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Electrochemical Society Meeting
Electrochemical Society Meeting
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1.
Adsorption of poly(ethylene oxide) from solution onto battery grade fine particles
机译:
将聚(环氧乙烷)从溶液中吸附在电池级细颗粒上
作者:
Simon Besner
;
Jason Legleiter
;
Gordon Bierwagen
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
1999年
2.
Influence of some design variables on the thermal behavior of a lithium-ion cell
机译:
一些设计变量对锂离子电池热行为的影响
作者:
Gerardine G. Botte
;
Bradley A. Johnson
;
Ralph E. White
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
1999年
3.
Amorphous and crystalline Sn_2P_2O_7 anode materials for lithium batteries
机译:
用于锂电池的无定形和晶体Sn_2P_2O_7阳极材料
作者:
Yaowu Xiao
;
Jim Yang Lee
;
Aishui Yu
;
Zhaolin Liu
;
The Electrochemical Society
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
1999年
4.
Amorphous and crystalline Sn{sub}2P{sub}2O{sub}7 anode materials for lithium batteries
机译:
无定形和晶体Sn {sub} 2p {sub} 2o锂电池7阳极材料
作者:
Yaowu Xiao
;
Jim Yang Lee
;
Aishui Yu
;
Zhaolin Liu
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
1999年
5.
Mathematical modeling of capacity fade mechanisms in lithium-ion batteries: Lithium deposition overcharge reaction on the negative electrode
机译:
锂离子电池容量褪色机制的数学建模:负电极锂沉积过充电反应
作者:
Pankaj Arora
;
Marc Doyle
;
Ralph E. White
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
1999年
6.
On the electrochemical behavior of Li insertion electrodes
机译:
关于LI插入电极的电化学行为
作者:
D. Aurbach
;
M. D. Levi
;
E. Levi
;
B. Markovsky
;
K. Gomulski
;
R. Oesten
;
U. Heider
;
L. Heider
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
1999年
7.
EFFECTS OF THE WET AIR ON THE PROPERTIES OF THE LANTHANUM OXIDE AND LANTHANUM ALUMINATE FILMS
机译:
湿空气对氧化镧和镧铝酸薄膜性能的影响
作者:
Jin Hyung Jun
;
Doo Jin Choi
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
8.
Highly-oriented Crystallinity of Ferroelectric Layers for Reliable FRAM Capacitors
机译:
用于可靠的FRAM电容器的铁电层的高度取向结晶性
作者:
K. Maruyama
;
M. Tsukada
;
O. Matsuura
;
M. Kurasawa
;
H. Yamawaki
;
M. Kondo
;
K. Kurihara
;
Y. Horii
;
T. Eshita
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
9.
ATOMIC-LAYER DEPOSITION OF ULTRATHIN SILICON NITRIDE FOR SUB-TUNNELING GATE DIELECTRICS
机译:
用于子隧道栅极电介质的超薄氮化硅的原子层沉积
作者:
Anri Nakajima
;
Shin Yokoyama
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
10.
ALD HfSiO raGH-K DIELECTRIC AND CVD-TaN METAL GATE
机译:
ALD HFSI至LINK-K介质和CVD-TAN MATE
作者:
U. I. Chung
;
S. G. Park
;
H.-J. Cho
;
H. L. Lee
;
H. P. Park
;
T. S. Jeon
;
B. J. Jin
;
S. B. Kang
;
Y. G. Shin
;
J. T. Moon
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
11.
HfSiON GATE DIELECTRICS FOR LOW-STAND-BY POWER CMOS DEVICES
机译:
低备用电源CMOS器件的HFSION栅极电介质
作者:
Katsuyuki Sekine
;
Seiji Inumiya
;
Akio Kaneko
;
Motoyuki Sato
;
Izumi Hirano
;
Takeshi Yamaguchi
;
Kazuhiro Eguchi
;
Yoshitaka Tsunashima
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
12.
ALD HfSiO HIGH-K DIELECTRIC AND CVD-TaN METAL GATE
机译:
ALD HFSIO高k电介质和CVD-TAN金属栅极
作者:
U. I. Chung
;
S. G. Park
;
H. -J. Cho
;
H. L. Lee
;
H. B. Park
;
T. S. Jeon
;
B. J. Jin
;
S. B. Kang
;
Y. G. Shin
;
J. T. Moon
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
13.
THREE-DIMENSIONAL INTERCONNECT TECHNOLOGY USING POLYIMIDE FILM AND GOLD FOR MMICs
机译:
使用聚酰亚胺膜和金的三维互连技术
作者:
Suehiro Sugitani
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
14.
