films Modeling with an Atomistic Basis
机译:
铜的表面和晶界效应与原子依据互连薄膜建模
作者:
Daniel Valencia
;
Kuang-Chung Wang
;
Yuanchen Chu
;
Gerhard Klimeck
;
Michael Povolotskyi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Copper;
Conductivity;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Grain boundaries;
Resistance;
Integrated circuit interconnections;
48.
The efficient DTCO Compact Modeling Solutions to Improve MHC and Reduce TAT
机译:
高效的DTCO紧凑型造型解决方案,以改善MHC并减少TAT
作者:
Yohan Kim
;
Udit Monga
;
Jungmin Lee
;
Minkyoung Kim
;
Jaesung Park
;
Chanho Yoo
;
Kyungjin Jung
;
Sungduk Hong
;
Sung Jin Kim
;
Dae Sin Kim
;
Hokyu Kang
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Optimization;
Semiconductor device modeling;
SPICE;
Random access memory;
Geometry;
Mathematical model;
49.
Investigation of the Dynamic Thermal Characteristic in Bulk FinFET
机译:
散装FinFET动态热特性的研究
作者:
Zhanfei Chen
;
Jun Liu
;
Jiachen Zhen
;
Lingling Sun
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Thermal resistance;
Thermal management;
FinFETs;
Capacitance;
Thermal analysis;
Integrated circuit modeling;
50.
Statistical Variability Simulation of Novel Capacitor-less Z2FET DRAM: From Transistor to}Circuit
机译:
小型电容器Z2FET DRAM的统计变异仿真:从晶体管到}电路
作者:
M. Duan
;
B. Cheng
;
F. Adamu-Lema
;
P. Asenov
;
T. Dutta
;
X. Wang
;
V. P. Georgiev
;
C. Millar
;
P. Pfaeffli
;
A. Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Semiconductor process modeling;
Silicon;
Integrated circuit modeling;
Optimization;
Random access memory;
Capacitors;
51.
Predictive TCAD of Cu
2
ZnSnS
4
(CZTS) Solar Cells
机译:
Cu
2 INF> ZNSNS
4 INF>(CZTS)太阳能电池的预测TCAD
作者:
Sundara Murthy Mopurisetty
;
Mohit Bajaj
;
Swaroop Ganguly
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Photovoltaic cells;
Graphene;
Resistance;
Predictive models;
Charge carrier lifetime;
Optical surface waves;
Optical sensors;
52.
A Carrier Lifetime Sensitivity Probe Based on Transient Capacitance: A novel method to Characterize Lifetime in Z2FET
机译:
基于瞬态电容的载流子寿命灵敏度探针:Z2FET在寿命中表征寿命的新方法
作者:
F. Adamu-Lema
;
M. Duan
;
V. Georgiev
;
Prf. A. Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Capacitance;
Transient analysis;
Charge carrier lifetime;
Substrates;
Mathematical model;
Logic gates;
Silicon;
53.
Device Simulation of Negative-Capacitance Field-Effect Transistors With a Ferroelectric Gate Insulator
机译:
具有铁电栅极绝缘子的负电容场效应晶体管的装置模拟
作者:
Junichi Hattori
;
Tsutomu Ikegami
;
Koichi Fukuda
;
Hiroyuki Ota
;
Shinji Migita
;
Hidehiro Asai
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Mathematical model;
Field effect transistors;
Logic gates;
Electrostatics;
Electric potential;
Ferroelectric materials;
54.
Device Modeling of Graded III-N HEMTs for Improved Linearity
机译:
改进线性度分级III-N HEMT的装置建模
作者:
M.G. Ancona
;
J.P. Calame
;
D.J. Meyer
;
S. Rajan
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Mathematical model;
Numerical models;
Linearity;
Gallium nitride;
Logic gates;
55.
N7 FinFET Self-Aligned Quadruple Patterning Modeling
机译:
N7 FinFET自对齐四重标签造型
作者:
Sylvain Baudot
;
Sofiane Guissi
;
Alexey P. Milenin
;
Joseph Ervin
;
Tom Schram
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Analytical models;
Mathematical model;
FinFETs;
Semiconductor device modeling;
Data models;
Fabrication;
56.
