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IEEE International Memory Workshop
IEEE International Memory Workshop
召开年:
2019
召开地:
Monterey(US)
出版时间:
-
会议文集:
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1.
Improvement of conduction in 3-D NAND memory devices by channel and junction optimization
机译:
通过通道和结优化来改善3-D NAND存储器件的导电性
作者:
Antonio Arreghini
;
Kaustuv Banerjee
;
Devin Verreck
;
Senthil Vadakupudhu Palayam
;
Erik Rosseel
;
Laura Nyns
;
Geert Van den bosch
;
Arnaud Furnémont
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Junctions;
Ions;
Performance evaluation;
Logic gates;
Grain size;
Substrates;
Grain boundaries;
2.
Data Pattern Memory Variation Aware Fine-Grained ECC Optimized by Neural Network for 3D-TLC NAND Flash Memories with 2.0x Data-Retention Time Extension and 30 Parity Overhead Reduction
机译:
由神经网络优化的数据模式和内存变化感知细粒度ECC,用于3D-TLC NAND闪存,具有2.0倍的数据保留时间扩展和30%的奇偶校验开销降低
作者:
Toshiki Nakamura
;
Shun Suzuki
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Error correction codes;
Reliability;
Proposals;
Flash memories;
Decoding;
Training;
Artificial neural networks;
3.
Read Disturb Evaluations of 3D NAND Flash for Highly Read-Intensive Edge-Computing Inference Device for Artificial Intelligence Applications
机译:
用于人工智能应用的高度读取密集型边缘计算推理设备的3D NAND闪存的读取干扰评估
作者:
Pei-Ying Du
;
Hang-Ting Lue
;
Tzu-Hsuan Hsu
;
Chih-Chang Hsieh
;
Wei-Chen Chen
;
Kuo-Ping Chang
;
Keh-Chung Wang
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Flash memories;
Three-dimensional displays;
Stress;
Artificial intelligence;
Transistors;
Performance evaluation;
Logic gates;
4.
2T-SONOS Cell Using Novel Process Integration on HV-CMOS Platform for Versatile Application
机译:
在HV-CMOS平台上使用新型工艺集成的2T-SONOS电池,用途广泛
作者:
Sung-Kun Park
;
Young-Jun Kwon
;
Tae-Ho Lee
;
Woo Young Choi
;
Gyuhan Yoon
;
Jun-Ho Lee
;
Seung-Duk Kim
;
Young-Dong Joo
;
Bok-Nam Song
;
In-Wook Cho
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Programming;
IP networks;
SONOS devices;
Channel hot electron injection;
Nonvolatile memory;
Contamination;
5.
A Semiconductor Approach for Scalable Quantum Computation
机译:
一种可扩展量子计算的半导体方法
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
quantum computing;
6.
Physical Origin of Excellent Data Retention over 10years at sub-
$mu mathrm{A}$
Operation in AgW-Alloy Ionic Memory
机译:
AgW-Alloy离子存储器中亚
$ mu mathrm {A} $ text>操作下10年来出色的数据保留的物理起源
作者:
Marina Yamaguchi
;
Shosuke Fujii
;
Yoko Yoshimura
;
Riki Nagasawa
;
Yoshihiro Asayama
;
Hiroki Shirakawa
;
Masaaki Araidai
;
Kenji Shiraishi
;
Takashi Nakayama
;
Masumi Saitoh
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Atomic layer deposition;
Silicon;
Electrodes;
Electrolytes;
Alloying;
Performance evaluation;
7.
Study of Self-Healing 3D NAND Flash with Micro Heater to Improve the Performances and Lifetime for Fast NAND in NVDIMM Applications
机译:
研究带有微加热器的自愈式3D NAND闪存,以提高NVDIMM应用中快速NAND的性能和寿命
作者:
Tzu-Hsuan Hsu
;
Hang-Ting Lue
;
Pei-Ying Du
;
Wei-Chen Chen
;
Teng-Hao Yeh
;
Roger Lo
;
Hung-Sheng Chang
;
Keh-Chung Wang
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Flash memories;
Three-dimensional displays;
Heating systems;
Programming;
Random access memory;
Temperature measurement;
Annealing;
8.
