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China Semiconductor Technology International Conference
China Semiconductor Technology International Conference
召开年:
2015
召开地:
Shanghai(CN)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Slurry selectivity to local thickness variations control in advanced Cu CMP process
机译:
先进Cu CMP工艺中浆料对局部厚度变化控制的选择性
作者:
Kuang-Wei Chen
;
Tung-He Chou
;
Syue-Ren Wu
;
Chun-Fu Chen
;
Yung-Tai Hung
;
Tuung Luoh
;
Ling-Wuu Yang
;
Tahone Yang
;
Kuang-Chao Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
2.
STI gap-fill optimization for advanced nodes
机译:
先进节点的STI间隙填充优化
作者:
Jun Yang
;
Yan Yan
;
Hao Deng
;
Beichao Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
3.
Stress control on plasma resistant ceramic coating
机译:
耐等离子陶瓷涂层的应力控制
作者:
Li Zhang
;
Xingjian Chen
;
Guofeng Yao
;
Bing Xu
;
Su Carl
;
Xiaoming He
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
4.
Stress measurements on TSVs and BEoL structures with high spatial resolution
机译:
高空间分辨率对TSV和BEoL结构进行应力测量
作者:
Vogel Dietmar
;
Auerswald Ellen
;
Auersperg Juergen
;
Rzepka Sven
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
5.
Study of CDSEM measurement issue caused by wafer charging
机译:
晶圆充电引起的CDSEM测量问题的研究
作者:
Qiang Zhang
;
Guogui Deng
;
Bin Xing
;
Jingan Hao
;
Qiang Wu
;
Yishi Lin
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
6.
Study of the ADR rinse effect on special residual type defect
机译:
ADR漂洗对特殊残留型缺陷影响的研究
作者:
Bin Xing
;
Jingan Hao
;
Guogui Deng
;
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
7.
Sub resolution assist feature study in 28nm node poly lithographic process
机译:
28nm节点多晶光刻工艺中的亚分辨率辅助特征研究
作者:
Xiaoming Mao
;
Zhengkai Yang
;
Xiaobo Guo
;
Zhifeng Gan
;
Biqiu Liu
;
Zhibiao Mao
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
8.
Sub-resolution assist feature (SRAF) study for active area immersion lithography
机译:
用于有源区浸没式光刻的亚分辨率辅助特征(SRAF)研究
作者:
Deping Kong
;
Manhua Shen
;
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
Sub-resolution assist feature (SRAF);
active area (AA);
common depth of focus;
focus process window;
image contrast;
photolithography;
reverse scattering bar (RSB);
scattering bar (SB);
9.
Surface modification of hydrogenated amorphous carbon (a-C: H) films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
机译:
通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备的氢化非晶碳(a-C:H)膜的表面改性
作者:
Lihong Xiao
;
Zhou Eric
;
Huanxi Liu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
Amorphous carbon;
O3 etch;
Oxidation;
PECVD;
10.
Synthesis of monolayer MoS
2
with seed promoters by chemical vapor deposition at low temperature
机译:
低温化学气相沉积合成含种子促进剂的单层MoS
2 inf>
作者:
Gu Pinchao
;
Zhang Kailiang
;
Feng Yulin
;
Wang Fang
;
Miao Yinping
;
Han Yemei
;
Cao Rongrong
;
Zhang Hanxia
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
11.
Technology for polymer-based integrated optical interferometric sensors fabricated by hot-embossing and printing
机译:
通过热压印和印刷制造基于聚合物的集成光学干涉传感器的技术
作者:
Yanfen Xiao
;
Hofmann Meike
;
Sherman Stanislav
;
Yixiao Wang
;
Hans Zappe
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
12.
The connections between dark rings and efficiency the analysis of low efficiency in monocrystalline silicon solar cell
机译:
单晶硅太阳能电池黑环与效率的联系及低效率分析
作者:
Peidong Liu
;
Linjun Chen
;
Caijun Luo
;
Hao Deng
;
Jing Li
;
Rui Zhou
;
Xinqiang Wang
;
Liangping Deng
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
13.
The detection and investigation of SRAM data retention soft failures by voltage contrast inspection
机译:
通过电压对比检查检测和调查SRAM数据保留软故障
作者:
Rongwei Fan
;
Hunglin Chen
;
Yin Long
;
Qiliang Ni
;
Kai Wang
;
Zhibin He
;
Zhengkai Yang
;
Yanyun Wang
;
Liang Ni
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
14.