Negative-Capacitance FinFETs: Numerical Simulation, Compact Modeling and Circuit Evaluation
机译:
负电容FINFET:数值模拟,紧凑型建模和电路评估
作者:
J. P. Duarte
;
Y.-K. Lin
;
Y.-H. Liao
;
A. Sachid
;
M.-Y. Kao
;
H. Agarwal
;
P. Kushwaha
;
K. Chatterjee
;
D. Kwon
;
H.-L. Chang
;
S. Salahuddin
;
C. Hu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
FinFETs;
Iron;
Capacitance;
Logic gates;
Integrated circuit modeling;
Numerical models;
57.
Quantum Transport Investigation of Threshold Voltage Variability in Sub-10 nm JunctionlessSi Nanowire FETs
机译:
尺寸传输调查阈值电压变异性亚10 NM结纳米纳米线FETS
作者:
Salim Berrada
;
Jaehyun Lee
;
Hamilton Carrillo-Nunez
;
Cristina Medina-Bailon
;
Fikru Adamu-Lema
;
Vihar Georgiev
;
Pr Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Threshold voltage;
Silicon;
Semiconductor process modeling;
Shape;
Doping;
Green's function methods;
58.
DTCO and TCAD for a 12 Layer-EUV Ultra-Scaled Surrounding Gate Transistor 6T-SRAM
机译:
DTCO和TCAD为12层EUV超缩放围绕栅极晶体管6T-SRAM
作者:
P. Matagne
;
H. Nakamura
;
M.-S. Kim
;
Y. Kikuchi
;
T. Huynh-Bao
;
Z. Tao
;
W. Li
;
K. Devriendt
;
L.-A. Ragnarsson
;
J. Boemmels
;
A. Mallik
;
E. Altamirano-Sachez
;
F. Sebaai
;
C. Lorant
;
N. Jourdan
;
C. Porret
;
D. Mocuta
;
N. Harada
;
F. Masuoka
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Computer architecture;
Random access memory;
Microprocessors;
Transistors;
Doping;
Silicon;
59.
PCM compact model: Optimized methodology for model card extraction
机译:
PCM紧凑型:模型卡提取的优化方法
作者:
Corentin Pigot
;
Fabien Gilibert
;
Marina Reyboz
;
Marc Bocquet
;
Jean-Michel Portal
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Mathematical model;
Resistance;
Phase change materials;
Temperature;
Crystallization;
Temperature measurement;
Integrated circuit modeling;
60.
First-principles evaluation of resistance contributions in Ruthenium interconnects for advanced technology nodes
机译:
第一原理评估高级技术节点钌互连的抗性贡献
作者:
Hemant Dixit
;
Jin Cho
;
Francis Benistant
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Conductivity;
Metals;
Scattering;
Resistance;
Grain boundaries;
Integrated circuit interconnections;
Impurities;
61.
VHDL-AMS Thermo-Mechanical Model for Coupled Analysis of Power Module Degradation in Circuit Simulation Environments
机译:
电路仿真环境中电力模块劣化耦合分析的VHDL-AMS热机械模型
作者:
Olufisayo Olanrewaju
;
Alberto Castellazzi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Mathematical model;
Numerical models;
Integrated circuit modeling;
Stress;
Computational modeling;
Strain;
Semiconductor device modeling;
62.
Intelligent DTCO (iDTCO) for next generation logic path-finding
机译:
智能DTCO(IDTCO)用于下一代逻辑路径查找
作者:
Uihui Kwon
;
Takeshi Okagaki
;
Young-seok Song
;
Sungyeol Kim
;
Yohan Kim
;
Minkyoung Kim
;
Ah-young Kim
;
Saetbyeol Ahn
;
Jihye Shin
;
Yonghee Park
;
Jongchol Kim
;
Dae Sin Kim
;
Weiyi Qi
;
Yang Lu
;
Nuo Xu
;
Hong-Hyun Park
;
Jing Wang
;
Woosung Choi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Three-dimensional displays;
Solid modeling;
Optimization;
Layout;
Integrated circuit modeling;
Analytical models;
Transistors;
63.
On the NBTI of Junction-less Nanowire and Novel Operation Scheme to Minimize NBTI Degradation in Analog Circuits
机译:
在结少的纳米线和新型操作方案的NBTI上,以最小化模拟电路中的NBTI劣化
作者:
Hiu Yung Wong
;
Munkang Choi
;
Ravi Tiwari
;
Souvik Mahapatra
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Degradation;
Logic gates;
Transistors;
Analog circuits;
Mathematical model;
64.
