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Electron Devices Technology and Manufacturing Conference
Electron Devices Technology and Manufacturing Conference
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1.
3D System Integration in a Package for Artificial Intelligence
机译:
3D系统集成在人工智能包装中
作者:
Tadahiro Kuroda
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Computers;
Hardware;
Very large scale integration;
Artificial intelligence;
Stacking;
Three-dimensional displays;
Neural networks;
2.
Advanced Metrology and Single Reaction Control for Future Scaling
机译:
未来缩放的先进计量和单一反应控制
作者:
Masaru Kurihara
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Three-dimensional displays;
Etching;
Metrology;
Atomic layer deposition;
Atomic measurements;
Semiconductor device measurement;
3.
Differentiated Foundry Solutions for a Connected Future
机译:
有关连接的未来的差异化铸造解决方案
作者:
Gary Patton
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Radio frequency;
FinFETs;
Silicon;
Packaging;
Optical fiber amplifiers;
Optical fiber devices;
Optical fiber networks;
4.
Channel-Stacked NAND Flash Memory with High-κ Charge Trapping Layer for High Scalability
机译:
具有高κ电荷诱捕层的通道堆叠NAND闪存,可用于高可扩展性
作者:
Joo Yun Seo
;
Yoon Kim
;
Sang-Ho Lee
;
Daewoong Kwon
;
Hee-Do Na
;
Hyun Chul Sohn
;
JongHo Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Flash memories;
Programming;
Hafnium compounds;
Three-dimensional displays;
Logic gates;
Electron devices;
Scalability;
5.
Thermo-Mechanical and Viscoelastic Properties of an Underfill Material for RDL-First Process
机译:
用于RDL-1工艺的底部填充材料的热机械和粘弹性
作者:
Xiaobai Wang
;
Yosephine Andriani
;
Sze Yu Tan
;
Xue Qi Koh
;
Songlin Liu
;
Zhaohui Chen
;
Xiaowu Zhang
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Mathematical model;
Packaging;
Thermomechanical processes;
Flip-chip devices;
Reliability;
Temperature distribution;
6.
Compact Modeling for Leading-Edge Thin-Layer MOSFETs with Additional Applicability in Device optimization toward Suppressed Short-Channel Effects
机译:
具有额外适用性在设备优化方面对抑制短信效果的紧凑型薄层MOSFET
作者:
Fernando Avila Herrera
;
Yoko Hirano
;
Takahiro Iizuka
;
Mitiko Miura-Mattausch
;
Hideyuki Kikuchihara
;
Dondee Navarro
;
Hans Jürgen Mattausch
;
Akira Ito
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Electric potential;
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
Substrates;
Mathematical model;
MOSFET;
Optimization;
7.
An Approach for Optimizing Yield of Embedded Memories on Mobile SoC Chips
机译:
一种优化移动SOC芯片嵌入式记忆产量的方法
作者:
V. Simhadri
;
N. Agrawal
;
B. Talatam
;
H. Kim
;
T. Schink
;
R. Kuse
;
M. W. Chai
;
J. Kim
;
A. Lazaryan
;
P. Lin
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Maintenance engineering;
Fingerprint recognition;
Random access memory;
Production;
Failure analysis;
Data analysis;
Silicon;
8.
A unified charge-current compact model of gallium nitride transistors for RF and digital applications
机译:
用于RF和数字应用的氮化镓晶体管的统一充电电流型号
作者:
Kexin Li
;
Shaloo Rakheja
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
HEMTs;
MODFETs;
Computational modeling;
Data models;
Capacitance;
9.
Managing WIP Through Q-Time Links to Maximize Output While Minimizing the Risk of Potential Yield Loss
机译:
管理WIP通过Q-Time Links来最大限度地提高输出,同时最大限度地减少潜在产量损失的风险
作者:
Chris Keith
;
Maryam Anvar
;
Haim Albalak
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Tools;
Semiconductor device modeling;
Throughput;
Process control;
Logic gates;
Time measurement;
10.
A Novel Partial Carrier Stored and Hole Path IGBT for Ultralow Turn-Off Loss and On-State Voltage With High EMI Noise Controllability
机译:
一种新的局部载波存储和孔径IGBT,用于高EMI噪声控制性高的超级开关损耗和导通状态电压
作者:
Shaogang Wang
;
Chunjian Tan
;
Liming Wang
;
Houcai Luo
;
Guoqi Zhang
;
Xianping Chen
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Logic gates;
Electromagnetic interference;
Capacitance;
Switches;
Doping;
Controllability;
11.
A3-D Simulation Model and Study of Priming Effect for Phase Change Memory
机译:
A3-D仿真模型和相变存储器的启动效果研究
作者:
Deqi Dong
;
Huifang Hu
;
Dayong Liu
;
Xinnan Lin
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Crystallization;
Computational modeling;
Solid modeling;
Phase change materials;
Phase change memory;
Heating systems;
Conductivity;
12.
CMOS-compatible Integrated Silicon Nitride Optical Phase Array for Electrically Tunable Off-chip Laser Beam Steering
机译:
CMOS兼容的集成氮化硅光学相位阵列,用于电可调谐的片外激光束转向
作者:
Shiyang Zhu
;
Ting Hu
;
Yu Li
;
Zhengji Xu
;
Qize Zhong
;
Yuan Dong
;
Navab Singh
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Optical waveguides;
Phased arrays;
Optical imaging;
Optical arrays;
Silicon;
Loss measurement;
Beam steering;
13.
Spin-Orbit Torque Driven Multi-State Device for Memory Applications
机译:
用于存储器应用的旋转轨道扭矩驱动的多状态设备
作者:
Selma Amara
;
Ulan Myrzakhan
;
Abdulmohsen Alsaui
;
Meshal Alawein
;
Hossein Fariborzi
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Magnetic tunneling;
Magnetization;
Resistance;
Switches;
Electrical resistance measurement;
Writing;
Magnetic anisotropy;
14.
Defect Isolation Using FIB based TEM Sample Preparation Methodology for Yield and Reliability Improvement of Advanced Microprocessors
机译:
使用基于FIB的TEM样品制备方法的缺陷隔离,用于高级微处理器的产量和可靠性改进
作者:
Chong Hock Bee
;
Vinod Narang
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Fuses;
Microprocessors;
Failure analysis;
Scanning electron microscopy;
Inspection;
Carbon;
Logic gates;
15.