THERMALLY-OXIDIZED HfO2 ON Se-PASSIVATED n-TYPE Si(100)
机译:
Se-钝化的N型Si(100)上的热氧化HFO2
作者:
Meng Tao
;
Xiaolong Yang
;
Wiley P. Kirk
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
15.
TOWARDS 0.5 nm EOT SCALING OF HfO_2/METAL ELECTRODE GATE STACKS
机译:
朝向0.5nm的HFO_2 /金属电极栅极堆叠的EOT缩放
作者:
Jeff J. Peterson
;
George A. Brown
;
Ken Matthews
;
Jim Gutt
;
Sundar Gopalan
;
Hong-Jyh Li
;
Paul Kirsch
;
Joel Barnett
;
Naim Moumen
;
Craig Huffman
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
16.
EFFECTS OF LOW TEMPERSTURE NH3 TREATMENT ON HfO2/SiO2 STACK GATE DIELECTRICS FABRICATED BY MOCVD SYSTEM
机译:
低温NH3处理对MOCVD系统制造的HFO2 / SiO2堆栅电介质的影响
作者:
Wen-Tai Lu
;
Chao-Hsin Chien
;
Ying-Chang Lin
;
Ming-Jui Yang
;
Tiao-Yuan Huang
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
17.
EFFECTS OF LOW TEMPERSTURE NH{sub}3 TREATMENT ON HfO{sub}2/SiO{sub}2 STACK GATE DIELECTRICS FABRICATED BY MOCVD SYSTEM
机译:
低温NH {SUB} 3对HFO {SUB} 2 / SIO {SUB} 2堆叠栅极介质的影响
作者:
Wen-Tai Lu
;
Chao-Hsin Chien
;
Ying-Chang Lin
;
Ming-Jui Yang
;
Tiao-Yuan Huang
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
18.
A 65 NM CMOS TECHNOLOGY FEATURING HYBRID-ULK/COPPER INTERCONNECTS
机译:
一个65 NM CMOS技术,具有混合-ULK /铜互连
作者:
Satoshi Nakai
;
Shunichi Fukuyama
;
Nobuhiro Misawa
;
Motoshu Miyajima
;
Toshihiro Sugii
;
Kiyoshi Watanabe
;
Tomoji Nakamura
;
Yoshihiro Nakata
;
Iwao Sugiura
;
Ei Yano
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
19.
THERMALLY-OXIDIZED HfO{sub}2 ON Se-PASSIVATED n-TYPE Si(100)
机译:
在SE钝化的N型Si(100)上的热氧化HFO {sub} 2
作者:
Meng Tao
;
Xiaolong Yang
;
Wiley P. Kirk
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
20.
PROGRESS AND ISSUES IN DIELECTRIC MATERIALS FOR SUB-100NM DRAM TECHNOLOGY
机译:
介电材料的进展和介电材料的介电材料
作者:
Kanta Saino
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
21.
HYDROGEN/DEUTERIUM IMPLANTATION FOR SI-DIELECTRIC INTERFACE IN NANOSCALE DEVICES
机译:
纳米级器件中Si-介电接口的氢/氘植入
作者:
T. Kundu
;
D. Misra
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
22.
ADVANCED PROCESS MODULES FOR SCALED ULSIs
机译:
缩放ULSIS的高级过程模块
作者:
Tohru Mogami
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
23.
206th Meeting of the Electrochemical Society, Oct. 3-8,2004 Invited Paper Extending the Reliability of SiO_2-Based Dielectric to the Nanometer Limit
机译:
10月206日电化学协会会议,10月3日至8,2004邀请纸张将基于SiO_2的电介质的可靠性扩展到纳米极限
作者:
Ernest Y. Wu
;
Jordi Sune
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
关键词:
dielectric breakdown;
reliability methodology;
MOS devices;
ultra-thin gate oxide;
24.
TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN OF THERMALLY EVAPORATED HfOj FORNANOSCALE DEVICES
机译:
热蒸发HFOJ Fornancale器件的时间依赖介电击穿
作者:
N. A. Chowdhury
;
R. Garg
;
D. Misra
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
25.
Extending the Reliability of SiO2-Based Dielectric to the Nanometer Limit
机译:
将基于SiO2的电介质的可靠性扩展到纳米极限
作者:
Ernest Y. Wu
;
Jordi Sune
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
26.
DIELECTRICS IN SI NANO-DEVICES: ROLES AND CHALLENGES
机译:
SI纳米器件中的电介质:角色和挑战
作者:
Qi Xiang
;
Zoran Krivokapic
;
Witek Maszara
;
Ming-Ren Lin
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
27.