An Improved Random Path Length Algorithm for p-i-n and Staircase Avalanche Photodiodes
机译:
P-I-N和楼梯雪崩光电二极管改进的随机路径长度算法
作者:
Alessandro Pilotto
;
Pierpaolo Palestri
;
Luca Selmi
;
Matias Antonelli
;
Fulvia Arfelli
;
Giorgio Biasiol
;
Giuseppe Cautero
;
Francesco Driussi
;
Ralf H. Menk
;
Camilla Nichetti
;
Tereza Steinhartova
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Bandwidth;
PIN photodiodes;
Gallium arsenide;
P-i-n diodes;
Mathematical model;
Gain;
Avalanche photodiodes;
65.
Rapid and Holistic Technology Evaluation for Exploratory DTCO in Beyond 7nm Technologies
机译:
超出7nm技术的探索性DTCO的快速和整体技术评估
作者:
Myung-Hee Na
;
Albert Chu
;
Yoo-Mi Lee
;
Albert Young
;
Vidhi Zalani
;
Hung H. Tran
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Performance evaluation;
Inverters;
FinFETs;
Resistance;
Degradation;
Logic gates;
Standards;
66.
Investigation of the Electrode Materials in Conductive Bridging RAM from First-Principle
机译:
首次原理导电桥柜中电极材料的研究
作者:
F. Ducry
;
K. Portner
;
S. Andermatt
;
M. Luisier
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Electrodes;
Metals;
Annealing;
Atomic layer deposition;
Discrete Fourier transforms;
Shape;
Computational modeling;
67.
TEM based dislocation auto analysis flow of advanced logic devices
机译:
高级逻辑设备的TEM基于脱位自动分析流程
作者:
Seon-Young Lee
;
Ilgyou Shin
;
Sung-Bo Shim
;
Alexander Schmidt
;
Inkook Jang
;
Dae Sin Kim
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Stress;
Semiconductor process modeling;
Performance evaluation;
Analytical models;
Epitaxial growth;
Lattices;
Silicon;
68.
Effect of Defects on the Grain and Grain Boundary Strength in Polycrystalline Copper Thin Films
机译:
缺陷对多晶铜薄膜晶粒边界强度的影响
作者:
Ken Suzuki
;
Fan Yiqing
;
Yifan Luo
;
Hideo Miura
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Grain boundaries;
Copper;
Strain;
Stress;
Reliability;
Deformable models;
Atomic measurements;
69.
High Throughput Simulation On The Impurity-Vacancy Diffusion Mechanism Using First-Principles
机译:
使用初始原理对杂质空缺扩散机制的高吞吐量模拟
作者:
Ignacio Martin-Bragado
;
Yumi Park
;
Christoph Zechner
;
Yong-Seog Oh
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Impurities;
Silicon;
Tin;
Crystals;
Discrete Fourier transforms;
Reliability;
70.
Simulation of Hot-Electron Effects with Multi-band Semiconductor Devices
机译:
用多频段半导体器件仿真热电子效果
作者:
Lars P. Tatum
;
Madeline Sciullo
;
Mark E. Law
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
band structure;
Boltzmann equation;
conduction bands;
Fermi level;
finite element analysis;
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
hot carriers;
III-V semiconductors;
semiconductor device models;
semiconductor device testing;
thermal analysis;
wide ba;
71.
Modelling on Aging Induced Time Dependent Variability of Z2FET for Memory Applications
机译:
老化诱导时间依赖性变异的模拟存储器应用中的Z2FET
作者:
M. Duan
;
B. Cheng
;
C. Medina Bailon
;
F Adamu-Lema
;
P. Asenov
;
C. Millar
;
P. Pfaeffli
;
A. Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Aging;
Degradation;
Semiconductor process modeling;
Logic gates;
Reliability;
Random access memory;
Integrated circuit modeling;
72.
Technique for Asymmetric Source/Drain Resistance Extraction on a Single Gate Length MOSFET
机译:
单个栅极长度MOSFET上的不对称源/漏电电阻提取技术
作者:
Phil Oldiges
;
Chen Zhang
;
Xin Miao
;
Myung Gil Kang
;
Tenko Yamashita
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
semiconductor device measurement;
semiconductor device models;
73.