Low Dimensional Transition Metal Dichalchogenides FETs Enabled Photosensitive Inverters for IoT Sensor Applications with High Noise Immunity
机译:
低尺寸过渡金属二色性化合物FET使能量逆变器具有高噪声免疫的IOT传感器应用
作者:
Seung Gi Seo
;
Seung Yeob Kim
;
Sung Hun Jin
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Inverters;
Molybdenum;
Sulfur;
Field effect transistors;
Gallium nitride;
Voltage measurement;
16.
Active Silicon Interposer for Heterogeneous Integration: System Scaling and Cost Effectiveness
机译:
非均相集成的活性硅插入:系统缩放和成本效益
作者:
Vivek Chidambaram
;
Jayabalan Jayasanker
;
Sharon Lim Pei Siang
;
Wang Xiang Yu
;
V. N. Sekhar
;
Surya Bhattacharya
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Through-silicon vias;
Reliability;
Field programmable gate arrays;
Silicon;
Bonding;
Electrostatic discharges;
17.
Thin-Film Magnetic Inductors for High-Frequency Switching Regulator
机译:
用于高频开关稳压器的薄膜磁电感器
作者:
Ravinder Pal Singh
;
Raju Salahuddin
;
Lulu Peng
;
Lawrence Selvaraj
;
Don Disney
;
Muthukumaraswamy Annamalai Arasu
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Inductors;
Magnetic cores;
Switches;
Q-factor;
Voltage control;
Inductance;
Buck converters;
18.
VCSEL-based parallel-optical modules for optical interconnects
机译:
用于光学互连的基于VCSEL的并行光学模块
作者:
Hideyuki Nasu
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Optical fibers;
Transceivers;
Temperature measurement;
Optical crosstalk;
Optical interconnections;
Optical sensors;
19.
Stress optimization of AlN buffer in AlN/GaN/AlN Quantum well for DH-HEMT on SiC by PA-MBE
机译:
PA-MBE对AlN / GaN / AlN量子阱中AlN / GaN / AlN量子孔的rence优化
作者:
Shashank Patwal
;
Manvi Agrawal
;
Nethaji Dharmarasu
;
K. Radhakrishnan
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Aluminum nitride;
III-V semiconductor materials;
Surface morphology;
HEMTs;
MODFETs;
Buffer layers;
Substrates;
20.
Low Temperature Plasma Process for Si/SiGe Dual Channel Fin Application
机译:
Si / SiGe双通道翅片应用的低温等离子体工艺
作者:
Yohei Ishii
;
Yao-Jen Lee
;
Wen-Fa Wu
;
Kenji Maeda
;
Hiroaki Ishimura
;
Makoto Miura
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Silicon germanium;
Plasmas;
Hydrogen;
Surface treatment;
Germanium;
Ions;
21.
Performance Improvement of RGO/MnO_2 Nanoflower Hybrid Structure for Vapor Sensing Applications by Comparing with its Pristine Counterpart
机译:
rgo / mno_2纳米辊混合结构的性能改进通过与其原始对应相比进行蒸汽传感应用
作者:
Sanghamitra Ghosal
;
Partha Bhattacharyya
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Nanostructures;
Sensors;
Methanol;
Time factors;
Three-dimensional displays;
Two dimensional displays;
Nanoscale devices;
22.
Numerical modelling of graded bandgap CIGS solar cell for performance improvement
机译:
分级带隙CIGS太阳能电池性能改进的数值模拟
作者:
Fazliyana ‘Izzati Za’abar
;
Ahmad Wafi Mahmood Zuhdi
;
Mohd Shaparuddin Bahrudin
;
Siti Fazlili Abdullah
;
Azri Husni Hasani
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Photonic band gap;
Photovoltaic cells;
Numerical models;
Electric fields;
Performance evaluation;
Optimization;
Absorption;
23.
Device Design and Material Considerations of Ovonic Threshold Switch (OTS) for Cross-point MRAM Array
机译:
交叉点MRAM阵列的卵形阈值开关(OTS)的设备设计和材料考虑
作者:
Jiyong Woo
;
Shimeng Yu
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Resistance;
Random access memory;
Threshold voltage;
Switches;
Thermal stability;
Very large scale integration;
Stability analysis;
24.
Temperature Dependent Variability Analysis of Threshold Voltage and On-Current for Optimum Switching Performance by Gallium Nitride-based Junctionless FinFET
机译:
温度依赖性可变性分析阈值电压和电流的最佳开关性能,基于氮化镓基连接性FinFET
作者:
S. Mukherjee
;
S. Dutta
;
J. Ghosh
;
D. Saha
;
A. Laha
;
S. Ganguly
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Electron devices;
Manufacturing;
Conferences;
25.
Novel Stacked Floating Fin Structure Gate-All-Around Field-Effect Transistor for Design and Power Optimization
机译:
用于设计和功率优化的新型堆叠浮翅结构门 - 全面场效应晶体管
作者:
Munhyeon Kim
;
Kitae Lee
;
Sihyun Kim
;
Soyoun Kim
;
Sangwan Kim
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Capacitance;
Logic gates;
Silicon;
FinFETs;
26.
Cross Point Test Arrays for Development and Yield Ramp of Emerging Memories
机译:
交叉点测试阵列用于开发和产量坡道的新兴记忆
作者:
Tomasz Brozek
;
Dennis Ciplickas
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Resistance;
Phase change random access memory;
Optimization;
Arrays;
Manufacturing;
27.
Doping effect of S2 Orbital Metal on Amorphous In-Zn-O and Its Application for Printable Transparent Thin-film Transistors (TFT)
机译:
S
2 SUP>眶内金属对无定形IN-O的掺杂效应及其可印刷透明薄膜晶体管(TFT)的应用
作者:
Dong Liu
;
Haojie Wu
;
Wenjun Xie
;
Bing Chen
;
Ran Cheng
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Thin film transistors;
Doping;
Metals;
Performance evaluation;
Orbits;
Extraterrestrial measurements;
Threshold voltage;
28.