RELIABILITY CHALLENGES FOR SUB-90NM TECHNOLOGY DIELECTRICS
机译:
SUB-90nm技术电介质的可靠性挑战
作者:
H. Puchner
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
28.
Extending the Reliability of SiO{sub}2-Based Dielectric to the Nanometer Limit
机译:
将基于SiO {Sub} 2的电介质扩展到纳米极限的可靠性
作者:
Ernest Y. Wu
;
Jordi Sune
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
关键词:
Dielectric Breakdown;
Reliability Methodology;
MOS Devices;
Ultra-Thin Gate Oxide;
29.
ASSESSMENT OF 3D FOR FUTURE ON-CHIP WIRING AND NOVEL SYSTEM SOLUTIONS
机译:
对芯片布线和新型系统解决方案的3D评估
作者:
M. Engelhardt
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
30.
Recent Progress in FET-type Ferroelectric Memories
机译:
FET型铁电记忆的最新进展
作者:
Hiroshi Ishiwara
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
31.
SUPRESSION OF SURFACE MICRO-ROUGHNESS ON Si(UO)
机译:
静置静置表面微粗糙度(向上)
作者:
K. Nii
;
H. Akahori
;
M. Yamamoto
;
A. Teramoto
;
T. Ohmi
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
32.
DOMAIN MATCHING EPITAXY: A NEW PARADIGM FOR EPITAXIAL GROWTH OF OXIDES
机译:
域匹配外延:一种用于氧化物外延生长的新范式
作者:
J. Narayan
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
33.
A Study of Aluminum Gate La2O3 nMISFET with Post Metallization Anneal
机译:
金属化退火铝门LA2O3 NMISFET研究
作者:
Jin-Aun Ng
;
Shun-ichiro Ohmi
;
Kazuo Tsutsui
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
34.
DOUBLE-GATE FINFET INNOVATION: FROM 3-TERMINAL TO FLEXIBLE THRESHOLD VOLTAGE 4-TERMINAL
机译:
双栅FinFET创新:从3端到灵活的阈值电压4端子
作者:
Yongxun Liu
;
Meishoku Masahara
;
Kenichi Ishii
;
Eiichi Suzuki
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
35.
Electrical Conduction Processes in Lanthana Thin Films prepared by E-Beam Evaporation
机译:
通过电子束蒸发制备的Lanthana薄膜的电导电工艺
作者:
Yongshik Kim
;
Shun-ichiro Ohmi
;
Kazuo Tsutsui
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
36.
DIELECTRIC ADHESIVE WAFER BONDING FOR BACK-END WAFER-LEVEL 3D HYPER-INTEGRATION
机译:
用于后端晶片级3D超集成的介电粘合晶片键合
作者:
J.-Q. Lu
;
T. S. Cale
;
R. J. Gutmann
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
37.
LOW-K DIELECTRICS FOR DRAM FRONTEND-OF-LINE AND MID-OF-LINE
机译:
DRAM前端和中线的低k电介质
作者:
A. Birner
;
A. Klipp
;
K. Mummler
;
A. Thies
;
D. Weber
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
38.
Gate Dielectric Impact for the 65nm Digital and Mixed Signal Platform Applications
机译:
65nm数字和混合信号平台应用的栅极电介质冲击
作者:
Brice Tavel
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
39.
HIGH-K MATERIALS FOR TUNNEL BARRIER ENGINEERING IN FUTURE MEMORY TECHNOLOGIES
机译:
未来内存技术隧道屏障工程的高K材料
作者:
Pieter Blomme
;
Bogdan Govoreanu
;
Maarten Rosmeulen
;
Amal Akheyar
;
Luc Haspeslagh
;
Joeri De Vos
;
Martino Lorenzini
;
Jan Van Houdt
;
Kristin De Meyer
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
40.
MICROSTRUCTURE EVOLUTION AND BREAKDOWN MECHANISM STUDIES IN MOSFET WITH ULTRA THIN GATE DIELECTRICS IN NANOMETER TECHNOLOGY ERA
机译:
纳米技术中超薄栅极电介质MOSFET中的微观结构演化与击穿机制研究
作者:
Chih Yuan Lu
;
Chih Hang Tung
;
Kin Leong Pey
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
41.
HOT CARRIER STRESS AND BREAKDOWN IMPACT ON HIGH-FREQUENCY MOSFET ANALOG PERFORMANCE
机译:
热载波应力和击穿对高频MOSFET模拟性能的影响
作者:
Luigi Pantisano
;
D. Schreurs
;
B. Kaczer
;
E. Simoen
;
G. Groeseneken
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
42.