The Impact of Dopant Diffusion on Random Dopant Fluctuation in Si Nanowire FETs: A Quantum Transport Study
机译:
掺杂剂扩散对Si纳米线FET中随机掺杂物波动的影响:量子传输研究
作者:
Jaehyun Lee
;
Salim Berrada
;
Hamilton Carrillo-Nunez
;
Cristina Medina-Bailon
;
Fikru Adamu-Lema
;
Vihar P. Georgiev
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Ions;
Semiconductor process modeling;
Doping profiles;
Logic gates;
Field effect transistors;
Fluctuations;
74.
The Effect of Etching and Deposition Processes on the Width of Spacers Created during Self-Aligned Double Patterning
机译:
蚀刻和沉积过程对自对准双图案化期间产生的间隔物宽度的影响
作者:
Eberhard Baer
;
Juergen Lorenz
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Etching;
Ions;
Lithography;
Geometry;
Tuning;
Semiconductor device modeling;
75.
Physical Insights on Junction Controllability for Improved Performance of Planar Trigate Tunnel FET as Capacitorless Dynamic Memory
机译:
用于改进平面隧道FET性能的结合可控性的物理见解,作为电容式动态存储器
作者:
Nupur Navlakha
;
Abhinav Kranti
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Junctions;
Logic gates;
TFETs;
Random access memory;
Electric fields;
Measurement;
Analytical models;
76.
Carrier Transport in a Two-Dimensional Topological Insulator Nanoribbon in the Presence of Vacancy Defects.
机译:
在空位缺陷存在下二维拓扑绝缘体纳米中的载流子传输。
作者:
Sabyasachi Tiwari
;
Maarten L. Van de Put
;
Bart Sorée
;
William G. Vandenberghe
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Two dimensional displays;
Couplings;
Lattices;
Scattering;
Green's function methods;
Tunneling;
Lead;
77.
Multiscale Modeling of Ferroelectric Memories: Insights into Performances and Reliability
机译:
铁电记忆的多尺度建模:洞察表演与可靠性
作者:
Milan Pe?iü
;
Valerio Di Lecce
;
Dipankar Pramanik
;
Luca Larcher
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Iron;
Hafnium compounds;
Switches;
Reliability;
Random access memory;
Nonvolatile memory;
Ferroelectric films;
78.
Biaxial Strain based Performance Modulation of Negative-Capacitance FETs
机译:
基于双轴应变的负电容FET性能调制
作者:
Moonhoi Kim
;
Junbeom Seo
;
Mincheol Shin
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Strain;
Hafnium compounds;
Iron;
Performance evaluation;
Capacitance;
Ions;
Field effect transistors;
79.
First Principles Calculations of the Effect of Stress in the I-V Characteristics of the CoSi
2
/Si Interface
机译:
第一个原理计算Cosi
2 SI接口的I-V I-V特性的效果
作者:
Oscar D. Restrepo
;
Qun Gao
;
Shesh M. Pandey
;
Eduardo Cruz-Silva
;
El Mehdi Bazizi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Conductivity;
Tensile stress;
Lattices;
Silicides;
Compressive stress;
80.
Nonequilibrium Green’s function method: Büttiker probes for carrier generation and recombination
机译:
非纤细绿色功能方法:Büttiker用于载体生成和重组的探针
作者:
Kuang-Chung Wang
;
Yuanchen Chu
;
Daniel Valencia
;
Junzhe Geng
;
James Charles
;
Prasad Sarangapani
;
Tillmann Kubis
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Radiative recombination;
Probes;
Scattering;
Charge carrier processes;
Semiconductor process modeling;
Green's function methods;
81.
Nonequilibrium Green’s function method: Transport and band tail predictions in transition metal dichalcogenides
机译:
非纤细绿色功能方法:过渡金属二甲基甲基化物的运输和带尾预测
作者:
Prasad Sarangapani
;
Yuanchen Chu
;
Kuang Chung Wang
;
Daniel Valencia
;
James Charles
;
Tillmann Kubis
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Scattering;
Phonons;
Dielectric constant;
Green's function methods;
Metals;
Transistors;
Atomic layer deposition;
82.
Evidence of fast and low-voltage A2RAM ‘1’ state programming
机译:
快速和低压A2RAM'1'状态编程的证据
作者:
Fran?ois Tcheme Wakam
;
Joris Lacord
;
Maryline Bawedin
;
Sébastien Martinie
;
Sorin Cristoloveanu
;
Jean-Charles Barbé
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Programming;
Logic gates;
Bridge circuits;
Semiconductor process modeling;
Impact ionization;
Electric potential;
Writing;
83.