Impact of SiON tunnel layer composition on 3D NAND cell performance
机译:
SiON隧道层组成对3D NAND单元性能的影响
作者:
L. Breuil
;
L. Nyns
;
K. Banerjee
;
S. Vadakupudhu Palayam
;
A. Subirats
;
O. Richard
;
T. Conard
;
G. Van den Bosch
;
A. Furnémont
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Dielectrics;
Computer architecture;
Three-dimensional displays;
Microprocessors;
Programming;
SONOS devices;
9.
Novel Logic Non-Volatile Memory with Highly Reliable Performances for Autotronic Application
机译:
具有适用于汽车电子应用的高性能的新型逻辑非易失性存储器
作者:
Chun Hsiao Li
;
Hsueh Wei Chen
;
Hung Yi Liao
;
Wei Ren Chen
;
Wein Town Sun
;
Te Hsun Hsu
;
CY Lin
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Nonvolatile memory;
Erbium;
Programming;
Reliability;
Fabrication;
Ions;
Substrates;
10.
Spin-Orbit Torque MRAM for ultrafast embedded memories: from fundamentals to large scale technology integration
机译:
自旋轨道扭矩MRAM用于超快速嵌入式存储器:从基础到大规模技术集成
作者:
Kevin Garello
;
Farrukh Yasin
;
Gouri Sankar Kar
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Magnetic tunneling;
Torque;
Current density;
Magnetic anisotropy;
Reliability;
Performance evaluation;
11.
Uniting The Trinity of Ferroelectric HfO
2
Memory Devices in a Single Memory Cell
机译:
在单个存储单元中将铁电HfO
2 inf>存储设备的三位一体
作者:
Stefan Slesazeck
;
Viktor Havel
;
Evelyn Breyer
;
Halid Mulaosmanovic
;
Michael Hoffmann
;
Benjamin Max
;
Stefan Duenkel
;
Thomas Mikolajick
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Capacitors;
Logic gates;
Nonvolatile memory;
Random access memory;
Transistors;
Ferroelectric films;
Sensors;
12.
Superb Endurance and Appropriate Vth of PCM Pillar Cell using Buffer Layer for 3D Cross-Point Memory
机译:
使用3D交叉点存储器的缓冲层,PCM柱状单元具有出色的耐久性和适当的Vth
作者:
N. Gang
;
W.C. Chien
;
A. Ray
;
L.M. Gignac
;
C.W. Yeh
;
C.H. Yang
;
R.L. Bruce
;
H.Y. Cheng
;
W. Kim
;
I.T. Kuo
;
C.W. Cheng
;
F. Carta
;
J.M. Papalia
;
E.K. Lai
;
H.L. Lung
;
M. BrightSky
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Phase change materials;
Buffer layers;
Three-dimensional displays;
Phase change memory;
Electrodes;
Resistance;
Robustness;
13.
Enabling STT-MRAM in High Volume Manufacturing for LLC Applications
机译:
在LLC应用的大批量生产中启用STT-MRAM
作者:
R. Whig
;
C. Ching
;
X. Wang
;
P. Agrawal
;
D. Kim
;
R. Wang
;
J. Lei
;
R. Zheng
;
L. Xue
;
J. Ahn
;
H. Tseng
;
S. Kumar
;
W. Zhou
;
E. Budiarto
;
T. Egan
;
S. Venkatanarayanan
;
N. Khasgiwale
;
W. Chen
;
C. Zhou
;
M. Pakala
;
K. Moraes
;
X. Tang
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Magnetic tunneling;
Thickness measurement;
Monitoring;
Optimization;
Performance evaluation;
Metrology;
Annealing;
14.
IMW 2019 Summary of Events
机译:
IMW 2019活动摘要
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
15.
IMW 2019 Schedule
机译:
IMW 2019时间表
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
16.
IMW 2019 Technical Program
机译:
IMW 2019技术计划
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
17.
From Silicon CMOS Technology to Spin Qubits
机译:
从硅CMOS技术到自旋量子位
作者:
Louis Hutin
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
CMOS integrated circuits;
elemental semiconductors;
quantum computing;
silicon;
18.