Low Thermal Budget Dual-Dipole Gate Stacks Engineered for Sufficient BTI Reliability in Novel Integration Schemes
机译:
低热预算双偶极栅极堆栈为新颖的集成方案设计了足够的BTI可靠性
作者:
J. Franco
;
Z. Wu
;
G. Rzepa
;
A. Vandooren
;
H. Arimura
;
D. Claes
;
N. Horiguchi
;
N. Collaert
;
D. Linten
;
T. Grasser
;
B. Kaczer
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Reliability;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Aluminum oxide;
Hafnium compounds;
29.
The Scaling of Cu-Cu Hybrid Bonding For High Density 3D Chip Stacking
机译:
高密度3D芯片堆叠Cu-Cu混合粘合的缩放
作者:
Y. Kagawa
;
S. Hida
;
Y. Kobayashi
;
K. Takahashi
;
S. Miyanomae
;
M. Kawamura
;
H. Kawashima
;
H. Yamagishi
;
T. Hirano
;
K. Tatani
;
H. Nakayama
;
K. Ohno
;
H. Iwamoto
;
S. Kadomura
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Bonding;
Three-dimensional displays;
Semiconductor device reliability;
Stacking;
CMOS image sensors;
Wafer bonding;
30.
Advancements in Solution Processable Devices using Metal Oxides For Printed Internet-of-Things Objects
机译:
溶液加工设备的进步,使用金属氧化物用于印刷的互联网物体对象
作者:
Paul R. Berger
;
Miao Li
;
Ryan M. Mattei
;
Maimouna A. Niang
;
Noah Talisa
;
Michael Tripepi
;
Brandon Harris
;
Sagar R. Bhalerao
;
Enam A. Chowdhury
;
Charles H. Winter
;
Donald Lupo
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Schottky diodes;
Metals;
Thin film transistors;
Annealing;
Dielectrics;
Energy harvesting;
Radiation effects;
31.
Development of trilayer mask etching for fabrication of high aspect ratio structures
机译:
用于制造高纵横比结构的三层掩模蚀刻的研制
作者:
Vladimir Bliznetsov
;
Kelvin Loh Wei Loong
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Etching;
Chemistry;
Silicon;
Plasmas;
Optics;
Fabrication;
Microelectronics;
32.
Circuit Under on-chip-inductor structure (CUL) for the areal size reduction of Si-based RF circuit
机译:
用于片上电感器结构(CUL)的电路,用于SI基RF电路的面积大小
作者:
Shinichi Uchida
;
Teruhiro Kuwajima
;
Risho Koh
;
Takafumi Kuramoto
;
Akio Ono
;
Takuho Kamada
;
Tetsuya Iida
;
Akira Matsumoto
;
Yasutaka Nakashiba
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Inductors;
Radio frequency;
Voltage-controlled oscillators;
Metals;
Q-factor;
Phase locked loops;
Method of moments;
33.
Integrated Temperature Sensor with CMOS Relaxation Oscillator Based Sensor Interface for Biomedical Sensing
机译:
基于CMOS弛豫振荡器的集成温度传感器,用于生物医学传感器
作者:
Wei Zhou
;
Wang Ling Goh
;
Yuan Gao
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Temperature sensors;
Phase noise;
Temperature dependence;
CMOS technology;
Layout;
Timing;
34.
Design and Modeling of A Photodiode-Body-Biased MOSFET on A Silicon Sphere for Photon Counting
机译:
光子计数硅球上光电二极管偏置MOSFET的设计与建模
作者:
Yihong Qi
;
Yitong Xu
;
Xianda Zhou
;
Kai Wang
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Photonics;
MOSFET;
Dynamic range;
Detectors;
Photodetectors;
Electric potential;
35.
Low Cost and High Density Packaging Technologies for Ultra Small IoT Computing Systems
机译:
超小型IOT计算系统的低成本和高密度包装技术
作者:
Hiroyuki Mori
;
Toyohiro Aoki
;
Eiji Nakamura
;
Akihiro Horibe
;
Kuniaki Sueoka
;
Takashi Hisada
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Artificial intelligence;
Packaging;
Stacking;
Three-dimensional displays;
Resists;
Internet of Things;
Metals;
36.
Micro-fabricated Surface Electrode Ion Trap with 3D-TSV Integration for Scalable Quantum Computing
机译:
具有3D-TSV集成的微制成的表面电极离子阱,可伸缩量子计算
作者:
Jing Tao
;
Luca Guidoni
;
Hong Yu Li
;
Lin Bu
;
Nam Piau Chew
;
Chuan Seng Tan
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Ions;
Through-silicon vias;
Electrodes;
Electron traps;
Geometry;
Silicon;
Radio frequency;
37.
The Effects of Realistic U-shaped Source /Drain on DC/AC Performances of Silicon Nanosheet FETs for Sub 5-nm Node SoC Applications
机译:
实际U形源/漏液对SUS 5-NM节点SOC应用的硅纳米晶圆FET的DC / AC性能的影响
作者:
Jinsu Jeong
;
Jun-Sik Yoon
;
Seunghwan Lee
;
Rock-Hyun Baek
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Ions;
Stress;
Delays;
Field effect transistors;
Epitaxial growth;
Logic gates;
38.
BSIM-CMG Modeling for 3D NAND Cell with Macaroni Channel
机译:
带通心粉通道的3D NAND细胞BSIM-CMG建模
作者:
Minsoo Kim
;
Ilho Myeong
;
Juhyun Kim
;
Myounggon Kang
;
Jongwook Jeon
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Three-dimensional displays;
Solid modeling;
Capacitance;
Couplings;
Flash memories;
SPICE;
Computational modeling;
39.
Statistical Simulation to Predict Variability of TANOS Program/Erase Characteristics for Non-Volatile Memory Applications
机译:
统计仿真预测非易失性存储器应用程序的TANOS程序/擦除特性的可变性
作者:
Md Zunaid Baten
;
Mondol Anik Kumar
;
Andrea Padovani
;
Luca Larcher
;
Dipankar Pramanik
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
aluminium compounds;
flash memories;
random-access storage;
silicon compounds;
statistical analysis;
40.