SOI CMOS CIRCUITS FOR SYSTEM-ON-CHIP (SoC) APPLICATION
机译:
SOI CMOS电路用于片上系统(SOC)应用
作者:
Jonghae Kim
;
Jean-Olivier Plouchart
;
B. Jeffrey Gross
;
Thomas Sandwick
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
43.
TECHNOLOGY AND APPLICATIONS OF THREE-DIMENSIONAL INTEGRATION
机译:
三维集成的技术与应用
作者:
Rafael Reif
;
Chuan Seng Tan
;
Andy Fan
;
Kuan-Neng Chen
;
Shamik Das
;
Nisha Checka
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
44.
PROCESS INTEGRATION OF HIGHLY STABLE 1.25μm~2 6T-SRAM CELL WITH 4Snm GATE LENGTH TRIPLE GATE TRANSISTORS
机译:
具有4SNM栅极长度三栅极晶体管高度稳定的1.25μm〜2 6T-SRAM单元的过程集成
作者:
Kwon Lee
;
Jeong-Hwan Yang
;
Shigenobu Maeda
;
You-Seung Jin
;
Jung-A Choi
;
Su-Gon Bae
;
Yoon-Hae Kim
;
Jeong-Hoon Ahn
;
Min-Chul Sun
;
Ja-Hum Ku
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
45.
NOVEL DIELECTRIC STRUCTURES FOR OPTICAL PERFORMANCE ENHANCEMENT IN DEEP SUB-MICRON CMOS IMAGE SENSOR
机译:
深亚微米CMOS图像传感器中光学性能增强的新型介电结构
作者:
Dun-Nian Yaung
;
Shou-Gwo Wuu
;
Ho-Ching Chien
;
Tzu-Hsuan Hsu
;
Chien-Hsien Tseng
;
Jeng-Shyan Lin
;
Chin-Hsin Lo
;
Chung-Yi Yu
;
Chia-Shiung Tsai
;
Chung S. Wang
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
46.
HIGH-DENSITY 3-D MICROSYSTEM-IN-PACKAGE TECHNOLOGY AND ITS APPLICATION FOR INTEGRATED CCD MICRO-CAMERA VISUAL INSPECTION SYSTEM
机译:
高密度3-D微型技术包装技术及其在集成CCD微相机视觉检测系统应用
作者:
Hiroshi Yamada
;
Takashi togasaki
;
Atsushi Sadamoto
;
Hajime Sudo
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
47.
CHARCTERISTICS OF SELF-ASSEMBLED ULTRA-LOW-Z POROUS SILICA FILMS
机译:
自组装超低Z多孔二氧化硅膜的特性
作者:
Y. Oku
;
N. Fujii
;
K. Kohmura
;
K. Yamada
;
N. Hata
;
Y. Seino
;
R. Ichikawa
;
N. Nishiyama
;
S. Tanaka
;
H. Miyoshi
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
48.
NANOSCALE PACKAGING AND NANO-BIO ELECTRONIC SYSTEMS
机译:
纳米级包装和纳米生物电子系统
作者:
Rao Tummala
;
P. Markondeya Raj
;
Zhong L
;
Z L Wang
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2004年
49.
GRAIN SIZE OF LEAD SELENIDE ELECTRODEPOSITED ONTO INP FOLLOWED BY PHOTOLUMINESCENCE OF THE INP SUBSTRATE
机译:
粒尺寸的硒化硒化物电沉积到INP上,然后是INP衬底的光致发光
作者:
I. Gerard
;
M. Froment
;
H. Caohet
;
A. Etcheberry
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
50.
EFFECTS OF INTERFACIAL NATIVE OXIDE ON ELECTRICAL PROPERTIES OF BONDED GAAS WAFERS
机译:
界面天然氧化物对粘结GaAs晶片电性能的影响
作者:
Po Chun Liu
;
Cheng Lun Lu
;
Wei Chih Peng
;
YewChung Sermon Wu
;
Hao Ouyang
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
关键词:
wafer bonding;
Gallium Arsenide;
electrical property;
native oxide;
51.
LASER-SYNTHESIS OF OPTICAL STRUCTURES IN SILICON CARBIDE
机译:
碳化硅中光学结构的激光合成
作者:
Z. Tian
;
N.R.Quick
;
A. Kar
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
52.
ELECTROCHEMISTRY AND ETCHING OF WIDE BANDGAP CHEMICALLY RESISTANT SEMICONDUCTORS
机译:
宽带隙的电化学和蚀刻化学抗性半导体
作者:
J. J. Kelly
;
L. Macht
;
D. H. van Dorp
;
M. R. Kooijman
;
J. L. Weyher
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
53.