The influence of carbon in the back-barrier layers on the surface electric field peaks in GaN Schottky diodes
机译:
甘肖特基二极管表面电场峰对后阻挡层的影响
作者:
Benoit Bakeroot
;
Brice De Jaeger
;
Nicolò Ronchi
;
Steve Stoffels
;
Ming Zhao
;
Stefaan Decoutere
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Carbon;
Two dimensional hole gas;
Electric fields;
Schottky diodes;
Gallium nitride;
Electric potential;
Silicon;
84.
Compact Modelling of Single Event Transient in Bulk MOSFET for SPICE: Application to Elementary Circuit
机译:
Spice散装MOSFET中单事件瞬态的紧凑型模型:初级电路应用
作者:
Neil Rostand
;
Sébastien Martinie
;
Joris Lacord
;
Olivier Rozeau
;
Olivier Billoint
;
Jean-Charles Barbé
;
Thierry Poiroux
;
Guillaume Hubert
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Integrated circuit modeling;
MOSFET;
SRAM cells;
Shift registers;
Semiconductor device modeling;
Hardware design languages;
Electrodes;
85.
A General Approach for Deformation Induced Stress on Flexible Electronics
机译:
变形诱导应力对柔性电子的一般方法
作者:
Heetaek Lim
;
Sungwon Kong
;
Eric Guichard
;
Andreas Hoessinger
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Strain;
Stress;
Finite element analysis;
Deformable models;
Thin film transistors;
Substrates;
Structural beams;
86.
Atomistic Design of Quantum Biomimetic Electronic Nose
机译:
量子仿生电子鼻子原子设计
作者:
Swetapadma Sahoo
;
Nidhi Pandey
;
Dipankar Saha
;
Swaroop Ganguly
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
biological techniques;
biomimetics;
chemioception;
electronic noses;
tunnelling spectroscopy;
87.
14nm FinFET Device Boost via 2nd Generation Fins Optimized for High Performance CMOS Applications
机译:
14NM FinFET设备通过2ND生成翅片进行高性能CMOS应用程序
作者:
E. M. Bazizi
;
E. K. Banghart
;
B. Zhu
;
J. H. M. Tng
;
F. Benistant
;
Y. Hu
;
X. He
;
D. Zhou
;
H.-C. Lo
;
D. Choi
;
J. G. Lee
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Performance evaluation;
Potential well;
Charge carrier processes;
Hardware;
Current density;
FinFETs;
Degradation;
88.
Steady-State Empirical Model for Electrical Activation of Silicon-Implanted Gallium Nitride
机译:
硅植入氮化镓电激活的稳态实体模型
作者:
Alexander Toifl
;
Vito ?imonka
;
Andreas H?ssinger
;
Siegfried Selberherr
;
Josef Weinbub
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Annealing;
Semiconductor process modeling;
Silicon;
Doping;
Mathematical model;
Silicon carbide;
89.
Compact modeling of normally-on mosfet applicable for any technology generations
机译:
适用于任何技术代的正常MOSFET的紧凑型造型
作者:
T. Iizuka
;
Y. Hirano
;
T. Umeda
;
H. Kikuchihara
;
H. Miyamoto
;
D. Navarro
;
M. Miura-Mattausch
;
H. J. Mattausch
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Mathematical model;
MOSFET;
Semiconductor device modeling;
Simulation;
Poisson equations;
Junctions;
90.
Comparison of basis sets for efficient Ab-initio modeling of semiconductors
机译:
半导体高效AB-INITIO建模的基础集的比较
作者:
Dhirendra Vaidya
;
Saurabh Lodha
;
Swaroop Ganguly
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Slabs;
Photonic band gap;
Nickel;
Schottky barriers;
Lattices;
Discrete Fourier transforms;
Germanium;
91.
Modeling of BTI-aging V
T
stability for advanced planar and FinFET SRAM reliability
机译:
BTI-aging V
T ING>高级平面和FINFET SRAM可靠性的型号
作者:
Y.-H. Lee
;
J. H. Lee
;
Y.S. Tsai
;
S. Mukhopadhyay
;
Y.F. Wang
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
FinFETs;
Stress;
Random access memory;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Degradation;
92.