The influencing factors and formation mechanism of the dark ring of monocrystal silicon cells
机译:
单晶硅电池黑环的影响因素及形成机理
作者:
Peidong Liu
;
Caijun Luo
;
Linjun Chen
;
Hao Deng
;
Rui Zhou
;
Zicheng Ma
;
Longlong Zhang
;
Liangping Deng
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
15.
The optimazation method of device mismatch on 40 nm process technogy
机译:
基于40 nm工艺技术的器件失配的优化方法
作者:
Peng Zhang
;
Wei Liu
;
Xubin Jin
;
Dongming Zhang
;
Haifeng Lu
;
Jianhua Zhou
;
Yuming Qiu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
16.
The optimization of overlay control for beyond sub-40nm lithography processes
机译:
超越亚40纳米光刻工艺的覆盖控制优化
作者:
Zhifeng Gan
;
Zhibiao Mao
;
Wuping Wang
;
Hui Zhi
;
Zhengkai Yang
;
Biqiu Liu
;
Yu Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
17.
The optimization of post etch treatment for Contact Etch process
机译:
接触蚀刻工艺中蚀刻后处理的优化
作者:
Jing-yong Huang
;
Qi-yang He
;
Hai-Yang Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
Contact etch;
orthogonal design DOE;
polymer removal;
post etch treatment;
yield enhancement;
18.
The optimization of the high-temperature heat source for a MOCVD vacuum reactor
机译:
MOCVD真空反应器高温热源的优化
作者:
Hsien-Chih Chiu
;
Chih-Kai Hu
;
Hung-I Chien
;
Li Tomi T.
;
Pi-Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
19.
The problems and solutions in 40 nm node dual gate lithography process development
机译:
40 nm节点双栅光刻工艺开发中的问题与解决方案
作者:
Li Dan
;
Gan Zhifeng
;
Wang Yanyun
;
Yang Zhengkai
;
Mao Zhibiao
;
Yu Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
20.
The research of Risk assessment Sampling methodology combination
机译:
风险评估与抽样方法相结合的研究
作者:
Zhang Nicholas
;
Chou Chad
;
Guo Sherry
;
Ma Jenny
;
Kang Randy
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
21.
The solution to enhance i-line stepper applications by improviing process overlay accuracy
机译:
通过提高过程覆盖精度来增强i-line步进器应用的解决方案
作者:
Sumiyoshi Atsushi Shigenobu Yuhei
;
Sasaki Ryo
;
Hasegawa Yasuo
;
Ushiku Kentaro
;
Sano Hirotaka
;
Takeshita Bunsuke
;
Miura Seiya
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
22.
The study of overlay mark in self aligned double patterning and solution
机译:
自对准双图案的叠加标记研究及解决方案
作者:
Shuxin Yao
;
Xianguo Dong
;
Wei Yuan
;
Hongmei Hu
;
Yifei Lu
;
Shaohai Zeng
;
ChunYan Yi
;
Ming Li
;
Zhengkai Yang
;
Wuping Wang
;
Zhifeng Gan
;
Liang Zhang
;
Ermin Chong
;
Zhibiao Mao
;
Yu Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
23.
The study of Shallow Trench Isolation gap-fill for 28nm node and beyond
机译:
28nm及以上节点浅沟槽隔离间隙填充的研究
作者:
Yu Bao
;
Xiaoqiang Zhou
;
Ningbo Sang
;
Tong Lei
;
Gang Shi
;
Hailan Yi
;
Bin Zhong
;
Jun Zhou
;
Fang Li
;
Yi Ding
;
Runling Li
;
Haifeng Zhou
;
Jingxun Fang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
24.
Ultrathin interfacial SiO2 layer process research for high-k gate last gate stacks
机译:
高k栅极最后栅极堆叠的超薄界面SiO2层工艺研究
作者:
Zhenping Wen
;
Tianjin Xiao
;
Hongwei Zhang
;
Yuming Qui
;
Yu Deqin
;
Junlong Kang
;
Jingxun Fang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
HKMG gate last;
Interfacial oxide;
Radical oxidation;
Spike RTO;
25.
Uniformity improvement of a-C: H films prepared by PECVD
机译:
通过PECVD制备的a-C:H膜的均匀性改善
作者:
Lihong Xiao
;
Yan Yan
;
Siyuan Yang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
Advanced Patterning;
Hydrogenated amorphous carbon;
PECVD;
Uniformity;
26.