ELECTROGENERATED CHEMILUMINESCENCE FROM SINGLE CADMIUM SELENIDE NANOCRYSTALS
机译:
从单镉硒化纳米晶体的电化学化学发光
作者:
Jigang Zhou
;
Jim Zhu
;
Zhifeng Ding
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
54.
GROWTH OF POROUS InP IN ACIDIC LIQUID AMMONIA
机译:
酸性液氨的多孔INP生长
作者:
A. -M. Goncalves
;
I. Gerard
;
L. Santinacci
;
C. Mathieu
;
M. Herlem
;
A. Etcheberry
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
55.
Performance and Reliability of InGaN-GaN Light-Emitting Diodes with Mirror Wafer Bonding Technology
机译:
镜面晶圆粘合技术的InGaN-GaN发光二极管的性能和可靠性
作者:
W. C. Peng
;
Y. C. Sermon Wu
;
W. H. Liu
;
S. C. Horng
;
M. H. Hsieh
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
关键词:
wafer bonded;
Si substrate;
InGaNLED;
56.
Photocatalytic Activity of Visible Light Active Carbon modified (CM)-n-TiO_2 Nanoparticles
机译:
可见光活性炭改性(CM)-N-TiO_2纳米粒子的光催化活性
作者:
Chengkun Xu
;
Shahed U. M. Khan
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
57.
NATURAL LITHOGRAPHY OF SILICON SUBSTRATE USING SELF-ORDERED ANODIC ALUMINA AND NANOSPHERES
机译:
使用自动阳极氧化铝和纳米球的硅衬底的自然光刻
作者:
Sachiko Ono
;
Hidetaka Asoh
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
58.
THERMAL STABILITY OF TUNGSTEN-BASED SCHOTTKY CONTACTS TO N- TYPEZNO
机译:
N-TypeZno的钨基肖特基触点的热稳定性
作者:
K. Ip
;
Rohit Khanna
;
D. P. Norton
;
S. J. Pearton
;
F. Ren
;
I. Kravchenko
;
C. LKao
;
G. C. Chi
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
59.
PASSIVATION OF IIW-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES USING HIGH-DENSITY PLASMA DEPOSITED SILICON NITRIDE FILMS
机译:
使用高密度等离子体沉积氮化硅膜的IIW基化合物半导体器件的钝化
作者:
R. E. Sah
;
M. Mikulla
;
H. Schneider
;
F. Benkhelifa
;
M. Dammann
;
R. Quay
;
J. Fleissner
;
M. Walther
;
G. Weimarm
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
60.
Demonstration and Device Design Consideration of Fth-Controllable Independent Double-Gate MOSFET (4-Terminal XMOS)
机译:
FTH可控独立双栅MOSFET的演示和设备设计考虑(4端子XMOS)
作者:
M. Masahara
;
Y.-X. Liu
;
K. Sakamoto
;
K. Endo
;
T. Matsukawa
;
K. Ishii
;
T. Sekigawa
;
H. Koike
;
E. Suzuki
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
61.
PASSIVATION OF Ⅲ/Ⅴ-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES USING HIGH-DENSITY PLASMA DEPOSITED SILICON NITRIDE FILMS
机译:
使用高密度等离子体沉积的氮化硅膜钝化基于Ⅲ/ⅴ的化合物半导体器件
作者:
R. E. Sah
;
M. Mikulla
;
H. Schneider
;
F. Benkhelifa
;
M. Dammann
;
R. Quay
;
J. Fleissner
;
M. Walther
;
G. Weimann
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
62.
SILICON-ON-EVSULATOR (SOI) AS A PHOTONICS PLATFORM
机译:
硅on-evsulator(SOI)作为光子平台
作者:
D.-X. Xu
;
A. Delage
;
P. Cheben
;
B. Lamontagne
;
S. Janz
;
W. N. Ye
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
63.
SELICON-ON-INSULATOR (SOI) AS A PHOTONICS PLATFORM
机译:
绝缘体(SOI)作为光子平台
作者:
D.-X. Xu
;
A. Delage
;
P. Cheben
;
B. Lamontagne
;
S. Janz
;
W. N. Ye
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
64.
HIGH PERFORMANCE SOI TECHNOLOGY FOR SUB-45NM GATE LENGTH CMOS MANUFACTURING
机译:
Sub-45nm门长度CMOS制造的高性能SOI技术
作者:
M. Horstmann
;
D. Greenlaw
;
P. Huebler
;
R. Stephan
;
Th. Feudel
;
A. Wei
;
K. Frohberg
;
J. Hoentschel
;
P. Javorka
;
G. Burbach
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
65.