The impact of vacancy defects on CNT interconnects: From statistical atomistic study to circuit simulations
机译:
空位缺陷对CNT互连的影响:从统计原子学研究到电路模拟
作者:
Jaehyun Lee
;
Salim Berrada
;
Jie Liang
;
Toufik Sadi
;
Vihar P. Georgiev
;
Aida Todri-Sanial
;
Dipankar Kalita
;
Raphael Ramos
;
Hanako Okuno
;
Jean Dijon
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Integrated circuit interconnections;
Resistance;
Delay effects;
Carbon nanotubes;
Scattering;
Integrated circuit modeling;
Circuit simulation;
93.
Atomistic simulation of band-to-band tunneling in SiGe: Influence of alloy scattering
机译:
SiGE中带状带隧穿的原子模拟:合金散射的影响
作者:
Hong-Hyun Park
;
Seonghoon Jin
;
Woosung Choi
;
Mathieu Luisier
;
Jongchol Kim
;
Keun-Ho Lee
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Metals;
Silicon germanium;
Scattering;
Silicon;
Tunneling;
Electric fields;
Analytical models;
94.
Evaluation of reconfigurable tunnel FETs for low power and high performance operation
机译:
用于低功耗和高性能操作的可重构隧道FET的评估
作者:
Stefan Blawid
;
Denise L.M. de Andrade
;
Florian Wolf
;
Sven Mothes
;
Martin Claus
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Numerical models;
Inverters;
Integrated circuit modeling;
Mathematical model;
TFETs;
95.
Simulation of doping effect for HfOi-based RRAM based on first-principles calculations
机译:
基于第一原理计算的基于HFOI的RRAM掺杂效应的模拟
作者:
Wei Wei
;
Xichen Chuai
;
Nianduan Lu
;
Yan Wang
;
Ling Li
;
Cong Ye
;
Ming Liu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Hafnium compounds;
Doping;
Performance evaluation;
Energy states;
Switches;
Resistance;
Semiconductor process modeling;
96.
2D-TCAD simulation on retention time of Z2FET for DRAM application
机译:
2D-TCAD仿真对DRAM应用的Z2FET保留时间
作者:
M. Duan
;
F. Adam-Lema
;
B. Cheng
;
C. Navarro
;
X. Wang
;
V. P. Georgiev
;
F. Gamiz
;
C. Millar
;
A. Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Random access memory;
Electric potential;
Anodes;
Degradation;
Charge carrier processes;
Temperature dependence;
97.
Modeling of black phosphorus vertical TFETs without chemical doping for drain
机译:
黑色磷垂直TFET的建模,无需化学掺杂
作者:
Shang-Chun Lu
;
Youngseok Kim
;
Matthew J. Gilbert
;
Umberto Ravaioli
;
Mohamed Y. Mohamed
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Tunneling;
Phosphorus;
Two dimensional displays;
Doping;
Discrete Fourier transforms;
98.
Fast evaluation of continuous-RX impact on performance for strained FDSOI
机译:
快速评估连续RX对应变FDSOI性能的影响
作者:
J. Lacord
;
M.-A. Jaud
;
T. Poiroux
;
J.-Ch. Barbé
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Stress;
Performance evaluation;
Silicon-on-insulator;
Silicon germanium;
Strain;
Logic gates;
Layout;
99.
An accurate metric to control time step of transient device simulation by matrix exponential method
机译:
通过矩阵指数方法控制瞬态设备仿真时间步长的精确度量
作者:
Shigetaka Kumashiro
;
Tatsuya Kamei
;
Akira Hiroki
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Measurement;
Transient analysis;
Mathematical model;
Finite wordlength effects;
Taylor series;
Transient response;
Time factors;
100.
A SPICE-compatible model of SG-MONOS for 28nm flash macro design considering the parasitic resistance caused by trapped charges
机译:
考虑到捕获电荷引起的寄生电阻,SG-Monos的SG-Monos SG-Monos型号兼容模型
作者:
Risho Koh
;
Mitsuru Miyamori
;
Katsumi Tsuneno
;
Tetsuya Muta
;
Yoshiyuki Kawashima
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Resistance;
Fitting;
Transistors;
Split gate flash memory cells;
MONOS devices;
Logic gates;
Electric potential;
上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
下一页
意见反馈
回到顶部
回到首页