Principles and Challenges for Binary Oxide Based Ferroelectric Memory FeFET
机译:
二元氧化物基铁电存储器FeFET的原理和挑战
作者:
T. Ali
;
P. Polakowski
;
T. Büttner
;
T. Kämpfe
;
M. Rudolph
;
B. Pätzold
;
R. Hoffmann
;
M. Czernohorsky
;
K. Kühnel
;
P. Steinke
;
L. M. Eng
;
K. Seidel
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Iron;
Silicon;
Nonvolatile memory;
Random access memory;
Ferroelectric films;
Scalability;
Switches;
19.
Ultra-Low Standby Power Embedded SRAM Design Techniques for Smart IoT Applications
机译:
适用于智能物联网应用的超低待机功率嵌入式SRAM设计技术
作者:
Koji Nii
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Random access memory;
Internet of Things;
Very large scale integration;
CMOS technology;
Imaging;
Sensors;
Performance evaluation;
20.
Direct insight to SRAM array devices in advanced FinFET nodes by large scale ultra-fast in-situ characterization
机译:
通过大规模超快速原位表征,直接洞察高级FinFET节点中的SRAM阵列器件
作者:
Yuncheng Song
;
Randy Mann
;
Sheng Xie
;
Lucile C. Teague Sheridan
;
Joseph Versaggi
;
Dapeng Sun
;
Chong Khiam Oh
;
Dirk Fimmel
;
Daniel Marienfeld
;
Matthias Hoffmann
;
Wolfgang Finger
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Semiconductor device measurement;
Logic gates;
Stress;
SRAM cells;
Voltage measurement;
FinFETs;
21.
Scaling Split-Gate Flash Memory Technology for Advanced MCU and Emerging Applications
机译:
为高级MCU和新兴应用扩展扩展栅门闪存技术
作者:
N. Do
;
J. Kim
;
S. Lemke
;
L. Tee
;
Y. Tkachev
;
X. Liu
;
P. Ghazavi
;
F. Zhou
;
B. Villard
;
S. Jourba
;
C. Decobert
;
S. Hong
;
T. Vu
;
S. Trinh
;
A. Ly
;
H. Tran
;
V. Tiwari
;
M. Reiten
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Computer architecture;
Microprocessors;
Logic gates;
Split gate flash memory cells;
Nonvolatile memory;
Programming;
FinFETs;
22.
Co-Design of DNN Model Optimization for Binary ReRAM Array In-Memory Processing
机译:
二进制ReRAM阵列内存中处理的DNN模型优化的协同设计
作者:
Yue Guan
;
Takashi Ohsawa
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Fluctuations;
Hardware;
Fabrication;
Resistance;
Training;
Optimization;
Parallel processing;
23.
40nm embedded Select in Trench Memory (eSTM) Technology Overview
机译:
Trench Memory(eSTM)技术中的40nm嵌入式Select Select
作者:
F. La Rosa
;
S. Niel
;
A. Regnier
;
F. Maugain
;
M. Mantelli
;
A. Conte
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Computer architecture;
Nonvolatile memory;
Programming;
Microcontrollers;
Transistors;
Split gate flash memory cells;
24.
Synaptic Devices Based on 3-D AND Flash Memory Architecture for Neuromorphic Computing
机译:
基于3-D AND闪存架构的突触设备用于神经形态计算
作者:
Yoohyun Noh
;
Yungtak Seo
;
Byunggook Park
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Computer architecture;
Microprocessors;
Logic gates;
Neuromorphics;
Performance evaluation;
Three-dimensional displays;
Flash memories;
25.
The Method of Predicting Retention Threshold Voltage Distribution for NAND Flash Memory Based on Back-Propagation Neural Network
机译:
基于反向传播神经网络的NAND闪存保持阈值电压分布预测方法
作者:
Kunliang Wang
;
Gang Du
;
Zhiyuan Lun
;
Xiaoyan Liu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Flash memories;
Voltage measurement;
Threshold voltage;
Data models;
Decoding;
Predictive models;
Time measurement;
26.
Retention Characteristics of Hf
0.5
Zr
0.5
O
2
-Based Ferroelectric Tunnel Junctions
机译:
基于Hf
0.5 inf> Zr
0.5 inf> O
2 inf>的铁电隧道结的保持特性
作者:
Benjamin Max
;
Thomas Mikolajick
;
Michael Hoffmann
;
Stefan Slesazeck
;
Thomas Mikolajick
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Aluminum oxide;
Electrodes;
Current measurement;
Switches;
Tunneling;
Junctions;
Voltage measurement;
27.
