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Gallium nitride materials and devices XIII
Gallium nitride materials and devices XIII
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1.
Degradation processes and origin in InGaN-based high-power photodetectors
机译:
基于InGaN的大功率光电探测器的降解过程和起源
作者:
Carlo De Santi
;
M. Meneghini
;
A. Caria
;
E. Dogmus
;
M. Zegaoui
;
F. Medjdoub
;
E. Zanoni
;
G. Meneghesso
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
Degradation;
gallium vacancies;
photocurrent;
photodetector;
solar cell;
2.
Radiation and Process-Induced Damage in Ga_2O_3
机译:
Ga_2O_3中的辐射和过程损伤
作者:
S.J. Pearton
;
Jiancheng Yang
;
F. Ren
;
G. Yang
;
Jihyun Kim
;
M. Stavola
;
A. Kuramata
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
Ga_2O_3;
dry etch damage;
Schottky barriers;
proton damage;
electron damage;
radiation damage;
annealing;
3.
Semipolar GaN-based laser diodes for Gbit/s white lighting communication: devices to systems
机译:
用于Gbit / s白光通信的基于GaN的半极性激光二极管:设备到系统
作者:
Changmin Lee
;
Chao Shen
;
Clayton Cozzan
;
Robert M. Farrell
;
Shuji Nakamura
;
Ahmed Y. Alyamani
;
Boon S. Ooi
;
John E. Bowers
;
Steven P. DenBaars
;
James S. Speck
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
GaN;
Laser diodes;
visible light communication;
modulation;
gain;
solid-state lighting;
phosphors;
Li-Fi;
4.
Demonstration of AlGaN-Delta-GaN QW by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy for 260 nm Ultraviolet Light Emitting Diodes
机译:
等离子体辅助分子束外延对260 nm紫外发光二极管进行AlGaN-Delta-GaN QW演示
作者:
Cheng. Liu
;
Kevin Lee
;
S. M. Islam
;
Huili (Grace) Xing
;
Debdeep Jena
;
Jing Zhang
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
Ultraviolet;
Plasma-Assisted MBE;
Light-Emitting Diodes;
5.
Carrier lifetimes in polar InGaN-based LEDs
机译:
极性基于InGaN的LED的载流子寿命
作者:
Lai Wang
;
Jie Jin
;
Zhibiao Hao
;
Yi Luo
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
Carrier lifetimes;
TRPL;
radiative recombination efficiency;
IQE;
droop;
LED;
InGaN/GaN MQWs;
6.
Ga_2O_3 Schottky barrier and heterojunction diodes for power electronics applications
机译:
Ga_2O_3肖特基势垒和异质结二极管,用于电力电子应用
作者:
Marko J. Tadjer
;
Nadeemullah A. Mahadik
;
Jaime A. Freitas
;
Evan R. Glaser
;
Andrew D. Koehler
;
Lunet E. Luna
;
Boris N. Feigelson
;
Karl D. Hobart
;
Fritz J. Kub
;
A. Kuramata
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
β-Ga_2O_3;
annealing;
breakdown voltage;
leakage current;
NiO;
heteroj unction;
transparent conducting oxide;
7.
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor capacitors with a buried Mg doped layer characterized by deep level transient spectroscopy and photoluminescence
机译:
具有深Mg掺杂层的AlGaN / GaN金属绝缘体半导体电容器,其特征在于深能级瞬态光谱和光致发光
作者:
Mariam El-Khatib
;
Philippe Ferrandis
;
Erwan Morvan
;
Gerard Guillot
;
Georges Bremond
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
8.
Recent progress in nonpolar and semi-polar GaN light emitters on patterned Si substrates
机译:
图案化Si基板上非极性和半极性GaN发光体的最新进展
作者:
K.Ding
;
V. Avrutin
;
N. Izyumskaya
;
S. Metzner
;
F. Bertram
;
J. Christen
;
U. Ozgur
;
H. Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
Ⅲ-nitrides;
InGaN;
light emitting diodes;
nonpolar;
semi-polar;
9.
Optical simulations of blue and green semipolar InGaN/GaN lasers
机译:
蓝色和绿色半极性InGaN / GaN激光器的光学模拟
作者:
Maciej Kuc
;
Lukasz Piskorski
;
Adam K. Sokol
;
Maciej Dems
;
Michal Wasiak
;
Robert P. Sarzala
;
Tomasz Czyszanowski
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
lasers diodes;
Ⅲ-N semiconductors;
blue laser;
green laser;
optical simulations;
refractive index;
10.
Distributed feedback InGaN/GaN laser diodes
机译:
分布式反馈InGaN / GaN激光二极管
作者:
Thomas J Slight
;
Scott Watson
;
Amit Yadav
;
Szymon Grzanka
;
Szymon Stanczyk
;
Kevin E Docherty
;
Edik Rafailov
;
Piotr Perlin
;
Steve Najda
;
Mike Leszczynski
;
Anthony E Kelly
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
Semiconductor lasers;
Distributed feedback laser diodes;
InGaN;
Sidewall grating;
Slotted laser;
Notched grating;
Lateral grating;
11.
Continuous-wave operation of nonpolar GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers
机译:
非极性GaN基垂直腔面发射激光器的连续波操作
作者:
Charles A. Forman
;
SeungGeun Lee
;
Erin C. Young
;
Jared A. Kearns
;
Daniel A. Cohen
;
John T. Leonard
;
Tal Margalith
;
Steven P. DenBaars
;
Shuji Nakamura
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
GaN;
Vertical-cavity surface-emitting laser;
VCSEL;
flip-chip;
tunnel junction;
Ⅲ-nitrides;
continuous-wave;
lasers;
12.