Silicon-CMOS Compatible Transfer-Free Fabrication of Nanocrystalline Graphene Field-Effect Devices for Smart Gas-Sensor Applications
机译:
硅-CMOS兼容无纳米石墨烯场效应装置的无转移制造,用于智能气体传感器应用
作者:
Udo Schwalke
;
Dennis Noll
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Graphene;
Gas detectors;
Sensitivity;
Temperature measurement;
Atmospheric measurements;
Temperature sensors;
Metals;
41.
Foundry Platform Technology from High-Performance to Low-Power for New High-Performance Computing (HPC) and IoT Era
机译:
铸造平台技术从高性能到低功耗的新型高性能计算(HPC)和IOT时代
作者:
Y. Yasuda-Masuoka
;
S. D. Kwon
;
J. S. Yoon
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
FinFETs;
Foundries;
Radio frequency;
Very large scale integration;
Internet of Things;
Performance evaluation;
Manufacturing;
42.
Copper (II) Phthalocyanine based Organic Field-Effect Transistors for UV Photo-detection
机译:
铜(II)基于酞菁的有机场效应晶体管用于UV光学检测
作者:
Vivek Raghuwanshi
;
Ajay Kumar Mahato
;
Deepak Bharti
;
Ishan Varun
;
Shree Prakash Tiwari
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
OFETs;
Threshold voltage;
Performance evaluation;
Radiation effects;
Lighting;
Organic semiconductors;
Absorption;
43.
Bipolar selector with threshold switching and self-compliance characteristics for crossbar memory arrays
机译:
双极选择器,具有阈值开关和横杆存储器阵列的自智能特性
作者:
Minghua Li
;
Wen Dong Song
;
Victor Yi-Qian Zhuo
;
Hock Koon Lee
;
Weijie Wang
;
Zhixian Chen
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Switches;
Metals;
Electron devices;
Electrodes;
Bridge circuits;
Temperature measurement;
Ions;
44.
Novel on-chip high-Q power inductor for high-efficient PowerSoC Applications
机译:
用于高效POWERSOC应用的新型片上高Q功率电感器
作者:
Lulu Peng
;
Salahuddin Raju
;
Don Disney
;
Lawrence Selvaraj
;
Zishan Ali Syed Mohammed
;
Serine Soh
;
Chui King Jien
;
Ravinder Pal Singh
;
Chor Shu Cheng
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Inductors;
System-on-chip;
Magnetic cores;
Q-factor;
Inductance;
Solenoids;
Electron devices;
45.
Simultaneous doping / etching (SDE) process of multilayer graphene on Ni for low resistance metallization
机译:
用于低电阻金属化的多层石墨烯的同时掺杂/蚀刻(SDE)工艺
作者:
Kosuke Yokosawa
;
Tomoki Akimoto
;
Yuri Okada
;
Kazuyoshi Ueno
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Doping;
Nickel;
Resistance;
Catalysis;
Etching;
Chlorine;
Nonhomogeneous media;
46.
Volcano Defect Prevention in Tungsten Contact Formation for Embedded Non-volatile Memory
机译:
用于嵌入式非易失性记忆的钨接触形成火山缺陷预防
作者:
Zheng Han
;
Luo Qiong
;
Feng Chengang
;
Rao Xue Song
;
Huang Jing Yan
;
Tan Yun Ling
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Tungsten;
Volcanoes;
Tin;
Nonvolatile memory;
Annealing;
Titanium;
Inspection;
47.
Interconnects Electrical Parametric Variability Control for Automotive Manufacturing
机译:
互连汽车制造的电动参数可变性控制
作者:
Kwang Sing Yew
;
Ramasamy Chockalingam
;
Choon Gay Lee
;
Jasper Goh
;
Baozhuo Chen
;
Xiaochong Guan
;
Rex Hsu
;
Juan Boon Tan
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Process control;
Resistance;
Integrated circuit interconnections;
Automotive engineering;
Manufacturing;
Copper;
Correlation;
48.
High Performance Full Chip Device Profiling and DOE selection for Physical and Parametric Yield Monitoring
机译:
高性能全芯片器件分析和DOE选择物理和参数产量监测
作者:
Ya-Chieh Lai
;
Rami Salem
;
Angelo Pinto
;
Michel Cote
;
Wei Xu
;
Piyush Pathak
;
Philippe Hurat
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Layout;
Monitoring;
Context modeling;
Performance evaluation;
Transistors;
Object recognition;
Manufacturing;
49.
Development of PCM and OTS Macro-models for HSPICE Compatible Simulation
机译:
用于HSPICE兼容模拟的PCM和OTS宏模型的开发
作者:
Jun-tae Choi
;
Byung-kwon An
;
Tony Tae-Hyoung Kim
;
Yun-heub Song
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Phase change materials;
Resistance;
Phase change random access memory;
Integrated circuit modeling;
Electron devices;
Switches;
50.
Accurate Effective Width Extraction Methods for Sub-lOnm Multi-Gate MOSFETs through Capacitance Measurement
机译:
通过电容测量的子LONM多栅MOSFET的精确有效宽度提取方法
作者:
Soyoun Kim
;
Sihyun Kim
;
Kitae Lee
;
Munhyeon Kim
;
Ryoongbin Lee
;
Sangwan Kim
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Capacitance;
Logic gates;
FinFETs;
Performance evaluation;
Shape;
Very large scale integration;
51.
Overview of interconnect technology for 7nm node and beyond - New materials and technologies to extend Cu and to enable alternative conductors (invited)
机译:
7nm节点及超越技术互联技术概述 - 以延伸铜的新材料和技术,使替代导体(邀请)
作者:
Takeshi Nogami
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Reliability;
Conductors;
Metallization;
Manganese;
Conductivity;
Electron devices;
52.
Plasma Oxidized Suspended Core-Shell Nanostructures for High Performance Metal Oxide Gas sensors
机译:
用于高性能金属氧化物气体传感器的等离子体氧化悬浮的芯壳纳米结构
作者:
Samatha Benedict
;
Navakanta Bhat
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Plasmas;
Gas detectors;
Nanostructures;
Oxidation;
Temperature sensors;
Metals;
53.