Universal copper clip packaging solution for power management IC
机译:
用于电源管理IC的通用铜夹封装解决方案
作者:
Tan Boo Wei
;
Lily Khor
;
Lu Hai Long
;
Loh Lee Jeng
;
Gu Su Hang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
27.
Use soft-decision error-correction codes in Phase-Change Memory
机译:
在相变存储器中使用软判决纠错码
作者:
BinBin Li
;
Bolun Zhang
;
Yifan Zhang
;
Dongmei Xue
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
28.
Variation-aware energy-delay optimization method for device/circuit co-design
机译:
用于设备/电路协同设计的变化感知能量延迟优化方法
作者:
Junyao Wang
;
Xiaobo Jiang
;
Xingsheng Wang
;
Runsheng Wang
;
Binjie Cheng
;
Asenov Asen
;
Lan Wei
;
Ru Huang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
29.
Via auto retarget application in 28nm technology node
机译:
通过在28nm技术节点中的自动重定向应用
作者:
Bin-Jie Jiang
;
Yu Shi-Rui
;
Dan Wang
;
Yue-Yu Zhang
;
Yan-Peng Chen
;
Zhi-Biao Mao
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
30.
Current status and future prospect for thin film silicon based photovoltaic module manufacturing technology at Hanergy
机译:
汉能薄膜硅光伏组件制造技术的现状与未来展望
作者:
Xixiang Xu
;
Hui Zhao
;
Xiaoning Ru
;
Xinghong Zhou
;
Chengjian Hong
;
Chongyan Lian
;
Changtao Peng
;
Minghao Qu
;
Yue Zhang
;
Yu Cao
;
Anhong Hu
;
Huang James
;
Xiao Jack
;
Hu Chuck
;
Jinyan Zhang
;
Yuanmin Li
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
31.
Enabling capability of multi-patterning towards 10nm and beyond
机译:
朝着10nm及更大的范围进行多图案化的能力
作者:
Yaegashi Hidetami
;
Oyama Kenichi
;
Hara Arisa
;
Natori Sakurako
;
Yamauchi Shohei
;
Yamato Masatoshi
;
Okabe Noriaki
;
Koike Kyohei
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
1D layout;
LER;
Multi-patterning;
Pattern fidelity;
SADP;
SAOP;
SAQP;
32.
Investigation and solution of intermittent GOI failures at 40 nm CMOS devices
机译:
40 nm CMOS器件间歇性GOI故障的研究与解决
作者:
Ming Zhou
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
33.
A study on the cutting track of diamond tips on the pad surface during CMP
机译:
CMP过程中垫表面金刚石尖端切削轨迹的研究
作者:
Haiyu Kui
;
Zongqing Yang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
34.
A new staircase test method for copper via electromigration on CMOS wafers
机译:
通过CMOS晶片上的电迁移对铜进行阶梯测试的新方法
作者:
Seong Kirby Tan Kheng
;
Kordesch Albert Victor
;
Shahar Aftanasar Md
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
35.
A systematic study of layout proximity effects for 28nm Poly/SiON logic technology
机译:
对28nm Poly / SiON逻辑技术的布局邻近效应的系统研究
作者:
Ruoyuan Li
;
Jiajia Tao
;
Tao Yang
;
Zicheng Pan
;
Yuejiao Pu
;
Hong Wu
;
Yu Shaofeng
;
Falong Zhou
;
Yongping Deng
;
Ling Sun
;
Longyi Yue
;
Fengying He
;
Weizhong Xu
;
Ye Bin
;
Yu TzuChiang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
36.
A wide input voltage range, output-capacitorless linear voltage regulator in 0.25UM BCD process
机译:
宽输入电压范围,采用0.25UM BCD工艺的无输出电容器线性稳压器
作者:
Danhui Wang
;
Yuanfu Zhao
;
Suge Yue
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
37.
The mask 3D effect on 2D pattern process window, positive focus shift, or negative focus shift? A simulation study
机译:
遮罩3D对2D图案处理窗口,正焦点偏移还是负焦点偏移有影响?模拟研究
作者:
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
38.
A simple model for ultra-low specific contact resistivity metal- interfacial layer -semiconductor contacts
机译:
超低比接触电阻率金属-界面层-半导体触点的简单模型
作者:
Bencheng Huang
;
Yingming Liu
;
Xuezhen Jing
;
Beichao Zhang
;
Jingang Wu
;
Liming Gao
;
Chaoying Xie
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
Fermi level de-pinning;
M-I-S contacts;
Schottky barrier height;
metal induced gap states;
specific contact resistivity;
39.