Switching Speed Analysis and Controlled Oscillatory Behavior of a Cr-Doped V
2
O
3
Threshold Switching Device for Memory Selector and Neuromorphic Computing Application
机译:
Cr掺杂的V
2 inf> O
3 inf>阈值切换装置的开关速度分析和可控振荡行为,用于存储器选择器和神经形态计算应用
作者:
T. Hennen
;
D. Bedau
;
J. A. J. Rupp
;
C. Funck
;
S. Menzel
;
M. Grobis
;
R. Waser
;
D. J. Wouters
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Resistance;
Oscillators;
Temperature;
Temperature measurement;
Trajectory;
Temperature dependence;
28.
Quantification of Compositional Runaway during Electroformation in TaO
x
Resistive Switching Devices
机译:
TaO
x inf>电阻开关器件电铸过程中成分失控的定量
作者:
Yuanzhi Ma
;
Jonathan Goodwill
;
Marek Skowronski
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Resistance;
Ions;
Feedback loop;
Temperature measurement;
Temperature distribution;
29.
Retention and Endurance of FeFET Memory Cells
机译:
FeFET存储单元的保留和耐久性
作者:
T.P. Ma
;
Nanbo Gong
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Hafnium compounds;
Electron traps;
Silicon;
Erbium;
Buffer layers;
Logic gates;
Substrates;
30.
Neuromorphic computing based on Analog ReRAM as low power solution for edge application
机译:
基于Analog ReRAM的神经形态计算作为边缘应用的低功耗解决方案
作者:
Takumi Mikawa
;
Ryutaro Yasuhara
;
Koji Katayama
;
Kazuyuki Kouno
;
Takashi Ono
;
Reiji Mochida
;
Yuriko Hayata
;
Masayoshi Nakayama
;
Hitoshi Suwa
;
Yasushi Gohou
;
Toru Kakiage
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Power demand;
Reliability;
Computer architecture;
Microprocessors;
Neuromorphics;
Biological neural networks;
31.
High Speed, Low Power, and Ultra-Small Operating Platform with Three-Dimensional Integration (3DI) by Bumpless Interconnects
机译:
通过无扰互连实现三维集成(3DI)的高速,低功耗和超小型操作平台
作者:
Koji Sakui
;
Takayuki Ohba
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Through-silicon vias;
Three-dimensional displays;
Silicon;
Integrated circuit interconnections;
Random access memory;
Two dimensional displays;
Impedance;
32.
High Temperature Challenge for PCM as enabler for a wide applications spectrum
机译:
PCM作为广泛应用的推动者面临的高温挑战
作者:
P. Zuliani
;
F. Disegni
;
L. Croce
;
R. Annunziata
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Crystallization;
Phase change materials;
Programming;
Temperature distribution;
Phase change memory;
Soldering;
Resistance;
33.
Single-Element Phase Change Memory
机译:
单元素相变存储器
作者:
Martin Salinga
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Phase change materials;
Phase change memory;
Switches;
Crystal growth;
Resistance;
Nanowires;
34.
Outstanding Improvement in 4Kb Phase-Change Memory of Programming and Retention Performances by Enhanced Thermal Confinement
机译:
通过增强的热限制,对4Kb相变存储器的编程和保持性能进行了出色的改进
作者:
A. L. Serra
;
O. Cueto
;
N. Castellani
;
J. Sandrini
;
G. Bourgeois
;
N. Bernier
;
M. C. Cyrille
;
J. Garrione
;
M. Bernard
;
V. Beugin
;
A. André
;
J. Guerrero
;
G. Navarro
;
E. Nowak
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Phase change materials;
Encapsulation;
Silicon carbide;
Resistance;
Programming;
Thermal conductivity;
35.
Solution for PCM and OTS Intermixing on Cross-Point Phase Change Memory
机译:
交叉点相变存储器上PCM和OTS混合的解决方案
作者:
W.C. Chien
;
L.M. Gignac
;
N. Gong
;
C.W. Yeh
;
C.H. Yang
;
R.L. Bruce
;
H.Y. Cheng
;
J.M. Papalia
;
H. Miyazoe
;
C.W. Cheng
;
W. Kim
;
I.T. Kuo
;
F. Carta
;
A. Ray
;
E.K. Lai
;
M. BrightSky
;
H.L. Lung
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Phase change materials;
Buffer layers;
Video recording;
Annealing;
Phase change memory;
Degradation;
Threshold voltage;
36.