Design-Technology Co-optimization (DTCO) for Emerging Disruptive Logic Embedded Memory Process Technologies
机译:
设计 - 技术协同优化(DTCO),用于新兴的破坏性逻辑和嵌入式内存过程技术
作者:
Jessie Xuhua Niu
;
Hasita Veluri
;
Aaron Voon-Yew Thean
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Random access memory;
Computer architecture;
Thin film transistors;
Microprocessors;
54.
Advanced Packaging Drivers/Opportunities to Support Emerging Artificial Intelligence Applications
机译:
先进的包装司机/支持新兴人工智能应用的机会
作者:
Luke England
;
Eric Tremble
;
Igor Arsovski
;
Wolfgang Sauter
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Packaging;
Artificial intelligence;
Random access memory;
Three-dimensional displays;
Bandwidth;
Wiring;
Through-silicon vias;
55.
Yield Challenges and Innovative Inspection Metrology Solutions for Sub-10nm Manufacturing
机译:
10NM制造产生挑战和创新检测和计量解决方案
作者:
Hardy Chen
;
Chet Lenox
;
Barry Saville
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Inspection;
Metrology;
Monitoring;
Ultraviolet sources;
Signal to noise ratio;
Manufacturing;
Semiconductor device modeling;
56.
A review of the full 500°C low temperature technological modules development for high performance and reliable 3D Sequential Integration
机译:
高性能和可靠三维顺序集成全500°C低温技术模块开发的综述
作者:
C. Fenouillet-Beranger
;
L. Brunet
;
P. Batude
;
F. Andrieu
;
J. Micout
;
B. Previtali
;
J-M. Pedini
;
V. Mazzocchi
;
P. Acosta-Alba
;
S. Kerdilès
;
V. Beugin
;
C. Guerin
;
C. Vizioz
;
F. Ponthenier
;
N. Rambal
;
M. Casse
;
X. Garros
;
S. Chevalliez
;
F. Aussenac
;
M. Vinet
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Epitaxial growth;
Plasma temperature;
Silicon;
Logic gates;
Three-dimensional displays;
Annealing;
Silicon-on-insulator;
57.
Combining Perpendicular and Shape Anisotropy for Optimal Switching of Advanced Spin-Orbit Torque Memory Cells
机译:
结合垂直和形状各向异性,以实现高级旋转轨道扭矩存储器单元的最佳切换
作者:
Viktor Sverdlov
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Electron devices;
Manufacturing;
Conferences;
58.
Integration of Split-gate Flash Memory in 130nm BCD technology For Automotive Applications
机译:
用于汽车应用130nm BCD技术的分流门闪存集成
作者:
Xiaobo Ma
;
Zin Tun Thant
;
Huihua Jiang
;
Namchil Mun
;
Kok Foong Chong
;
Ee Ee Yeoh
;
Bai Yen Nguyen
;
Ke Dong
;
Hung Chang Liao
;
Jianbo Zhou
;
Zhongxiu Yang
;
Shiang Yang Ong
;
Jeoung Mo Koo
;
Soh Yun Siah
;
Liz Cuevas
;
Mandana Tadayoni
;
Joseph Norman
;
Yuri Tkachev
;
Steven Lemke
;
She
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Automotive engineering;
Performance evaluation;
Computer architecture;
Nonvolatile memory;
Silicon;
Microprocessors;
59.
Modeling of Channel Current in Sub-threshold Region for Poly-Si based Macaroni Structure in 3D NAND Flash Memories
机译:
三维NAND闪存中的多Si基通心粉结构子阈值区域的频道电流建模
作者:
Juhyun Kim
;
Ilho Myeong
;
Minsoo Kim
;
Sungbak Kim
;
Myounggon Kang
;
Jongwook Jeon
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Three-dimensional displays;
Flash memories;
Solid modeling;
Current measurement;
Voltage measurement;
Logic gates;
Grain boundaries;
60.
Dual Material-Stacked Hetero-Dielectric-Junctionless Accumulation Mode Nanotube MOSFET for enhanced Hot Carrier and Trapped Charges Reliability
机译:
用于增强热载体的双材料堆叠的异质型蓄电模式纳米管MOSFET和捕获的电荷可靠性
作者:
Kamalaksha Baral
;
Prince Kumar Singh
;
Sanjay Kumar
;
Sweta Chander
;
Manas Ranjan Tripathy
;
S Jit
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
MOSFET;
Logic gates;
Leakage currents;
Threshold voltage;
Hot carriers;
Reliability;
Nanoscale devices;
61.
Electroplating of Through Silicon Vias: A Kinetic Monte Carlo Model
机译:
通过硅通孔电镀:动力学蒙特卡罗模型
作者:
Lai MingRui
;
Ramanarayan Hariharaputran
;
Khoong Hong Khoo
;
Jin Hongmei
;
Shunnian Wu
;
Chaitanya Amol Joshi
;
Kodanda Ram Mangipudi
;
Siu Sin Quek
;
David T. Wu
;
Sridhar Narayanaswamy
;
Bharathi Madurai Srinivasan
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Through-silicon vias;
Additives;
Ions;
Substrates;
Kinetic theory;
Filling;
Monte Carlo methods;
62.
A Computational Performance Evaluation of Negative-Capacitance MOSFETs based on Ultra-thin body Silicon and Monolayer MoS
2
机译:
基于超薄体硅的负电容MOSFET的计算性能评估和单层MOS
2 INF>
作者:
Sheng Luo
;
Xiaoyi Zhang
;
Gengchiau Liang
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Electron devices;
Manufacturing;
Conferences;
63.
Analyzation of Positive Feedback device with Steep Subthreshold Swing Characteristics in 14 nm FinFET Technology
机译:
14 nm FinFET技术中陡坡挥口挥杆特性的正反馈装置分析
作者:
Sung Yun Woo
;
Won-Mook Kang
;
Kyu-Bong Choi
;
Jangsaeng Kim
;
Chul-Heung Kim
;
Jong-Ho Bae
;
Byung-Gook Park
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Charge carrier processes;
Switches;
FinFETs;
Doping;
Performance evaluation;
64.
RF and Power GaN HEMTs on 200 mm-Diameter 725 μm-Thick p-Si Substrates
机译:
RF和Power Ga Hemts 200 mm直径725μm厚的P-Si基板
作者:
Zhihong Liu
;
Weichuan Xing
;
Geok Ing Ng
;
Eugene A. Fitzgerald
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Substrates;
Gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
Radio frequency;
Silicon;
Logic gates;
65.