CHARACTERIZATION OF ULTRA THIN SOI AND SSOI SUBSTRATES: DEFECT AND STRAIN ANALYSIS
机译:
超薄SOI和SSOI基材的表征:缺陷和应变分析
作者:
S. W. Bedell
;
H. Hovel
;
A. Domenicucci
;
K. Fogel
;
A. Reznicek
;
D. K. Sadana
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
66.
GaN-BASED AND ZnO NANOROD SENSORS FOR WIRELESS HYDROGEN LEAK DETECTION
机译:
用于无线氢泄漏检测的GaN基和ZnO纳米棒传感器
作者:
J. Lin
;
A. El Kouche
;
M. E. Law
;
F. Ren
;
B. S. Kang
;
S. J. Pcarton
;
D. P. Norton
;
C. R. Abernathy
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
67.
RECENT RADIATION ISSUES IN SILICON-ON-INSULATOR DEVICES
机译:
最近硅镶嵌装置中的辐射问题
作者:
M. L. Alles
;
D. R. Ball
;
R. D. Schrimpf
;
D. M. Fleetwood
;
R. A. Reed
;
B. Jun
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
68.
AUGER AND LEED STUDIES OF THE SURFACE CHEMISTRY OF InP(lOO) WAFERS AFTER WET ETCHING, ION BOMBARDMENT, AND ELECTROCHEMICAL ETCHING
机译:
在湿法蚀刻,离子轰击和电化学蚀刻后,螺旋钻和LEED研究INP(LOO)晶片的表面化学
作者:
Madhivanan Muthuvel
;
John Stickney
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
69.
COMPARATIVE STUDY OF OPTICAL PROPERTIES OF NANOPOROUS GaN PREPARED BY UV-ASSISTED ELECTROCHEMICAL AND ELECTROLESS ETCHING
机译:
用UV辅助电化学和无电蚀刻制备的纳米多孔GaN光学性质的比较研究
作者:
A. P. Vajpeyi
;
S. Tripathy
;
S. J. Chua
;
J. Arokiaraj
;
E. A. Fitzgerald
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
70.
DETERMINING THE MECHANISMS OF FRACTURE IN GROUP-IV MATERIALS
机译:
确定IV族材料骨折机制
作者:
Konstantin K. Bourdelle
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
71.
ISOTOPE EFFECTS IN LOW-ENERGY ION-INDUCED SPLITTING
机译:
低能量离子诱导分裂中的同位素效应
作者:
B. Terreault
;
M. Chicoine
;
N. Desrosiers
;
A. Giguere
;
G. Hobler
;
O. Moutanabbir
;
G. G. Ross
;
F. Schiettekatte
;
P. J. Simpson
;
T. Zahel
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
72.
PASSIVATION OF III/V-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES USING HIGH-DENSITY PLASMA DEPOSITED SILICON NITRIDE FILMS
机译:
使用高密度等离子体沉积氮化硅膜的III / V基化合物半导体器件的钝化
作者:
R. E. Sah
;
M. Mikulla
;
H. Schneider
;
F. Benkhelifa
;
M. Dammann
;
R. Quay
;
J. Fleissner
;
M. Walther
;
G. Weimann
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
73.
Wet Chemical Etching of Compound Semiconductors
机译:
化合物半导体的湿化学蚀刻
作者:
S. J. Pearton
;
F. Ren
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
74.
ELECTRODEPOSITION OF CHALCOGENIDE SEMICONDUCTORS
机译:
硫属元素化物半导体的电沉积
作者:
Daniel Lincot
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
75.
ON THE EFFECT OF SURFACE PRETREATMENT UPON THE ELECTRONIC STRUCTURE OF n-GaN SURFACES
机译:
关于表面预处理对N-GAN表面电子结构的影响
作者:
K. Strubbe
;
W. P. Gomes
;
I. M. Huygens
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
76.
IS SOI CMOS A PROMISING TECHNOLOGY FOR SOCs IN HIGH FREQUENCY RANGE ?
机译:
SOI CMOS是高频范围内的SOC的有希望的技术吗?
作者:
C. Raynaud
;
F Gianesello
;
C. Tinella
;
P. Flatresse
;
R. Gwoziecki
;
P. Touret
;
G. Avenier
;
S. Haendler
;
O. Gonnard
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
77.
Mobility enhancement through substrate engineering
机译:
通过基板工程的移动性提高
作者:
I. Cayrefourcq
;
M. Kennard
;
F. Metral
;
C. Mazuii
;
A. Thean
;
M. Sadaka
;
T. White
;
B. Y. Nguyen
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
78.