Innovative ultra fine line substrate with bump for semiconductor package
机译:
具有半导体封装凸点的创新超细线基板
作者:
Shimoishizka Nozomi
;
Nakano Takahiro
;
Hirata Katsunori
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
40.
Investigation of BEOL post etch wet cleaning for 40nm node and beyond
机译:
BEOL蚀刻后湿法清洗40nm及以上节点的研究
作者:
Wei Sheng
;
Kun Chen
;
Fang Li
;
Yefang Zhu
;
Lili Jia
;
Wenyan Liu
;
Jinxun Fang
;
Peng Albert
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
41.
An investigation of CeO
2
based ReRAM with p+ and n+-Si bottom electrodes
机译:
基于p + sup>和n + sup> -Si底部电极的基于CeO
2 inf>的ReRAM的研究
作者:
Jin J.
;
Kakushima K.
;
Kataoka Y.
;
Nishiyama A.
;
Sugii N.
;
Wakabayashi H.
;
Tsutsui K.
;
Natori K.
;
Iwai H.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
42.
Study of grain size and polishing performance of aluminum film as metal gate electrode
机译:
铝膜作为金属栅电极的粒度及抛光性能研究
作者:
Xiaoniu Fu
;
Xiaona Wang
;
Jianhua Xu
;
Wufeng Deng
;
Ziying Zhang
;
Xuezhen Jing
;
Beichao Zhang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
Al grain size;
CMP;
different substrate;
43.
Uniformity impact on the upstream Electromigration of 40nm low-k Cu interconnect
机译:
均匀性对40nm低k铜互连的上游电迁移的影响
作者:
Xiangfu Zhao
;
Atman Zhao
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
44.
Capillary design contribution to the bonding process quality of NiPd-PPF leadframes with Cu PdCu wires
机译:
毛细管设计对NiPd-PPF引线框架与Cu和PdCu线的键合工艺质量的贡献
作者:
Ilan Langut
;
Limor Zuri
;
Giyora Gur
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
45.
Challenges and characterization of 14nm N-type bulk FinFET
机译:
14nm N型体FinFET的挑战和特性
作者:
Yong Li
;
Jianhua Ju
;
Miao Liao
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
46.
Effect of Si precursors on micro-loading, morphology and throughput of selective epitaxial growth of si and Si
1−x
Ge
x
机译:
Si前驱物对Si和Si
1-x inf> Ge
x inf>的选择性外延生长的微负载,形态和产量的影响
作者:
Gaire Churamani
;
Krishnan Bharat
;
Jinping Liu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
47.
Enlarge the process window of patterns in 22nm node by using mask topography aware OPC and SMO
机译:
通过使用可识别掩模拓扑的OPC和SMO扩大22nm节点中图案的处理窗口
作者:
Yansong Liu
;
Xiaojing Su
;
Lisong Dong
;
Zhiyang Song
;
Moran Guo
;
Yajuan Su
;
Yayi Wei
;
Fengliang Liu
;
Shengrui Zhang
;
Lile Lu
;
Weijie Shi
;
Junwei Lu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2015年
48.
Fabrication of 3D carbon structures based on C-MEMS technique (invited speaker)
机译:
基于C-MEMS技术的3D碳结构的制作(特邀发言人)
作者:
Shulan Jiang
;
Tielin Shi
;
Hu Long
;
Shuang Xi
;
Hu Hao
;
Siyi Cheng
;
Zirong Tang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2015年
49.
Low Cu electrolyte for advanced damascene plating
机译:
低铜电解液,用于高级镶嵌电镀
作者:
Jian Zhou
;
Opocensky Edward C.
;
Reid Jonathan
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2015年
50.
Method for analog-mixed signal design verification and model calibration
机译:
模拟混合信号设计验证和模型校准的方法
作者:
Chao Liang
;
Zhou Fang
;
Chen C.-Z.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2015年
关键词:
AMS behavior model;
UVM;
analog assertion;
analog mixed-signal verification;
model validation and calibration;
51.
Optimization of PET (Post Etch Treatment) steps to enlarge queue time and decrease defect counts in Ultra low-k material AIO (all in one) etch processes
机译:
优化PET(蚀刻后处理)步骤,以增加排队时间并减少超低k材料AIO(多合一)蚀刻工艺中的缺陷数
作者:
Xu Zhang
;
Chen-Guang Gai
;
Jun Huang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
52.