Tunable Performances in OTS Selectors Thanks to Ge
3
Se
7
-As
2
Te
3
机译:
Ge
3 inf> Se
7 inf> -As
2 inf> Te
3 inf>在OTS选择器中的可调性能
作者:
A. Verdy
;
M. Bernard
;
N. Castellani
;
P. Noé
;
J. Garrione
;
G. Bourgeois
;
M. C. Cyrille
;
G. Navarro
;
E. Nowak
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Thermal stability;
Switches;
Metals;
Stability analysis;
Compounds;
Threshold voltage;
37.
Embedded Resistive Switching Non-Volatile Memory Technology for 28nm and Beyond High-k Metal-Gate Generations
机译:
嵌入式电阻开关非易失性存储器技术,适用于28nm及以后的高k金属门
作者:
Steve S. Chung
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Nonvolatile memory;
Logic gates;
Aluminum oxide;
Hafnium compounds;
Resistance;
Computer architecture;
Switches;
38.
First Demonstration of
$ext{In}_{1-mathrm{x}}ext{Ga}_{mathrm{x}}ext{As}$
Macaroni Channel for Future 3-D NAND
机译:
第一次演示
$ text {In} _ {1-1-mathrm {x}} text {Ga} _ { mathrm {x}} text {As} $ tex>通心粉通向未来3 -D NAND
作者:
S. Ramesh
;
S. Vadakupudhu Palayam
;
E. Rosseel
;
A. Arreghini
;
B. Kunert
;
M. Baryshnikova
;
L. Zhang
;
P. Ong
;
L. Teugels
;
M. Pak
;
N. Jossart
;
T. Raymaekers
;
J. Stiers
;
G. Van den Bosch
;
A. Furnemont
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Indium gallium arsenide;
Ions;
Annealing;
Performance evaluation;
Logic gates;
Epitaxial growth;
Silicon;
39.
Highly Sb-Rich Ge-Sb-Te Engineering in 4Kb Phase-Change Memory for High Speed and High Material Stability Under Cycling
机译:
4Kb相变存储器中的高度富Sb的Ge-Sb-Te工程可在循环下实现高速和高材料稳定性
作者:
G. Navarro
;
C. Sabbione
;
M. Bernard
;
G. Bourgeois
;
J. Sandrini
;
N. Castellani
;
O. Cueto
;
J. Garrione
;
M. C. Cyrille
;
M. Frei
;
L. Nistor
;
N. Bernier
;
F. Fillot
;
E. Nolot
;
C. Socquet-Clerc
;
T. Magis
;
F. Laulagnet
;
M. Pakala
;
E. Nowak
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Phase change materials;
Germanium;
Programming;
Resistance;
Performance evaluation;
Reliability;
Annealing;
40.
Selector-Free Cross-Point Memory Architecture Based on Ferroelectric MFM Capacitors
机译:
基于铁电MFM电容器的无选择器交叉点存储器架构
作者:
W. Chen
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Computer architecture;
Microprocessors;
Magnetic cores;
Capacitors;
Magnetic hysteresis;
Sensors;
Magnetic fields;
41.
Ferroelectric HfO
2
for Memory Applications: Impact of Si Doping Technique and Bias Pulse Engineering on Switching Performance
机译:
存储器应用中的铁电HfO
2 inf>:硅掺杂技术和偏置脉冲工程对开关性能的影响
作者:
T. Francois
;
J. Coignus
;
L. Grenouillet
;
J.P. Barnes
;
N. Vaxelaire
;
J. Ferrand
;
I. Bottala-Gambetta
;
M. Gros-Jean
;
S. Jeannot
;
P. Boivin
;
P. Chiquet
;
M. Bocquet
;
E. Nowak
;
F. Gaillard
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Doping;
Hafnium compounds;
Ion implantation;
Switches;
Performance evaluation;
Tin;
42.