NOVEL OXIDES AND RELIABILITY FOR THE PASSIVATION OF AlGaN/GaN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
机译:
AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管钝化的新型氧化物和可靠性
作者:
B. P. Gila
;
A. H. Onstine
;
M. Hlad
;
A. Gerger
;
A. Herrero
;
k. K. Allums
;
D. Stodilka
;
S. Jang
;
B. Kang
;
T. Anderson
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
79.
SYNTHESIS OF ONE-DIMENSIONAL GaN NANOSTRUCTURES AND GaN/CNT/SI/SILICATE NANOCABLES BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
机译:
金属化学气相沉积合成一维GaN纳米结构和GaN / CNT / Si / Si / Si /硅酸盐纳米
作者:
L. J. Chen
;
M. C. Lu
;
Y. L. Chueh
;
L. J. Chou
;
H. L. Hsiao
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
80.
NANOPOROUS InP: ANODIC FORMATION AND GROWTH MECHANISM IN AQUEOUS ELECTROLYTES
机译:
纳米孔INP:水性电解质中的阳极形成和生长机制
作者:
C. ODwyer
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
81.
NANOELECTRONICS ON SEMICONDUCTOR/SOLUTION INTERPACES
机译:
半导体/溶液套管上的纳米电子学
作者:
W. Wiesbeck
;
Ph. Hugelmann
;
M. Hugelmann
;
W. J. Lorenz
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
82.
AN INVESTIGATION OF CURRENT OSCILLATIONS ON N-INP IN SULPHIDE-BASED ELECTROLYTES AT ANODIC POTENTIALS
机译:
阳极电位硫化硫化物电解质中N-inP的电流振荡研究
作者:
T. Melly
;
D. N. Buckley
;
S. B. Newcomb
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
83.
The Use of GaN Based Electronic And Photonic Devices for Bio-Applications
机译:
GaN基电子和光子器件的使用进行生物应用
作者:
F. Ren
;
B. S. Kang
;
S. J. Pearton
;
D. P. Norton
;
Y. W. Kwon
;
K. H. Baik
;
G. Louche
;
R. S. Duran
;
Y. Gnanou
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
84.
ZnO Spintronics and Nanowire Devices
机译:
ZnO闪铜器和纳米线装置
作者:
S. J. Pearto
;
D. P. Norton
;
Y. W. Heo
;
L. C. Tien
;
M. P. Ivill
;
Y. Li
;
Sang Youn Han
;
B. S. Kang
;
F. Ren
;
J. Kelly
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
85.
IN SEARCH OF HIGHER DENSITY MIM CAPACITOR FOR GaAs RF POWER APPLICATIONS
机译:
寻找高密度MIM电容器,用于GaAs RF Power应用
作者:
Jiro Yota
;
Ravi Ramanathan
;
Kai Kwok
;
Jose Arreaga
;
Tin Ko
;
Hongxiao Shao
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2005年
86.
Photo-Dynamics of Al_xGa_(1-x)As Heterostructure Dissolution: Experiments and Applications
机译:
AL_XGA_(1-x)的光学动态作为异质结构溶解:实验和应用
作者:
E. H. Yi
;
M. A. Parker
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
87.
Effects of Laser Sources on the Reverse-Bias Leakages of Laser Lift-Off GaN-Based LEDS
机译:
激光源对激光剥离GaN LED反向偏置泄漏的影响
作者:
Ji-Hao Cheng
;
Wei Chih Peng
;
YewChung Sermon Wu
;
Hao Ouyang
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
88.
Full Range Workfunction Tunning of MOSFETs Using Interfacial Yttrium Layer in Fully Germanided Ni Gate
机译:
使用界面钇层在全锗外Ni门中使用界面钇层的全方位工作功能调整MOSFET
作者:
H. P. Yu
;
K. L. Pey
;
W. K. Choi
;
D. A. Antoniadis
;
E. A. Fitzgerald
;
M. K. Dawood
;
K. Q. Ow
;
D. Z. Chi
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
89.
A Significant Anodic Passivation of n and p-InP Surfaces in Liquid Ammonia: First Evidence of Stable Phosphorus-Nitrogen Bonds
机译:
液氨中N和P-INP表面的显着阳极钝化:第一磷 - 氮键的第一证据
作者:
A.-M. Goncalves
;
O. Seitz
;
C. Mathieu
;
M. Herlem
;
A. Etcheberry
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
90.