Optimization of STI oxide recess uniformity for FinFET beyond 20nm
机译:
超过20nm的FinFET的STI氧化物凹槽均匀性的优化
作者:
Lijuan Du
;
Hai Zhao
;
Weiguang Yang
;
Yang Rex
;
Chen Larry
;
Yu Shaofeng
;
Gang Mao
;
Qingling Wang
;
Yangkui Lin
;
Shicheng Ding
;
Zhengling Chen
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2015年
53.
Study of fin CD controllability for FinFET manufacturing
机译:
FinFET制造中的Fin CD可控性研究
作者:
Hai Zhao
;
Gang Mao
;
Yang Rex
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
54.
28nm Metal Hard Mask etch process development
机译:
28nm金属硬掩模蚀刻工艺开发
作者:
Liyan Zhang
;
Chenguang Gai
;
Hongrui Ren
;
Jun Huang
;
Xu Zhang
;
Shugen Pen
;
Yu Zhang
;
Qiang Ge
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2015年
55.
Investigation of dielectric film thickness nununiformity using plasma enhanced chemical vapor depsotion for 28nm technology
机译:
使用等离子增强化学气相沉积技术研究28nm技术的介电膜厚度不均匀性
作者:
Ming Zhou
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2015年
56.
Low cost photoresist stripper composition for wafer level packaging technology
机译:
用于晶圆级封装技术的低成本光刻胶剥离剂组合物
作者:
Jianghua Liu
;
Pengcheng Wang
;
Bing Liu
;
Peng Libbert
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
Etch rate;
Inhibitor;
Metal compatibility;
Photoresist stripper;
Wafer level packaging;
cleaning peformance;
57.
The approaching of capacitance-voltage measurement toward real-world nano-device
机译:
电容电压测量对现实世界中纳米器件的接近
作者:
LiLung Lai
;
Nan Li
;
Zhang Oscar
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
58.
Techniques to improve read noise margin and write margin for bit-cell of 14nm FINFET node
机译:
改善14nm FINFET节点的位单元的读取噪声容限和写入容限的技术
作者:
Gong Zhang
;
Yu Li
;
Yu Shaofeng
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
14nm;
Asymmetrical device;
Chanel Orientation;
DG Device;
FIN thickness and FIN high;
FINFET;
R/WAC;
RNM;
SRAM;
WM;
59.
Novel approach to CMP slurry filtration through new generation nano-fiber technology
机译:
通过新一代纳米纤维技术进行CMP浆料过滤的新方法
作者:
Yang H.J.
;
Yi Wei Lu
;
Wang Henry
;
Shie Bob
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2015年
60.
Academic approach to new industry-relevant MEMS
机译:
新型与行业相关的MEMS的学术方法
作者:
Tanaka Shuji
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
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2015年
61.
Active Optical Cable transceiver packaging trends and die bonding case studies
机译:
有源光缆收发器封装趋势和芯片键合案例研究
作者:
Evans Daniel D.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
62.
Challenges and solutions for 14nm FinFET etching
机译:
14nm FinFET蚀刻的挑战和解决方案
作者:
Huang Jun
;
Li Quanbo
;
Chong Ermin
;
Yi Chunyan
;
Li Runling
;
Gai Chenguang
;
Ma Zhibiao
;
Yu Zhang
;
Pang Albert
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
63.
Characterization and improvement of immersion process defectivity in memory device manufacturing
机译:
存储设备制造中浸没工艺缺陷的表征和改进
作者:
Weiming He
;
Huayong Hu
;
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
64.
Etching and stripping process developments for sub-10nm FDSOI device architectures using alternative lithography techniques
机译:
使用替代光刻技术的10nm以下FDSOI器件架构的蚀刻和剥离工艺开发
作者:
Pollet O.
;
Barnola S.
;
Posseme N.
;
Pimenta-Barros P.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
65.
From the present to the future: Scaling of planar VLSI-CMOS devices towards 3D-FinFETs and beyond 10nm CMOS technologies; manufacturing challenges and future technology concepts
机译:
从现在到未来:将平面VLSI-CMOS器件扩展到3D-FinFET并超越10nm CMOS技术;制造挑战和未来技术概念
作者:
Hoentschel Jan
;
Wei A.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
3D-FinFET;
CMOS scaling;
CMOS technology concepts;
VLSI technology;
66.