Effect of Polysilicon Grain Size on Gate Leakage in CMOS Manufacturing
机译:
多晶硅粒度对CMOS制造闸门泄漏的影响
作者:
Q. Y. Kong
;
C. Taher
;
B. N. Bong
;
H. R. Wang
;
Y. Qi
;
H. W. Mook
;
W. H. Tham
;
H. P. Kuan
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Grain size;
Logic gates;
Gate leakage;
Manufacturing;
X-ray scattering;
Correlation;
66.
Semi-classical modeling of nanoscale nMOSFETs with III-V channel
机译:
用III-V频道的纳米级NMOSFET的半古典建模
作者:
Pierpaolo Palestri
;
Enrico Caruso
;
Oves Badami
;
Francesco Driussi
;
David Esseni
;
Luca Selmi
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
MOSFET;
Scattering;
Nanoscale devices;
Semiconductor device modeling;
Quantization (signal);
Silicon;
Ions;
67.
Material design of oxide-semiconductor/group-IV-semiconductor bilayer tunneling field effect transistors
机译:
氧化物半导体/族半导体双层隧道隧道场效应晶体管的材料设计
作者:
Kimihiko Kato
;
Hiroaki Matsui
;
Hitoshi Tabata
;
Mitsuru Takenaka
;
Shinichi Takagi
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
TFETs;
Tunneling;
Ions;
Temperature dependence;
Zinc oxide;
II-VI semiconductor materials;
Logic gates;
68.
Impact of Backside Metallization Film Stress on Vce(sat) of Field-stop Trench IGBT
机译:
背面金属化薄膜应力对现场静置沟槽IGBT的影响
作者:
S. P. Lee
;
David Goh
;
T. F. Lim
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Nickel;
Insulated gate bipolar transistors;
Metallization;
Residual stresses;
Thermal stresses;
69.
Impact of solidification velocity on activation of Ga, In, and Al segregated in high Ge content SiGe by UV melt laser anneal
机译:
通过UV熔体激光退火对高GE含量SiGe的Ga,IN和Al散,IN和Al在高Ge含量SiGe中的激活对凝固速度的影响
作者:
Toshiyuki Tabata
;
Joris Aubin
;
Karim Huet
;
Fulvio Mazzamuto
;
Antonino La Magna
;
Leonard M. Rubin
;
Petros Kopalidis
;
Hao-Cheng Tsai
;
Dwight Roh
;
Ronald Reece
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon germanium;
Annealing;
Solid lasers;
Germanium;
Solids;
Conductivity;
Electron devices;
70.
Experimental Study on the Transient Response of Negative Capacitance Tunnel FET
机译:
负电容隧道FET瞬态响应的实验研究
作者:
Yang Zhao
;
Zhongxin Liang
;
Qianqian Huang
;
Huimin Wang
;
Yue Peng
;
Genquan Han
;
Ru Huang
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Voltage measurement;
Logic gates;
Iron;
Hysteresis;
Transient analysis;
Switches;
Capacitance;
71.
Improving the drive current of AlGaN/GaN HEMT using external strain engineering
机译:
使用外部应变工程改善AlGaN / GaN HEMT的驱动电流
作者:
Wei-Chih Cheng
;
Siqi Lei
;
Wenmao Li
;
Feng Zhao
;
Mansun Chan
;
Hongyu Yu
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
HEMTs;
Strain;
MODFETs;
Stress;
Gallium nitride;
72.
TCAD Analysis of Source-Side Injection Program of FinFET Split-Gate MONOS
机译:
FINFET Split-Gate Monos源侧注射程序TCAD分析
作者:
Kenichiro Sonoda
;
Eiji Tsukuda
;
Shibun Tsuda
;
Tomohiro Hayashi
;
Yutaka Akiyama
;
Yasuo Yamaguchi
;
Tomohiro Yamashita
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
FinFETs;
Split gate flash memory cells;
Programming;
Mathematical model;
MONOS devices;
Reliability;
Tunneling;
73.
Voltage-control spintronics memory (VoCSM) toward development of a 4F2-cell with strained in-plane-MTJ
机译:
朝向平面中应变的4F 2 sup> -cell开发的电压控制闪段存储器(VOCSM)
作者:
Y. Ohsawa
;
H. Yoda
;
S. Shirotori
;
M. Shimizu
;
B. Altansargai
;
H. Sugiyama
;
N. Shimomura
;
K. Koi
;
Y. Kato
;
S. Oikawa
;
T. Inokuchi
;
A. Kurobe
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Magnetic tunneling;
Electrodes;
Strain;
Computer architecture;
Shape;
Spintronics;
Microprocessors;
74.
Effects of Drift Layer Thicknesses in Reverse Conduction Mechanism on Vertical GaN-on-GaN SBDs grown by MOCVD
机译:
漂移层厚度在MOCVD种植垂直GAN-ON-GaN SBD上的反向传导机制中的影响
作者:
S. Abhinay
;
S. Arulkumaran
;
G.I. Ng
;
K. Ranjan
;
M. Deki
;
S. Nitta
;
Y. Honda
;
H. Amano
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Gallium nitride;
Temperature measurement;
Current measurement;
Semiconductor device measurement;
Leakage currents;
Tunneling;
Thermionic emission;
75.
Analysis of hysteresis behavior of tin perovskite solar cells using electric-field-induced optical second-harmonic generation measurement
机译:
使用电场诱导光学二次谐波产生测量锡钙钛矿太阳能电池滞后行为的分析
作者:
Taishi Noma
;
Dai Taguchi
;
Takaaki Manaka
;
Mitsumasa Iwamoto
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Hysteresis;
Photovoltaic cells;
Electric fields;
Capacitance-voltage characteristics;
Optical variables measurement;
Lead;
Electrodes;
76.
Microstructural Change in Crystal Grains during Phase Transformation of Hf-Zr-O Ferroelectric Thin Films
机译:
HF-ZR-O铁电薄膜相变期间晶粒的微观结构变化
作者:
Shinji Migita
;
Hiroyuki Ota
;
Keisuke Shibuya
;
Hiroyuki Yamada
;
Akihito Sawa
;
Takashi Matsukawa
;
A. Toriumi
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Crystals;
Films;
Stress;
Annealing;
Hafnium compounds;
Silicon;
77.