High Quality InAs Quantum Dots with an In(Ga,Al)AsSb Strain-Reducing Layer for Long Wavelength Photonic Devices
机译:
高质量的InAS量子点,具有用于长波长光子器件的in(Ga,Al)ASSB应变层
作者:
Jen-Inn Chyi
;
Wei-Sheng Liu
;
Pei-Chin Chiu
;
Meng-Jie Shiau
;
David M. T. Kuo
;
Wen-Yen Chen
;
Hsing-Szu Chang
;
Tzu-Min Hsu
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
91.
On the Depth Profiling of the Traps in MOSFET's with High-K Gate Dielectrics
机译:
高k门电介质的MOSFET中陷阱的深度分析
作者:
O. Ghobar
;
D. Bauza
;
B. Guillaumot
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
92.
Vacuum UV Spectroscopic Ellipsometry and X-Ray Reflectance Combined On The Same Platform For The Characterization Of High-K Gate Dielectrics
机译:
真空UV光谱椭圆形和X射线反射在相同的平台上组合,用于高k栅极电介质的表征
作者:
C. Defranoux
;
A.Bondaz
;
L.Kitzinger
;
J. P. Piel
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
93.
Influence of Sinking-Gate on Al_(0.24)Ga_(0.76)As/In_(0.22)Ga_(0.78)As Double Heterojunction High Electron Mobility Transistors
机译:
Al_(0.24)Ga_(0.76)AS / IN_(0.22)GA_(0.78)作为双异质结高电子迁移率晶体管的影响
作者:
M. K. Hsu
;
H. R. Chen
;
W. T. Chen
;
S. Y. Chiu
;
W. S. Lour
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
94.
Inverse-Vg Dependence of PBTI Lifetime of HfSiON Gate Dielectrics Measured by a High-Temperature Pulsed-IV Method
机译:
通过高温脉冲 - IV方法测量的HFSION栅极电介质的PBTI寿命的逆Vg依赖性
作者:
Fumio Ootsuka
;
Takahisa Eimori
;
Yasuo Nara
;
Yuzuru Ohji
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
95.
SELECTIVE SI:C EPITAXY IN RECESSED AREAS AND CHARACTERIZATION OF THE MATERIAL PROPERTIES
机译:
选择性SI:C凹陷区域的外延和材料特性
作者:
Yihwan Kim
;
Zhiyuan Ye
;
Andrew Lam
;
Ali Zojaji
;
Andrew Lam
;
Yonah Cho
;
Satheesh Kuppurao
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
96.
Influence of Base Passivation on the Optical Performance of Dual-Emitter Heterojunction Phototransistors
机译:
基础钝化对双发射异结光学晶体管光学性能的影响
作者:
S. W. Tan
;
W T. Chen
;
H. R. Chen
;
M. K. Hsu
;
S. Y. Chiu
;
W. S. Lour
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
97.
DyScHfO as High-κ Gate Dielectrics: Structural and Electrical Properties
机译:
Dyschfo作为高κ门电介质:结构和电气性能
作者:
C. Adelmann
;
S. Van Elshocht
;
P. Lehnen
;
T. Conard
;
A. Franquet
;
C. Zhao
;
L.-A. Ragnarsson
;
V.S. Chang
;
H.-J. Cho
;
H.-Y. Yu
;
S. De Gendt
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
98.
High Density Inductively Coupled Plasma Etching of Zinc-Oxide and Indium-Zinc Oxide
机译:
氧化锌和氧化铟锌的高密度电感耦合等离子体蚀刻
作者:
Wantae Lim
;
Luc Stafford
;
Brent P. Gila
;
David P. Norton
;
Stephen J. Pearton
;
Fan Ren
;
Ju-Il Song
;
Jae-Soung Park
;
Young-Woo Heo
;
Joon-Hyung Lee
;
Jeong-Joo Kim
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
99.
Relaxation Induced Excess Leakage Current in Recessed Si_(1-x)Ge_x Source/Drain Junctions
机译:
弛豫诱导凹陷Si_(1-x)Ge_x源/漏极连接的过度漏电流
作者:
M. Bargallo Gonzalez
;
M. Kamruzzaman Chowdhury
;
N. Bhouri
;
P. Verheyen
;
F. Leys
;
O. Richard
;
R. Loo
;
C. Claeys
;
E. Simoen
;
V. Machkaoutsan
;
P. Tomasini
;
S.G. Thomas
;
J.P. Lu
;
J.W. Weijtmans
;
R. Wise
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
100.
Passivation of Si(100) Surface by S from a Solution and Its Effect on Schottky Barrier Height
机译:
Si(100)表面钝化从溶液中钝化及其对肖特基势垒高度的影响
作者:
Muhammad Yusuf Ali
;
Meng Tao
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting》
|
2007年
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