High contrast mark used for in-situ UV nano-imprint lithography allignment
机译:
高对比度标记,用于原位UV纳米压印光刻对准
作者:
Li Ding
;
Jin Qin
;
Liang Wang
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
67.
High-fidelity lithography
机译:
高保真光刻
作者:
Zhimin Zhu
;
Lowes Joyce
;
Krishnamurthy Vandana
;
Riojas Amanda
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
68.
Impact of thermal budget on the low-frequency noise of DRAM peripheral nMOSFETs
机译:
热预算对DRAM外围nMOSFET低频噪声的影响
作者:
Simoen E.
;
Ritzenthaler R.
;
Schram T.
;
Spessot A.
;
Aoulaiche M.
;
Fazan P.
;
Na H.-J.
;
Lee S.-G.
;
Son Y.
;
Noh K.B.
;
Horiguchi N.
;
Thean A.
;
Claeys C.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
69.
K=0.266 immersion lithography patterning and its challenge for NAND FLASH
机译:
K = 0.266浸没式光刻构图及其对NAND闪存的挑战
作者:
Huayong Hu
;
Weiming He
;
Gaorong Li
;
Nannan Zhang
;
Liwan Yue
;
Ye Lei
;
Jinhua Pei
;
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
70.
Noise analysis in advanced memory devices
机译:
先进存储设备中的噪声分析
作者:
Simoen E.
;
Aoulaiche M.
;
Jurczak M.
;
Giusi G.
;
Claeys C.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
71.
Reliability verification of multi-power domain designs using an integrated approach of symbolic and geometry analysis
机译:
使用符号和几何分析的集成方法对多电源域设计进行可靠性验证
作者:
Srinivasan Sridhar
;
Hung-Hsu Feng
;
Yi-Ting Lee
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
72.
The analysis and reduction of auto focus failure of advanced darkfiled inspection system
机译:
先进的暗场检测系统自动聚焦失败的分析与减少
作者:
Zengyi Yuan
;
Qiliang Ni
;
Hunglin Chen
;
Yin Long
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
73.
The electromigration failure mechanism for TSV process
机译:
TSV工艺的电迁移失效机理
作者:
Yong L.V.
;
Zhao Atman
;
Chen Canny
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
74.
The study of 28nm node poly double patterning integrated process
机译:
28nm节点多双图案集成工艺研究
作者:
Zhonghua Li
;
Runling Li
;
Tianpeng Guan
;
Biqiu Liu
;
Xiaoming Mao
;
Xiangguo Meng
;
Quanbo Li
;
Fang Li
;
Zhengkai Yang
;
Yu Zhang
;
Pang Albert
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
75.
TSV fabrication for image sensor packaging
机译:
用于图像传感器包装的TSV制造
作者:
Wang Ping
;
Wang Bangxu
;
Jun L.V.
;
Huang Mark
;
Lai Carl
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
CMOS Imager Sensor;
PVD;
Plating;
Redistribution Layer;
Through silicon via;
76.
Wafer 3D effect study with finite difference time domain (FDTD) simulation method
机译:
晶圆3D效应研究及时差有限差分(FDTD)仿真方法
作者:
Liwan Yue
;
Huayong Hu
;
Chang Liu
;
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
FDTD;
Wafer 3D effect;
lithography;
77.
Wafer edge overlay control for 28 nm and beyond technology node
机译:
适用于28 nm及更高技术节点的晶圆边缘覆盖控制
作者:
Rui Wang
;
Yuntao Jiang
;
Guogui Deng
;
Bin Xing
;
Chang Liu
;
Qiang Wu
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
78.
Glass phase alignment in front side pastes for P- and N-type solar cells
机译:
P型和N型太阳能电池正面浆料中的玻璃相对准
作者:
Eberstein Markus
;
Reinhardt Kathrin
;
Korner Stefan
;
Kiefer Fabian
;
Peibst Robby
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
79.
Enhanced electromigration resistance through grain size modulation in copper interconnects
机译:
通过铜互连中的晶粒尺寸调制增强了电迁移电阻
作者:
Yang C.-C.
;
Li B.
;
Baumann F.H.
;
Huang E.
;
Edelstein D.
;
Rosenberg R.
会议名称:
《China Semiconductor Technology International Conference》
|
2015年
关键词:
Copper;
electromigration;
grain size;
stress;
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