Intelligent Computing with RRAM
机译:
带RRAM的智能计算
作者:
Peng Yao
;
Wenqiang Zhang
;
Meiran Zhao
;
Yudeng Lin
;
Wei Wu
;
Bin Gao
;
He Qian
;
Huaqiang Wu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Training;
Computer architecture;
Reliability;
Microelectronics;
Performance evaluation;
Switches;
Optimization;
43.
Nanoscale filaments in Ta-O resistive RAM bit array: microscopy analysis and switching property
机译:
Ta-O电阻RAM位阵列中的纳米级细丝:显微镜分析和开关特性
作者:
M. Arita
;
A. Tsurumaki-Fukuchi
;
Y. Takahashi
;
S. Muraoka
;
S. Ito
;
S. Yoneda
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Tantalum;
Resistors;
Resistive RAM;
Microscopy;
Degradation;
44.
Training Neural Networks using Memristive Devices with Nonlinear Accumulative Behavior
机译:
使用具有非线性累积行为的忆阻器件训练神经网络
作者:
Christophe Piveteau
;
Manuel Le Gallo
;
Riduan Khaddam-Aljameh
;
Abu Sebastian
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Training;
Phase change materials;
Performance evaluation;
Phase change memory;
Biological neural networks;
Arrays;
45.
Building Next-Generation AI systems: Co-Optimization of Algorithms, Architectures, and Nanoscale Memristive Devices
机译:
构建下一代AI系统:算法,架构和纳米级忆阻设备的共同优化
作者:
Bipin Rajendran
;
Abu Sebastian
;
Evangelos Eleftheriou
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Neurons;
Nanoscale devices;
Computer architecture;
Heuristic algorithms;
Biological neural networks;
Deep learning;
Buildings;
46.
Experimental Determination of the Driving Force for Switching in TiN/a-Si/TiO
x
/TiN RRAM Devices
机译:
TiN / a-Si / TiO
x inf> / TiN RRAM器件中开关驱动力的实验确定
作者:
Subhali Subhechha
;
Robin Degraeve
;
Philippe Roussel
;
Ludovic Goux
;
Kristin De Meyer
;
Jan Van Houdt
;
Gouri Sankar Kar
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Threshold voltage;
Force;
Monitoring;
Current measurement;
Transient analysis;
Modulation;
47.
Analysis on Heterogeneous SSD Configuration with Quadruple-Level Cell (QLC) NAND Flash Memory
机译:
具有四级单元(QLC)NAND闪存的异构SSD配置的分析
作者:
Yoshiki Takai
;
Mamoru Fukuchi
;
Reika Kinoshita
;
Chihiro Matsui
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Flash memories;
Energy consumption;
Microprocessors;
Computer architecture;
Nonvolatile memory;
Cache memory;
Resistive RAM;
48.
Integration of OTS based back-end selector with HfO
2
OxRAM for crossbar arrays
机译:
基于OTS的后端选择器与HfO
2 inf> OxRAM集成,用于交叉开关阵列
作者:
D. Alfaro Robayo
;
G. Sassine
;
L. Grenouillet
;
C. Carabasse
;
T. Martin
;
N. Castellani
;
A. Verdy
;
G. Navarro
;
L. Ciampolini
;
B. Giraud
;
M. Bernard
;
T. Magis
;
V. Beugin
;
E. Vianello
;
G. Ghibaudo
;
G. Molas
;
E. Nowak
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Threshold voltage;
Leakage currents;
Voltage measurement;
Current measurement;
Hafnium compounds;
Pulse measurements;
49.
Reliability challenges in 3D NAND Flash memories
机译:
3D NAND闪存中的可靠性挑战
作者:
Cristian Zambelli
;
Rino Micheloni
;
Piero Olivo
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Flash memories;
Three-dimensional displays;
Reliability;
Signal processing algorithms;
Error correction codes;
Signal processing;
Machine learning algorithms;
50.
Performance Enhancement of Edge-AI-Inference Using Commodity MRAM: IoT Case Study
机译:
使用商品MRAM增强Edge-AI推理的性能:物联网案例研究
作者:
Manan Suri
;
Abhishek Gupta
;
Vivek Parmar
;
Kang Ho Lee
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Random access memory;
Artificial intelligence;
Pipelines;
Field programmable gate arrays;
Artificial neural networks;
Nonvolatile memory;
Computer architecture;
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