Low Temperature and Fast Growth of Polycrystalline MoS
2
Films using Low Temperature Sublimation Sources
机译:
使用低温升华源的多晶MOS
2 IM>薄膜的低温和快速生长
作者:
Henry Medina
;
Shi Wun Tong
;
Carlos Manzano
;
Wugang Liao
;
Weifeng Yang
;
Lee Kheng Tan
;
Weng Weei Tjiu
;
Chunxiang Zhu
;
DongZhi Chi
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Films;
Two dimensional displays;
Substrates;
Temperature;
Photonic band gap;
78.
Impact of Switching Window on Endurance Degradation in Analog RRAM
机译:
切换窗口对模拟RRAM耐久性降解的影响
作者:
Meiran Zhao
;
Huaqiang Wu
;
Bin Gao
;
Yuyi Liu
;
Peng Yao
;
Yue Xi
;
Wei Wu
;
Xinyi Li
;
Qingtian Zhang
;
Ning Deng
;
He Qian
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Switches;
Microsoft Windows;
Resistance;
Degradation;
Electrical resistance measurement;
Neuromorphics;
Logic gates;
79.
Steep Subthreshold Slope below 60mV/dec in Junctionless SOI Transistors at Low Drain Voltage of 50mV
机译:
在不排出的SOI晶体管下达到60mV / Dec以下低于60mV / Dec的亚阈值斜率,低漏极电压为50mV
作者:
Min-Ju Ahn
;
Kiyoshi Takeuchi
;
Takuya Saraya
;
Masaharu Kobayashi
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Transistors;
Hysteresis;
Logic gates;
Amplitude modulation;
Impact ionization;
Silicon;
80.
Hysteretic Behavior of PGP FDSOI NCFETs with Hafnium Oxide based Ferroelectrics
机译:
PGP FDSOI NCFET基于氧化铪的铁电气的滞回行为
作者:
Shruti Mehrotra
;
S. Qureshi
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Logic gates;
Performance evaluation;
Ring oscillators;
MOSFET;
Capacitance;
81.
Effect of Yttrium Iron Garnet Thick Film in Fabrication of Flexible Microstrip Patch Antenna
机译:
钇铁石榴石厚膜在柔性微带贴片天线制造中的影响
作者:
Intan Helina Hasan
;
Mohd Nizar Hamidon
;
Alyani Ismail
;
Ismayadi Ismail
;
Nur Alin Mohd Azhari
;
Saman Azhari
;
Muhammad Asnawi Mohd Kusaimi
;
Rosiah Osman
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Thick films;
Substrates;
Microstrip antennas;
Temperature measurement;
Microstrip;
Permittivity;
82.
Fabrication of MoS
2(1-x)
Te
2x
via Sulfurization using (t-C
4
H
9
)
2
S
2
and its Physical Structure Evaluation
机译:
MOS
2(1-X) INF> TE
2x IM>通过硫化(TC
4 INF> H
9 INF>)
2 INF> S
2 INF>及其物理结构评估
作者:
Yusuke Hibino
;
Seiya Ishihara
;
Yuya Oyanagi
;
Kota Yamazaki
;
Yusuke Hashimoto
;
Naomi Sawamoto
;
Hideaki Machida
;
Masato Ishikawa
;
Hiroshi Sudoh
;
Hitoshi Wakabayashi
;
Atsushi Ogura
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Fabrication;
Metals;
Molybdenum;
Sulfur;
Sputtering;
X-ray scattering;
Raman scattering;
83.
Evaluation of strain distribution in SiGe nanoshells/Si created by proximal Ge nanospheres using nanobeam electron diffraction
机译:
使用纳米辐射电子衍射通过近端GE纳米球产生的SiGe Nanoshells / Si中应变分布的评估
作者:
Chia-Tsong Chen
;
Kang-Ping Peng
;
Horng-Chih Lin
;
Tom George
;
Pei-Wen Li
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Germanium;
Silicon;
Silicon germanium;
Substrates;
Oxidation;
Strain;
Lattices;
84.
New Insights into Dielectric Breakdown of MgO in STT-MRAM Devices
机译:
在STT-MRAM器件中MGO介电击穿的新见解
作者:
Kin Leong Pey
;
Jia Hao Lim
;
Nagarajan Raghavan
;
Sen Mei
;
Jae Hyun Kwon
;
Vinayak Bharat Naik
;
Kazutaka Yamane
;
Hyunwoo Yang
;
Kangho Lee
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Magnetic tunneling;
Stress;
Dielectric breakdown;
Market research;
Current density;
Hafnium compounds;
85.
Improvement of material quality of (100) and (111) Ge-on-insulator substrates fabricated by smart-cut technology
机译:
改善(100)和(111)由智能切割技术制造的Ge-Insulator基材的材料质量
作者:
Cheol-Min Lim
;
Mitsuru Takenaka
;
Shinichi Takagi
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Annealing;
Germanium;
Substrates;
MOSFET;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Surface treatment;
86.
Characterization of the Grain-Boundary Free (100) Si Thin-Films Obtained by CW-Laser-Lateral Crystallization at Room Temperature in Air
机译:
通过CW-Laser-横向结晶在空气中的CW-激光横向结晶获得的晶界游离(100)Si薄膜的表征
作者:
Nobuo Sasaki
;
Muhammad Arif
;
Yukiharu Uraoka
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Silicon;
Crystallization;
Thin film transistors;
Laser beams;
Substrates;
Power lasers;
87.
Noise Propagation through TSV in Mixed-Signal 3D-IC and Investigation of Liner Interface with Multi-Well Structured TSV
机译:
混合信号3D-IC中TSV噪声传播及多井结构TSV的衬垫接口研究
作者:
Hisashi Kino
;
Takafumi Fukushima
;
Tetsu Tanaka
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Through-silicon vias;
Charge pumps;
Current measurement;
Digital circuits;
Substrates;
Analog circuits;
Interface states;
88.