Growth and Electronic Properties of Coaxial GaN-(Al,Ga,In)N Core-Shell Nanowires
机译:
同轴GaN-(Al,Ga,In)N核壳纳米线的生长和电子性能
作者:
Martin Hetzl
;
Theresa Hoffmann
;
Martin Stutzmann
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
GaN;
AlGaN;
InGaN;
Nanowires;
Diamond;
Strain;
Photoluminescence;
13.
Alloy fluctuations at dislocations in Ill-Nitrides: identification and impact on optical properties
机译:
氮化物位错处的合金涨落:鉴定及其对光学性能的影响
作者:
F.C-P. Massabuau
;
P. Chen
;
S.L. Rhode
;
M.K. Horton
;
T.J. OHanlon
;
A. Kovacs
;
M.S. Zielinski
;
M.J. Kappers
;
R.E. Dunin-Borkowski
;
C.J. Humphreys
;
R.A. Oliver
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
dislocation;
Ⅲ-Nitrides;
segregation;
carrier localization;
aberration-corrected TEM;
cathodolumi-nescence;
14.
Internal quantum efficiency of nitride light emitters: A critical perspective
机译:
氮化物发光体的内部量子效率:关键观点
作者:
Andreas Hangleiter
;
Torsten Langer
;
Philipp Henning
;
Fedor Alexej Ketzer
;
Heiko Bremers
;
Uwe Rossow
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
Ⅲ-nitrides;
quantum wells;
quantum efficiency;
15.
Vertical GaN-based power devices on bulk GaN substrates for future power switching systems
机译:
块状GaN衬底上的垂直GaN基功率器件,用于未来的功率开关系统
作者:
Daisuke Shibata
;
Ryo Kajitani
;
Hiroyuki Handa
;
Nanako Shiozaki
;
Shinji Ujita
;
Masahiro Ogawa
;
Kenichiro Tanaka
;
Satoshi Tamura
;
Tsuguyasu Hatsuda
;
Masahiro Ishida
;
Tetsuzo Ueda
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
GaN power switching device;
low on-state resistance;
high breakdown voltage;
high threshold voltage;
16.
Plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN nanowires on epitaxial single-layer graphene
机译:
外延单层石墨烯上GaN纳米线的等离子体辅助分子束外延
作者:
Sergio Fernandez-Garrido
;
Manfred Ramsteiner
;
Lauren A. Galves
;
Chiara Sinito
;
Pierre Corfdir
;
Ziani de Souza Schiaber
;
Joao Marcelo J. Lopes
;
Lutz Geelhaar
;
Oliver Brandt
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
group-Ⅲ nitrides;
Ⅲ-Ⅴ semiconductors;
nanowire;
polarity junction;
polarity inversion;
polarity-induced selective area epitaxy;
17.
White-light sources based on GaN laser diodes: analysis and application study
机译:
基于GaN激光二极管的白光源:分析和应用研究
作者:
Nicola Trivellin
;
Maksym Yushchenko
;
Matteo Buffolo
;
Matteo Meneghini
;
Gaudenzio Meneghesso
;
Enrico Zanoni
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
Laser;
Lighting;
Phosphors;
18.
Recent progress on GaN-based superluminescent light-emitting diodes in the visible range
机译:
可见光范围内GaN基超发光发光二极管的最新进展
作者:
A. Castiglia
;
M. Rossetti
;
M. Malinverni
;
C. Mounir
;
N. Matuschek
;
M. Duelk
;
C. Velez
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
Superluminescent light emitting diode;
laser diode;
GaN;
InGaN;
RGB eye projection;
19.
Characteristics of A1N layer on 4 inch sapphire substrate by high temperature annealing in nitrogen atmosphere
机译:
氮气氛下高温退火4英寸蓝宝石衬底上AlN层的特性
作者:
Akira Mishima
;
Yuji Tomita
;
Yoshiki Yano
;
Toshiya Tabuchi
;
Koh Matsumoto
;
Hideto Miyake
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
A1N;
high temperature annealing;
re-crystallization;
face to face cap anneal;
20.
Investigation of GaN-based light-emitting diodes on various substrates
机译:
各种基板上的GaN基发光二极管的研究
作者:
Rishabh Raj
;
Richa Dubey
;
Pratik Patwari
;
R.Navamathavan
;
Rajeev Ranjan
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
Wide bandgap;
Semiconductors;
GaN;
Substrates;
LEDs;
21.
GaN laser diodes for high-power optical integration and quantum technologies
机译:
用于大功率光学集成和量子技术的GaN激光二极管
作者:
S.P. Najda
;
P. Perlin
;
T. Suski
;
L. Marona
;
S.Stanczyk
;
P. Wisniewski
;
R. Czernecki
;
D.Schiavon
;
M. Leszczynski
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
22.
Metalized monolithic high-contrast grating as a mirror for GaN-based VCSELs
机译:
金属化的单片高对比度光栅,用作基于GaN的VCSEL的反射镜
作者:
Robert P. Sarzala
;
Adam K. Sokol
;
Lukasz Piskorski
;
Maciej Kuc
;
Patrycja Spiewak
;
Magdalena Marciniak
;
Marcin Gebski
;
Michal Wasiak
;
Tomasz Czyszanowski
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XIII》
|
2018年
关键词:
Vertical-cavity surface-emitting laser;
subwavelength grating;
gallium nitride;
computer modeling;
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