Growth and characterization of in-plane heterostructures based on two-dimensional materials
机译:
基于二维材料的平面内异质结构的生长和表征
作者:
Yu Kobayashi
;
Shoji Yoshida
;
Mina Maruyama
;
Kota Murase
;
Yutaka Maniwa
;
Osamu Takeuchi
;
Susumu Okada
;
Hidemi Shigekawa
;
Yasumitsu Miyata
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Metals;
Atomic layer deposition;
Molybdenum;
Microscopy;
Heterojunctions;
Sulfur;
Substrates;
89.
Binary and ternary convolutional neural network acceleration by in-nonvolatile memory computing with Voltage Control Spintronics Memory (VoCSM)
机译:
非易失性存储器计算与电压控制闪光灯的内部内存计算的二进制和三元卷积神经网络加速(VOCSM)
作者:
K. Ikegami
;
T. Inokuchi
;
S. Fujita
;
S. Takaya
;
N. Shimomura
;
S. Takeda
;
Y. Ohsawa
;
Y. Kato
;
K. Koi
;
S. Shirotori
;
M. Shimizu
;
H. Sugiyama
;
S. Oikawa
;
B. Altansargai
;
H. Yoda
;
A. Kurobe
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Throughput;
Random access memory;
Voltage control;
Magnetic tunneling;
Convolution;
Nonvolatile memory;
Magnetization;
90.
Yield and Reliability Challenges at 7nm and Below
机译:
7nm及以下的产量和可靠性挑战
作者:
Andrzej J. Strojwas
;
Kelvin Doong
;
Dennis Ciplickas
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Logic gates;
Metals;
Layout;
Manufacturing;
Reliability engineering;
Systematics;
91.
Analysis and Design of InGaAs Negative-Capacitance FinFETs considering Quantum Capacitance
机译:
考虑量子电容的InGaAs负电容FinFET的分析与设计
作者:
Shih-En Huang
;
Shih-Han Lin
;
Pin Su
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Indium gallium arsenide;
Quantum capacitance;
FinFETs;
Silicon;
Numerical models;
92.
Enabling manufacturing of sub-10nm generations of integrated circuits with EUV lithography
机译:
通过EUV光刻实现制造SUB-10NM一代集成电路
作者:
Anthony Yen
;
Hans Meiling
;
Jos Benschop
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Ultraviolet sources;
Extreme ultraviolet lithography;
Throughput;
Resists;
Imaging;
93.
Synthesis of nitrogen-doped multilayer graphene film by solid-phase deposition using Co-N catalyst
机译:
使用CO-N催化剂通过固相沉积合成氮掺杂多层石墨烯膜
作者:
Yuki Fujishima
;
Kazuyoshi Ueno
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Doping;
Catalysis;
Resistance;
Annealing;
Graphene;
Nitrogen;
Nonhomogeneous media;
94.
Simulation Study of 4H-SiC Trench MOSFETs with Various Gate Structures
机译:
具有各种栅极结构的4H-SIC沟MOSFET的仿真研究
作者:
Jheng-Yi Jiang
;
Chih-Fang Huang
;
Tian-Li Wu
;
Feng Zhao
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Logic gates;
Switches;
Doping;
MOSFET;
Split gate flash memory cells;
Electric fields;
Silicon carbide;
95.
Modeling of Inner Fringing Charges and Short Channel Effects in Negative Capacitance MFIS Transistor
机译:
造型内部流动电荷和负电容MFIS晶体管的短频道效应
作者:
Amol D. Gaidhane
;
Girish Pahwa
;
Amit Verma
;
Yogesh Singh Chauhan
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Logic gates;
Mathematical model;
Capacitance;
Computational modeling;
Integrated circuit modeling;
Electric potential;
Capacitors;
96.
Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al
2
O
3
Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress
机译:
在负极和正栅极偏置应力下,用Al
2 INF> O
3 INF>钝化层抑制IN-SI-C薄膜晶体管上的阈值电压移位
作者:
Kazunori Kurishima
;
Toshihide Nabatame
;
Takashi Onaya
;
Kazuhito Tsukagoshi
;
Akihiko Ohi
;
Naoki Ikeda
;
Takahiro Nagata
;
Atsushi Ogura
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
NIST;
Aluminum oxide;
Electron traps;
Passivation;
Elementary particle vacuum;
Stress;
Vacuum technology;
97.
Impact of Oxygen Reservoir Layer on Analog Resistance Change Behavior in TaO
x
Resistance Analog Neuromorphic Device
机译:
氧气储存层对TAO
X / INF>抗性模拟神经晶装置的影响
作者:
Hisashi Shima
;
Makoto Takahashi
;
Yasuhisa Naitoh
;
Hiroyuki Akinaga
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Resistance;
Neuromorphics;
Electrodes;
Electrical resistance measurement;
Reservoirs;
Conductivity;
Linearity;
98.
Physics and Modeling of Two-dimensional (2D) RF Transistors and Photodetectors
机译:
二维(2D)RF晶体管和光电探测器的物理和建模
作者:
Saurabh Lodha
;
Kartikey Thakar
;
Sukhwinder Singh
;
Bablu Mukherjee
;
Naveen Kaushik
;
Sameer Grover
;
Bhaskaran Muralidharanl
;
Mandar Deshmukh
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Photodetectors;
Two dimensional displays;
Radio frequency;
Transistors;
Logic gates;
Molybdenum;
Time factors;
99.
Variability in the Characteristics of InGaAsSb/InAs Tunnel FETs Caused by Dopant-induced Traps
机译:
掺杂陷阱引起的InGaassb / InAs隧道FET特性的可变性
作者:
S. Sant
;
Q. Ding
;
M. Rau
;
M. Luisier
;
A. Schenk
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
TFETs;
Energy states;
Histograms;
Metals;
Semiconductor process modeling;
Discrete Fourier transforms;
Electron traps;
100.
Integrated Filter and RF Front-end Module on RF SOI
机译:
RF SOI上的集成滤波器和RF前端模块
作者:
Humberto Campanella
;
You Qian
;
Christian Romero
;
Joan J. Giner
;
Rakesh Kumar
会议名称:
《Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Resonator filters;
Radio frequency;
Insertion loss;
Acoustics;
Switches;
Matched filters;
5G mobile communication;
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